一种正性光刻胶去胶清洗组合物及其应用

    公开(公告)号:CN109164686A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201811298251.7

    申请日:2018-11-02

    IPC分类号: G03F7/42

    摘要: 本发明公开了一种正性光刻胶去胶清洗组合物,主要组分包括季铵类氢氧化物、水溶性链烷醇胺、水溶性有机极性溶剂和具有环己基的酯类化合物。正性光刻胶去胶清洗组合物中含有具有环己基的酯类化合物,该酯类化合物在碱性有机相中性能稳定,季铵类氢氧化物在水洗液中电离生成氢氧根离子,水洗液呈碱性,具有环己基的酯类化合物碱性条件下水解生成酸和醇并保持反应平衡,酸能快速中和碱液中的氢氧根离子,改善水洗工序对于晶圆表面金属层的腐蚀程度。本发明还公开了正性光刻胶去胶清洗组合物在基板光刻胶剥离工艺中的应用。

    一种半导体制程正性光刻胶去胶液及应用

    公开(公告)号:CN107346095A

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201710825459.9

    申请日:2017-09-14

    IPC分类号: G03F7/42

    摘要: 本发明公开了一种半导体制程正性光刻胶去胶液,包含链烷醇胺、金属缓蚀剂、与水混溶的极性有机溶剂、添加剂和水,添加剂为低碳硝基烷烃及其衍生物,低碳硝基烷烃的碳原子数为1~3。该半导体制程正性光刻胶去胶液可以快速去除正性光刻胶层,且去胶液中光刻胶的溶解度增加,处理后的半导体表面无光刻胶残留,且对光刻胶下方的铝层或铜层或铜铝合金层没有腐蚀。

    一种正性光刻胶用显影液及其应用

    公开(公告)号:CN107357140B

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN201710825460.1

    申请日:2017-09-14

    IPC分类号: G03F7/32

    摘要: 本发明公开了一种正性光刻胶用显影液,主要组分包含碱源、润湿分散剂、金属保护剂、水和显影增强剂,显影增强剂为选自硼酸、C2~C4的羟基酸中的一种或两种的组合,碱源与显影增强剂的摩尔比为1:(0.05~0.2)。本发明正性光刻胶用显影液通过加入显影增强剂,形成碱性的缓冲溶液,调节显影液中氢氧根的初始浓度,随着氢氧根的持续消耗,推动了缓冲溶液物质水合反应的进行生成氢氧根,显影速度适中。本发明还公开了正性光刻胶用显影液的制备方法及应用。

    一种半导体制程正性光刻胶去胶液及应用

    公开(公告)号:CN107346095B

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN201710825459.9

    申请日:2017-09-14

    IPC分类号: G03F7/42

    摘要: 本发明公开了一种半导体制程正性光刻胶去胶液,包含链烷醇胺、金属缓蚀剂、与水混溶的极性有机溶剂、添加剂和水,添加剂为低碳硝基烷烃及其衍生物,低碳硝基烷烃的碳原子数为1~3。该半导体制程正性光刻胶去胶液可以快速去除正性光刻胶层,且去胶液中光刻胶的溶解度增加,处理后的半导体表面无光刻胶残留,且对光刻胶下方的铝层或铜层或铜铝合金层没有腐蚀。

    一种制备半导体硅片用镀镍液

    公开(公告)号:CN105316663B

    公开(公告)日:2018-02-02

    申请号:CN201510833374.6

    申请日:2015-11-25

    IPC分类号: C23C18/36

    摘要: 本发明公开了一种制备半导体硅片用镀镍液,其组分包括:可溶性镍盐、还原剂、盐酸和氨水组成的pH值调节剂、复合络合剂和去离子水,复合络合剂为选自柠檬酸及其可溶性盐、酒石酸及其可溶性盐、乳酸及其可溶性盐、苹果酸及其可溶性盐、丁二酸及其可溶性盐、乙二胺四乙酸及其可溶性盐、羟乙基乙烯二胺三乙酸及其可溶性盐中的至少两种,镀镍液的pH值为7.5~9.5。本发明的镀镍液加入盐酸和氨水组成的pH值调节剂,有助于维持镀镍过程中的pH值稳定;作为络合剂使用的弱酸和可溶性盐可与pH值调节剂结合形成缓冲体系,进一步对pH值进行调节;至少两种络合剂的配合使用可使镀镍液稳定性好,镀镍速率适中。

    一种半导体封装用铜蚀刻液及蚀刻方法

    公开(公告)号:CN115786915A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211474585.1

    申请日:2022-11-23

    IPC分类号: C23F1/18 C23F1/44

    摘要: 本发明公开了一种半导体封装用铜蚀刻液,按质量百分比计,主要组分为:氧化剂1%~8%、无机酸21%~40%、有机羧酸6%~30%、螯合剂0.001%~15%、腐蚀抑制剂0~3%以及余量去离子水;有机羧酸由第一羧酸和第二羧酸组合而成,第一羧酸选自一元羧酸和二元羧酸中的至少一种,第二羧酸为三元以上羧酸中的至少一种。本发明半导体封装用铜蚀刻液通过优选有机羧酸和调整蚀刻液组分含量,降低蚀刻速度,提高蚀刻精度,完全蚀刻去除铜种子层的同时,降低铜蚀刻液对重布线层和金属凸点中其他铜层的侧损失,使重布线层和金属凸点的形貌更趋规整,提高重布线层和金属凸点的结构稳定性。本发明还公开了一种基于半导体封装用铜蚀刻液的蚀刻方法。

    一种双组份选择性钛腐蚀液及钛腐蚀方法

    公开(公告)号:CN107604362B

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201710825471.X

    申请日:2017-09-14

    IPC分类号: C23F1/38

    摘要: 本发明公开了一种双组份选择性钛腐蚀液,由A组分和B组分在使用前混合而成;A组分的主要组成为碱的水溶液,碱为可溶性碱和季铵氢氧化物中的至少一种;B组分包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂和水;A组分中还包含强碱弱酸盐,强碱弱酸盐对应的弱酸为非还原性酸。本发明双组份选择性钛腐蚀液通过加入强碱弱酸盐,稳定腐蚀液中氢氧根的浓度,腐蚀液性能稳定,有助于延长其寿命,通过对强碱弱酸盐的进一步选择,有效降低铜层的侧蚀量和铝层的侵蚀,提高蚀刻的均匀性。

    一种选择性铜腐蚀液及应用

    公开(公告)号:CN107604360A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710825462.0

    申请日:2017-09-14

    IPC分类号: C23F1/18

    摘要: 本发明公开了一种选择性铜腐蚀液,按重量百分比计包含:1~20%的氧化剂、0.001~5%的过氧化氢稳定剂、0.01~10%的无机酸、1~4%的可溶性有机酸二价铜盐、0.01~8%的螯合剂和/或缓蚀剂、0.001~3%的表面活性剂和余量水,氧化剂的主要组成为过氧化氢。在腐蚀液中同时加入无机酸和可溶性有机酸二价铜盐,加快腐蚀液溶出铜的预反应,有助于实现均匀蚀刻,得到可控的电极形状。本发明还公开了一种选择性铜腐蚀液在半导晶片上腐蚀铜或铜化合物层的应用。

    一种正性光刻胶去胶清洗组合物及其应用

    公开(公告)号:CN109164686B

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN201811298251.7

    申请日:2018-11-02

    IPC分类号: G03F7/42

    摘要: 本发明公开了一种正性光刻胶去胶清洗组合物,主要组分包括季铵类氢氧化物、水溶性链烷醇胺、水溶性有机极性溶剂和具有环己基的酯类化合物。正性光刻胶去胶清洗组合物中含有具有环己基的酯类化合物,该酯类化合物在碱性有机相中性能稳定,季铵类氢氧化物在水洗液中电离生成氢氧根离子,水洗液呈碱性,具有环己基的酯类化合物碱性条件下水解生成酸和醇并保持反应平衡,酸能快速中和碱液中的氢氧根离子,改善水洗工序对于晶圆表面金属层的腐蚀程度。本发明还公开了正性光刻胶去胶清洗组合物在基板光刻胶剥离工艺中的应用。

    一种铝栅刻开区硅渣清除组合物及硅渣清除方法

    公开(公告)号:CN110438504A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910764292.9

    申请日:2019-08-19

    IPC分类号: C23F1/44 H01L21/02

    摘要: 本发明公开了一种铝栅刻开区硅渣清除组合物,按重量百分比计,其组成为:磷酸55~80%、醋酸3~25%、硝酸0.5~6%、氟离子源1.5~15%、缓蚀剂0~5%和余量水,氟离子源中包含1~10%的氟硼酸和/或氟硼酸铵。该铝栅刻开区硅渣清除组合物以混酸作为主要组成,氟离子源提供氟离子,硝酸、氢氟酸与硅反应生成氟硅酸、一氧化氮和水,磷酸和乙酸具有缓冲作用,稳定硅渣清除组合物的pH值;加入缓蚀剂,有助于提高铝栅刻开区硅渣清除组合物对于硅、金属连线和铝下氧化层的选择性,减小圆片中位于刻开区之间的金属连线侧蚀量以及铝下氧化层的侵蚀量。本发明还公开了一种铝硅刻蚀后的硅渣清除方法。