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公开(公告)号：CN118284319A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211728504.6
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请提供一种约瑟夫森结器件的制造方法及制造系统，方法包括：在衬底上形成第一膜层、第二膜层和第三膜层依次层叠的叠层结构，叠层结构上具有掩膜层，以掩膜层为掩蔽对第三膜层进行刻蚀，利用目标气体刻蚀去除掩膜层，无需利用湿法工艺去除掩膜层，能够避免湿法去胶引起的膜层表界面沾污、第三膜层的侧壁氧化等问题，提升约瑟夫森结的电学性能，在对第三膜层进行刻蚀以及利用目标气体对掩膜层进行刻蚀时会形成刻蚀副产物，刻蚀副产物会附着在第三膜层，去除第三膜层的侧壁的附着层，以保证叠层结构的表面清洁，由此可见，本申请实施例利用目标气体对掩膜层进行刻蚀去除以提高退相干时间，提高最终制造得到的约瑟夫森结器件的性能。
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公开(公告)号：CN118284320A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211728524.3
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请提供一种约瑟夫森结器件的制造方法及制造系统，方法包括：在衬底上形成第一膜层、第二膜层和第三膜层依次层叠的叠层结构，利用目标气体对第三膜层进行刻蚀，刻蚀得到的第三膜层的侧壁和第二膜层的表面之间的夹角大于目标角度，也就是说，在进行第三膜层的刻蚀时，需要保证第三膜层的侧壁和第二膜层的表面之间的夹角大于目标角度，这样可以提高制造得到的约瑟夫森结器件的临界电流，提高退相干时间，在利用目标气体对第三膜层进行刻蚀时会形成刻蚀副产物，刻蚀副产物会附着在第三膜层，目标气体中碳的比例小于目标比例，这样可以降低刻蚀副产物在第三膜层上的附着概率，在后续去除第三膜层的侧壁的附着层时，也能够更加容易去除。
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公开(公告)号：CN118284318A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211728468.3
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请提供一种约瑟夫森结器件的制造方法及制造系统，方法包括：在衬底上形成第一膜层、第二膜层和第三膜层依次层叠的叠层结构，叠层结构上具有掩膜层，利用氯基气体对叠层结构进行一次刻蚀至衬底，叠层结构的侧壁和位于叠层结构区域的衬底之间的夹角大于目标角度，可以提高制造得到的约瑟夫森结器件的临界电流，在进行一次刻蚀时，氯基气体下叠层结构和掩膜层的刻蚀选择比大于3，氯基气体下叠层结构的刻蚀速率大于目标速率，节约刻蚀时间，在对叠层结构进行刻蚀时会形成刻蚀副产物，刻蚀副产物会附着在叠层结构，去除叠层结构的侧壁的附着层，以保证叠层结构的表面清洁，能提高最终制造得到的约瑟夫森结器件的性能。
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公开(公告)号：CN118284321A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211730314.8
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请提供一种约瑟夫森结器件及其制造方法和制造系统，方法包括：在衬底上形成第一膜层、第二膜层和第三膜层依次层叠的叠层结构，对叠层结构进行刻蚀至衬底，叠层结构的侧壁和位于叠层结构区域的衬底之间的夹角为第一目标角度，利用刻蚀工艺将叠层结构的侧壁和位于叠层结构区域的衬底之间的夹角调整为第二目标角度，第二目标角度的角度范围大于第一目标角度的角度范围，也就是说，通过利用刻蚀工艺可以将叠层结构的侧壁和衬底之间的夹角角度进行调整，实现对于约瑟夫森结器件临界电流的控制，即可以通过增大夹角角度提高制造得到的约瑟夫森结器件的临界电流，提高退相干时间，实现提高最终制造得到的约瑟夫森结器件的性能的目的。
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公开(公告)号：CN118284317A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211728444.8
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请提供一种约瑟夫森结器件的制造方法及制造系统，约瑟夫森结器件的尺寸范围为10‑1000纳米，方法包括：在衬底上形成第一膜层、第二膜层和第三膜层依次层叠的叠层结构，利用第一目标气体对部分厚度的第三膜层进行刻蚀，利用第二目标气体对剩余厚度的第三膜层进行继续刻蚀至第二膜层，第一目标气体的刻蚀速率大于第二目标气体的刻蚀速率，由此可见，本申请实施例利用第一目标气体和第二目标气体依次对第三膜层进行刻蚀以降低刻蚀时间，提高刻蚀效率，并且能够控制第三膜层的侧壁和第二膜层的表面之间的夹角实现对于小尺寸约瑟夫森结器件的临界电流的控制，都能提高最终制造得到的小尺寸约瑟夫森结器件的性能。
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