一种高硅钢超薄带制带装置及工艺

    公开(公告)号:CN117862436A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311466227.0

    申请日:2023-11-07

    摘要: 本发明提供了一种高硅钢超薄带制带装置及工艺,其中高硅钢超薄带制带装置包括熔融炉、喷射组件、保温组件、冷却辊、行走装置,熔融炉的底部设有一喷孔,喷射组件位于喷孔的下方,喷射组件由上到下依次包括流道器、喷嘴杯、喷嘴,流道器内设有能够启闭的导流通道,导流通道的一端连通喷孔,导流通道的另一端连通喷嘴杯,喷嘴固接于喷嘴杯上且与喷嘴杯连通,保温组件用于加热喷嘴杯,冷却辊最高点处的冷却表面位于喷嘴的嘴缝的正下方,行走装置用于使熔融炉沿冷却辊的轴向往复移动。本发明通过减小喷嘴内的钢水与熔融炉内的钢水之间的温差,能够批量生产力学性能和磁学性能都合格的高硅钢超薄带。

    一种非晶粉及其制备方法

    公开(公告)号:CN114284055B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202111625160.1

    申请日:2021-12-28

    IPC分类号: H01F41/02 H01F1/03

    摘要: 本发明提供了一种非晶粉及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:制备合金基体液;将所述合金基体液纯化处理,得到合金母液;将所述合金母液进行雾化制粉,得到非晶相浆液;将所述非晶相浆液进行磁吸,并脱水处理,得到非晶原始颗粒;将所述非晶原始颗粒进行气流整形,得到所述非晶粉。本发明公开的非晶粉具有高饱和、高磁导率、低损耗、球形度佳等优点。

    一种非晶粉及其制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114284055A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111625160.1

    申请日:2021-12-28

    IPC分类号: H01F41/02 H01F1/03

    摘要: 本发明提供了一种非晶粉及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:制备合金基体液;将所述合金基体液纯化处理,得到合金母液;将所述合金母液进行雾化制粉,得到非晶相浆液;将所述非晶相浆液进行磁吸,并脱水处理,得到非晶原始颗粒;将所述非晶原始颗粒进行气流整形,得到所述非晶粉。本发明公开的非晶粉具有高饱和、高磁导率、低损耗、球形度佳等优点。

    一种气流阻隔结构及高硅钢薄带制带装置

    公开(公告)号:CN220679305U

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202322304126.5

    申请日:2023-08-25

    IPC分类号: B22D11/06 B22D11/14 H01F41/02

    摘要: 本实用新型提供了一种气流阻隔结构及高硅钢薄带制带装置,其中气流阻隔结构包括:冷却辊、气流挡件,冷却辊的周向边缘设有一圈贴合面,贴合面顶端所在区域用于形成承接待冷却定型的钢水的承接区域,气流挡件设有至少一个抵靠在位于承接区域一侧的贴合面上的阻挡部,各个阻挡部朝冷却辊旋转方向的反向方向间隔布置,且其中至少有一个阻挡部靠近承接区域,用于阻挡沿冷却辊旋转方向运动的气流进入承接区域内。本实用新型能够在冷却辊高速旋转时将高硅钢薄带充分接触冷却辊的辊面,保证薄带得到快速有效的冷却。