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公开(公告)号：CN118919623A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411183507.5
申请日：2024-08-27
申请人： 江西耀驰科技有限公司 , 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种正极性红外LED的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括依次层叠设置的缓冲层、N‑AlGaAs电流扩展层、N‑AlGaAs限制层、多量子阱层、P‑AlGaAs限制层、P‑AlGaAs电流扩展层、P型GaAs欧姆接触层，P‑AlGaAs电流扩展层为C掺杂AlGaAs层和Mg掺杂AlGaAs层周期性交替层叠形成的超晶格，有利于将外延层的空穴分布得更加均匀，生长出高质量、高均匀性的外延层，提高LED芯片的良率，同时减少吸光，有效提高发光效率和发光强度。
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公开(公告)号：CN118763158A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411238114.X
申请日：2024-09-05
申请人： 江西耀驰科技有限公司 , 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种Mini‑LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。制备方法包括以下步骤：S1、提供外延片，其包括多个预设区域；S2、形成键合层；S3、与第二衬底键合；S4、形成第一通孔；第一通孔远离预设区域的边缘设置，其侧壁呈倾斜状；S5、形成第一接触层；第一接触层覆盖第一通孔的底部及预设长度的侧壁，其仅与P型半导体层形成欧姆接触；S6、形成第二接触层，得到中间体；S7、在中间体上形成DBR层，并在第一接触层和第二接触层所在区域刻蚀形成第二通孔和第三通孔；S8、形成N电极和P电极，得到LED晶圆；S9、将LED晶圆切割，得到Mini‑LED芯片。实施本发明，可提升Mini‑LED芯片的光效。
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公开(公告)号：CN116504890B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310769325.5
申请日：2023-06-28
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种红外反极性发光二极管外延片、制备方法及LED，外延片包括：衬底及依次沉积在所述衬底上的第一半导体层、量子阱层以及第二半导体层；所述量子阱层包括M个周期性交替排布的InGaAs阱层、AlGaAs阱层保护层、AlGaAsP垒层以及AlGaAs吸收缓冲层，所述AlGaAs吸收缓冲层的生长速度为所述AlGaAsP垒层的生长速度的1/4~1/3，本发明阻止了AlGaAsP垒层中的PH3侵入InGaAs阱层中，还同时消除阱垒之间的模糊界面的问题，使InGaAs阱层的生长质量得到提升，有效地提升了外延片的可靠性能与光电效率。
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公开(公告)号：CN117276427A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311390571.6
申请日：2023-10-25
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种反极性发光二极管的制备方法，包括以下步骤：一种反极性发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一GaAs衬底，在所述GaAs衬底上依次生长缓冲层、腐蚀截止层、N型半导体层、多量子阱层、P侧波导层、P型限制层、过渡层和P型欧姆接触层，得到发光二极管外延片；对所述发光二极管外延片进行反极性处理，得到反极性发光二极管。本发明的制备方法能够提高反极性发光二极管的电流扩展性能、发光功率及大功率下的可靠性。
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公开(公告)号：CN118398735A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410535600.1
申请日：2024-04-30
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，其中LED外延片包括N型半导体层、发光层、P型半导体层和电子阻挡层，所述外延片还包括设置在所述N型半导体层之前的N侧电子限制层和设置在所述电子阻挡层之后的P侧电子限制层，其中，所述N侧电子限制层和所述P侧电子限制层均为周期性交叠结构层，且均包括第一电子限制子层和第二电子限制子层，其中，所述第一电子限制子层和所述第二电子限制子层均为AlxIn1‑xP层，所述N侧电子限制层的所述第二电子限制子层中Al组份随周期数递增，所述P侧电子限制层的所述第二电子限制子层中Al组份随周期数递减。本发明中的LED外延片解决了现有技术中的黄绿光外延片发光效率低，老化亮度易衰减问题。
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公开(公告)号：CN116525733A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310790283.3
申请日：2023-06-30
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种反极性发光二极管外延片、制备方法及LED，外延片包括：Si衬底及依次沉积在所述Si衬底上的第一半导体层、量子阱层、第二半导体层、N型扩展反射层、N型双环欧姆接触层以及N型电极；所述N型扩展反射层包括按M个周期交替排布的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P层与(AlyGa1‑y)0.5In0.5P层；所述N型双环欧姆接触层包括第一接触环以及设于所述第一接触环外围的第二接触环，本发明可以有效提升外延片的亮度，并且可以降低电压，提升光效。
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公开(公告)号：CN115207186B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211118618.9
申请日：2022-09-15
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/44 , H01L25/075 , H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种Mini‑LED芯片及其制备方法，该方法包括：提供发光颜色不同的第一外延片、第二外延片与第三外延片，第一外延片、第二外延片与第三外延片分别设有第一芯粒、第二芯粒与第三芯粒；在第二外延片的表面沉积第一预设厚度的Al2O3，并将第二外延片的第二衬底减薄至第二预设厚度；将减薄后的第二外延片与第一外延片上下对置，在高温高压条件下两者接触位置的Al2O3键合、第二衬底破碎，以使第二芯粒键合于第一外延片的第一衬底上与第一芯粒相邻的位置；并采用以上相同方法将第三芯粒键合于第一衬底上与第二芯粒相邻且远离第一芯粒的一侧。以解决现有技术中三基色芯粒依次固定，在数量较大时，导致人力物力成本高的问题。
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公开(公告)号：CN116544323B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310819925.8
申请日：2023-07-06
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种LED芯片的制备方法及LED芯片，所述制备方法包括：在临时衬底上生长外延层，得到临时晶圆片；在外延层表面涂覆光刻胶并在光刻胶上制备若干延伸至临时晶圆片表面的通孔；在通孔内蒸镀欧姆接触金属层和牺牲层，去胶清洗后在临时晶圆片表面蒸镀介质膜层，并进行热退火处理，以使得覆盖在牺牲层上方的介质膜层与覆盖在临时晶圆片表面的介质膜层之间的交界区域产生裂纹；刻蚀液通过裂纹对被介质层覆盖的牺牲层进行完全溶解，最后在临时晶圆片的两端分别制备N电极和P电极，得到目标晶圆，对目标晶圆进行切割，以得到LED芯片。通过本申请，刻蚀液透过裂纹与牺牲层反应，以完全去除牺牲层，减小了制备的LED芯片的电压。
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公开(公告)号：CN116525733B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310790283.3
申请日：2023-06-30
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种反极性发光二极管外延片、制备方法及LED，外延片包括：Si衬底及依次沉积在所述Si衬底上的第一半导体层、量子阱层、第二半导体层、N型扩展反射层、N型双环欧姆接触层以及N型电极；所述N型扩展反射层包括按M个周期交替排布的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P层与(AlyGa1‑y)0.5In0.5P层；所述N型双环欧姆接触层包括第一接触环以及设于所述第一接触环外围的第二接触环，本发明可以有效提升外延片的亮度，并且可以降低电压，提升光效。
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公开(公告)号：CN116544323A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310819925.8
申请日：2023-07-06
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种LED芯片的制备方法及LED芯片，所述制备方法包括：在临时衬底上生长外延层，得到临时晶圆片；在外延层表面涂覆光刻胶并在光刻胶上制备若干延伸至临时晶圆片表面的通孔；在通孔内蒸镀欧姆接触金属层和牺牲层，去胶清洗后在临时晶圆片表面蒸镀介质膜层，并进行热退火处理，以使得覆盖在牺牲层上方的介质膜层与覆盖在临时晶圆片表面的介质膜层之间的交界区域产生裂纹；刻蚀液通过裂纹对被介质层覆盖的牺牲层进行完全溶解，最后在临时晶圆片的两端分别制备N电极和P电极，得到目标晶圆，对目标晶圆进行切割，以得到LED芯片。通过本申请，刻蚀液透过裂纹与牺牲层反应，以完全去除牺牲层，减小了制备的LED芯片的电压。
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