公开(公告)号：CN116575031A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310173364.9

申请日：2023-02-28

Applicant: 江阴润玛电子材料股份有限公司

Inventor： 戈烨铭 ,  何珂

IPC: C23F1/26

Abstract: 本发明提出了一种集成电路用钛钨腐蚀液及其制备方法，属于集成电路技术领域，由以下原料按重量份制备而成：硝酸5‑10份、硫酸3‑7份、磷酸15‑20份、聚多巴胺‑壳聚糖络合稳定剂3‑5份、表面活性剂1‑2份、水40‑50份。本发明中集成电路用钛钨腐蚀液能够有效的对钛钨合金进行刻蚀，有效分解钛钨表面的金属层，提高刻蚀效率，对金属层腐蚀均匀彻底、性能稳定、使用寿命长，腐蚀后残余液易冲洗无残留。

公开(公告)号：CN113443639B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202110708886.5

申请日：2021-06-25

Applicant: 江阴润玛电子材料股份有限公司

Inventor： 戈烨铭 ,  何珂 ,  汤晓春

IPC: C01D3/16 ,  C01D1/42

Abstract: 本发明涉及一种电子级氢氧化钾的制备工艺，包括依次且连续进行的如下步骤：将氯化钾水溶液以恒定流速依次通过第一螯合树脂、第二螯合树脂进行吸附得到氯化钾高纯溶液，后浓缩得氯化钾晶体，将氯化钾晶体中加入纯水溶解，溶解后经双极膜电渗析系统处理后得到低浓度氢氧化钾溶液，最后加热浓缩得到电子级氢氧化钾。本发明的电子级氢氧化钾的制备工艺可使金属阳离子Fe2+,Ca2+,Mg2+,Ni2+,Zn2+≤100ppb,Na+≤50ppm，且该制备工艺简单易操作，可连续大规模生产高浓度高纯度电子级氢氧化钾。

公开(公告)号：CN116240025A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211621245.7

申请日：2022-12-16

Applicant: 江阴润玛电子材料股份有限公司

Inventor： 何珂 ,  戈烨铭 ,  白雪

IPC: C09K13/08 ,  C09K13/10

Abstract: 本发明提供了一种集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液，其包含硝酸、亚硝酸盐、氟化氢铵、含脲基和吡啶鎓母环的四氟硼酸盐或含脲基和咪唑鎓的四氟硼酸盐、硅化合物、表面活性剂，余量为去离子水。还提供了制备所述集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液的方法。

公开(公告)号：CN116005158A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211728638.8

申请日：2022-12-29

Applicant: 江阴润玛电子材料股份有限公司

Inventor： 何珂 ,  戈烨铭 ,  汤晓春

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26

Abstract: 本发明提供了一种集成电路用铜镍腐蚀液，其包含5‑50wt％无机酸、1‑15wt％过氧化氢、3‑9wt％乙二胺四亚甲基膦酸、2‑6wt％二乙烯三胺五甲叉膦酸、1‑4wt％乙二胺四乙酸和余量为水。本发明通过选择特定的过氧化氢稳定剂，实现了较为稳定且持久的对铜和镍的蚀刻能力。

公开(公告)号：CN113564601A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110646435.3

申请日：2021-06-10

Applicant: 江阴润玛电子材料股份有限公司

Inventor： 戈烨铭 ,  何珂 ,  汤晓春

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明公开了一TFT行业用硫酸系I TO刻蚀液，属于液晶显示器薄膜晶体管行业电子化学品技术领域，包括以下质量百分比的原料：硝酸14‑17％、硫酸4‑6％、醋酸9‑11％、表面活性剂0.01‑0.05％、助剂0.05‑0.1％，余量为纯水；本发明还公开了该刻蚀液的制备方法，步骤如下：将表面活性剂和助剂进行搅拌混合，得到复配混合物；先加入2/3的纯水至配料罐，再加入硫酸、硝酸和醋酸，混合20mi n得到混合液；然后加入复配混合物，搅拌30mi n，加入剩余的纯水，搅拌1‑2h，通入过滤器中过滤，滤液即为TFT行业用硫酸系I TO蚀刻液；本发明还制备了一种助剂，能够增加刻蚀液的光稳定性、润湿性以及渗透性。

公开(公告)号：CN107354467A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710464633.1

申请日：2017-06-19

Applicant: 江阴润玛电子材料股份有限公司

Inventor： 戈烨铭

IPC: C23G1/04 ,  C23G1/08

CPC classification number: C23G1/04 ,  C23G1/088

Abstract: 本发明涉及一种环保型金属去除液，包括如下质量百分比的成分醋酸40～65%，硝酸10～30%，表面活性剂1～2%，缓蚀剂0.1～2%，光亮剂0.1～1%，余量为纯水。表面活性剂选自非离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂复配混合物。缓蚀剂选自九水合硝酸铝、硝酸银、硫酸铁，并按照一定的质量比混配。该脱金液具有环境友好、体系危害性小，稳定性高，使用寿命长，腐蚀金属效果好；在进行有效腐蚀金属的同时，亦不会对不锈钢基材层与金膜层造成腐蚀。

公开(公告)号：CN106154772A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610618064.7

申请日：2016-08-01

Applicant: 江阴润玛电子材料股份有限公司

Inventor： 戈烨铭

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426

Abstract: 本发明涉及一种半导体凸块制程用正胶去胶液，包括如下质量百分比的成分水溶性有机溶剂35～60%，有机胺类10～50%，金属保护剂0.05～0.1%，表面活性剂0.05～0.1%，表面活性助剂0.01～0.04%，余量为纯水。本发明的正胶去胶液体系稳定性提高，使用寿命长，表面张力低，对微小缝隙处的光刻胶去除效果好；在有效清除胶的同时亦不会对半导体凸块基板金属层造成腐蚀。

公开(公告)号：CN105182703A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510619619.5

申请日：2015-09-25

Applicant: 江阴润玛电子材料股份有限公司

Inventor： 戈烨铭

IPC: G03F7/32 ,  C09K13/00

Abstract: 本发明公开了一种新型有机负胶显影液，其特征在于，所述显影液包括环戊酮、有机溶剂和铝保护剂；所述有机溶剂包括石油醚与四氢呋喃的混合物，或者石油醚与环氧乙烷的混合物；所述铝保护剂至少包括钼酸钠、苯并三氮唑。本发明有机负胶显影液在高效去除有机负胶的同时，采用铝保护剂有效阻止了芯片的铝基板不被显影液腐蚀，大幅提高了产品的良率。

公开(公告)号：CN119425189A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411698584.4

申请日：2024-11-26

Applicant: 江阴润玛电子材料股份有限公司

Inventor： 何珂 ,  袁晓雷 ,  戈烨铭

IPC: B01D29/03 ,  B01D29/86 ,  B01D35/12

Abstract: 本发明公开了一种集成电路用碱性硅清洗液加工废液处理罐，属于废液处理罐技术领域，包括处理罐罐盖、处理罐罐体和进液管，所述处理罐罐体开口处安装有处理罐罐盖，且处理罐罐盖套设在进液管表面上，所述处理罐罐体内壁固定有安装框，且安装框中部固定有隔板，所述隔板两侧对称设置有安装在安装框内的滤网；滤网对液体进行过滤，对废液中的大量絮状漂浮物或其他不溶杂物进行预过滤，减少废液处理设备的工作量，提高操作者的使用性，同时搅拌板液体进行搅拌，避免大量絮状漂浮物或其他不溶杂物堆积在滤网表面上导致滤网堵塞，提高过滤效率，并且当操作者在对安装框进行更换时，不再需要操作者将进液管关闭，提高操作者清理的便捷性。

公开(公告)号：CN116794943A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310200614.3

申请日：2023-03-06

Applicant: 江阴润玛电子材料股份有限公司

Inventor： 袁晓雷 ,  戈烨铭

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明提出了一种集成电路用去胶液及其制备方法，属于集成电路技术领域。由以下原料制备而成：苯类溶剂20‑25份、丙烯酸酯类溶剂12‑15份、多元醇7‑12份、醚类溶剂5‑10份和氯仿12‑15份。本发明集成电路用去胶液对各种类型的光刻胶具有优异的溶解效果，且毒性低，具有适当的挥发性，在较短时间内可以有效去除在边缘光刻胶去除工序等中粘附的多余的光刻胶，原料来源广，制备方法简单，对光刻胶的去除效果好，且毒性低，多元醇具有较高的沸点，使得去胶液的挥发性减小，对环境的影响较低。