-
公开(公告)号：CN118571999A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410722326.9
申请日：2024-06-05
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种Micro‑LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。其中，Micro‑LED芯片的制备方法包括以下步骤：S1、提供外延片，所述外延片包括第一衬底和设于所述衬底上的蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层；S2、刻蚀所述外延片，形成多个隔离沟槽和多个导电通孔；所述隔离沟槽将所述外延片划分为蓝光发光区、绿光发光区和红光发光区；所述导电通孔位于所述蓝光发光区、绿光发光区和/或红光发光区，导电通孔用于使多个N电极和/或P电极与蓝光外延层、绿光外外延层或红光外延层完成导电连接；S3：在步骤S2得到的外延片上形成绝缘反射层，并将导电通孔底部的绝缘反射层去除；S4：在步骤S3得到的外延片上形成P电极和N电极。实施本发明，可简化Micro‑LED的转移工序，提升其良率。
-
公开(公告)号：CN116525733B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310790283.3
申请日：2023-06-30
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种反极性发光二极管外延片、制备方法及LED，外延片包括：Si衬底及依次沉积在所述Si衬底上的第一半导体层、量子阱层、第二半导体层、N型扩展反射层、N型双环欧姆接触层以及N型电极；所述N型扩展反射层包括按M个周期交替排布的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P层与(AlyGa1‑y)0.5In0.5P层；所述N型双环欧姆接触层包括第一接触环以及设于所述第一接触环外围的第二接触环，本发明可以有效提升外延片的亮度，并且可以降低电压，提升光效。
-
公开(公告)号：CN116504890A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310769325.5
申请日：2023-06-28
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种红外反极性发光二极管外延片、制备方法及LED，外延片包括：衬底及依次沉积在所述衬底上的第一半导体层、量子阱层以及第二半导体层；所述量子阱层包括M个周期性交替排布的InGaAs阱层、AlGaAs阱层保护层、AlGaAsP垒层以及AlGaAs吸收缓冲层，所述AlGaAs吸收缓冲层的生长速度为所述AlGaAsP垒层的生长速度的1/4~1/3，本发明阻止了AlGaAsP垒层中的PH3侵入InGaAs阱层中，还同时消除阱垒之间的模糊界面的问题，使InGaAs阱层的生长质量得到提升，有效地提升了外延片的可靠性能与光电效率。
-
公开(公告)号：CN118919623A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411183507.5
申请日：2024-08-27
申请人： 江西耀驰科技有限公司 , 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种正极性红外LED的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括依次层叠设置的缓冲层、N‑AlGaAs电流扩展层、N‑AlGaAs限制层、多量子阱层、P‑AlGaAs限制层、P‑AlGaAs电流扩展层、P型GaAs欧姆接触层，P‑AlGaAs电流扩展层为C掺杂AlGaAs层和Mg掺杂AlGaAs层周期性交替层叠形成的超晶格，有利于将外延层的空穴分布得更加均匀，生长出高质量、高均匀性的外延层，提高LED芯片的良率，同时减少吸光，有效提高发光效率和发光强度。
-
公开(公告)号：CN118763163A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411252606.4
申请日：2024-09-09
申请人： 江西耀驰科技有限公司 , 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于微反射镜的LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。LED芯片的制备方法包括以下步骤：提供外延片；刻蚀外延片表面形成多个凸起；形成介质层；抛光以暴露凸起；在凸起上、凹槽内的介质层上形成透明导电层；在透明导电层上形成金属反射层；在金属反射层上形成键合层；与第二衬底键合；去除第一衬底，暴露N型半导体层；在N型半导体层上形成N电极；在第二衬底上形成P电极，得到LED晶圆；将LED晶圆切割，得到基于微反射镜的LED芯片。实施本发明，可以提高LED芯片的发光效率。
-
公开(公告)号：CN116504890B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310769325.5
申请日：2023-06-28
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种红外反极性发光二极管外延片、制备方法及LED，外延片包括：衬底及依次沉积在所述衬底上的第一半导体层、量子阱层以及第二半导体层；所述量子阱层包括M个周期性交替排布的InGaAs阱层、AlGaAs阱层保护层、AlGaAsP垒层以及AlGaAs吸收缓冲层，所述AlGaAs吸收缓冲层的生长速度为所述AlGaAsP垒层的生长速度的1/4~1/3，本发明阻止了AlGaAsP垒层中的PH3侵入InGaAs阱层中，还同时消除阱垒之间的模糊界面的问题，使InGaAs阱层的生长质量得到提升，有效地提升了外延片的可靠性能与光电效率。
-
公开(公告)号：CN118398735A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410535600.1
申请日：2024-04-30
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，其中LED外延片包括N型半导体层、发光层、P型半导体层和电子阻挡层，所述外延片还包括设置在所述N型半导体层之前的N侧电子限制层和设置在所述电子阻挡层之后的P侧电子限制层，其中，所述N侧电子限制层和所述P侧电子限制层均为周期性交叠结构层，且均包括第一电子限制子层和第二电子限制子层，其中，所述第一电子限制子层和所述第二电子限制子层均为AlxIn1‑xP层，所述N侧电子限制层的所述第二电子限制子层中Al组份随周期数递增，所述P侧电子限制层的所述第二电子限制子层中Al组份随周期数递减。本发明中的LED外延片解决了现有技术中的黄绿光外延片发光效率低，老化亮度易衰减问题。
-
公开(公告)号：CN116525733A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310790283.3
申请日：2023-06-30
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种反极性发光二极管外延片、制备方法及LED，外延片包括：Si衬底及依次沉积在所述Si衬底上的第一半导体层、量子阱层、第二半导体层、N型扩展反射层、N型双环欧姆接触层以及N型电极；所述N型扩展反射层包括按M个周期交替排布的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P层与(AlyGa1‑y)0.5In0.5P层；所述N型双环欧姆接触层包括第一接触环以及设于所述第一接触环外围的第二接触环，本发明可以有效提升外延片的亮度，并且可以降低电压，提升光效。
-
公开(公告)号：CN117276427A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311390571.6
申请日：2023-10-25
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种反极性发光二极管的制备方法，包括以下步骤：一种反极性发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一GaAs衬底，在所述GaAs衬底上依次生长缓冲层、腐蚀截止层、N型半导体层、多量子阱层、P侧波导层、P型限制层、过渡层和P型欧姆接触层，得到发光二极管外延片；对所述发光二极管外延片进行反极性处理，得到反极性发光二极管。本发明的制备方法能够提高反极性发光二极管的电流扩展性能、发光功率及大功率下的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
9 条记录 (耗时 0.039 秒)
