公开(公告)号：CN113140638A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110288972.5

申请日：2021-03-18

申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司

发明人： 贾文博 ,  张治国 ,  祝永峰 ,  任向阳 ,  郑东明 ,  关维冰 ,  尹萍 ,  白雪松 ,  海腾 ,  冯艳敏 ,  周聪 ,  肖文英 ,  刘欣慧

IPC分类号： H01L29/84 ,  G01L1/18 ,  H01L21/306

摘要： 一种经济型硅压力传感器芯片及加工方法，它包括有：在单晶硅衬底层所加工成的硅膜片，敏感电阻及压焊点，技术要点是：该传感器芯片为背面受压，且用整体KOH腐蚀的方法，避免了传统方法各向异性腐蚀产生的斜坡，使硅片得到了更加有效的利用。在封接时选择正面封接，而电极从背面引出。该方法是将经清洗的抛光硅片，依次经氧化、光刻、刻蚀、退火，溅射金属等工艺的组合制备。本发明所制备的芯片，其传感器稳定和性能与传统的硅压力传感器无差别，但是其经济型很好，成本可以降低60%~80%，芯片尺寸降低70%‑90%，此外传感器的过载性能比传统的硅压力传感器可提升2‑8倍。

公开(公告)号：CN111337167A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN202010284969.1

申请日：2020-04-13

申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司

发明人： 贾文博 ,  张治国 ,  郑东明 ,  祝永峰 ,  任向阳 ,  海腾 ,  肖文英 ,  冯艳敏 ,  周聪

IPC分类号： G01L1/18 ,  G01L1/22

摘要： 一种敏感电阻压力传感器芯片及加工方法，它包括有：在单晶硅衬底层所加工成的硅膜片，敏感电阻及压焊点，技术要点是：在硅膜片的内部设置有金刚石敏感电阻，硅膜片与金刚石敏感电阻的侧壁间隔一层用于金刚石敏感电阻与衬底之间绝缘的氧化层；金刚石敏感电阻下方与硅膜片之间的连接层为用于敏感电阻与硅膜片隔离本征金刚石。该方法是将经清洗的抛光硅片，依次经氧化、光刻、刻蚀、化学气相沉积生长金刚石工艺的组合制备。本发明所制备的芯片，其传感器稳定性好，可探测高温下的压力，同时由于金刚石优异的性质，应用于极端条件下的高温压力探测。本发明采用硅作为膜片，金刚石敏感电阻生长在膜片内，避免了应力的过分聚集，也保证了形变量。

公开(公告)号：CN211626766U

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202020532686.X

申请日：2020-04-13

申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司

发明人： 贾文博 ,  张治国 ,  郑东明 ,  祝永峰 ,  任向阳 ,  海腾 ,  肖文英 ,  冯艳敏 ,  周聪

IPC分类号： G01L1/18 ,  G01L1/22

摘要： 一种敏感电阻压力传感器芯片，它包括有：在单晶硅衬底层所加工成的硅膜片，敏感电阻及压焊点，技术要点是：在硅膜片的内部设置有金刚石敏感电阻，硅膜片与金刚石敏感电阻的侧壁间隔一层用于金刚石敏感电阻与衬底之间绝缘的氧化层；金刚石敏感电阻下方与硅膜片之间的连接层为用于敏感电阻与硅膜片隔离本征金刚石。本结构的芯片，其传感器稳定性好，可探测高温下的压力，同时由于金刚石优异的性质，应用于极端条件下的高温压力探测。本实用新型采用硅作为膜片，金刚石敏感电阻生长在膜片内，避免了应力的过分聚集，也保证了形变量，制备的压力传感器芯片输出更高，线性程度更好，更适合实际应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利