公开(公告)号：CN100449735C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200410100165.2

申请日：2004-12-03

申请人： 沖电气工业株式会社

发明人： 小野隆

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/8246

CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0491 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923 ,  Y10S438/91

摘要： 本发明是关于一种向半导体非易失性存储器的信息的记录方法，是一种电流效率良好地对半导体非易失性存储器元件进行信息记录的方法。电荷积蓄部被设置于电阻变化部上，并含有绝缘层且可积蓄电荷。当在藉由预先于电荷积蓄部中积蓄电荷而使信息被消去的半导体非易失性存储器中记录信息时，如第1导电型为p型且第2导电型为n型，则包括在一主电极区域上施加正的高电压的步骤、使另一主电极区域为接地电压的步骤、在控制电极上施加使沟道形成区域进行弱反相的正电压的步骤。

公开(公告)号：CN1719596A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200410100165.2

申请日：2004-12-03

申请人： 沖电气工业株式会社

发明人： 小野隆

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/8246

CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0491 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923 ,  Y10S438/91

摘要： 本发明是关于一种向半导体非挥发性存储器的信息的记录方法，是一种电流效率良好地对半导体非挥发性存储器元件进行信息记录的方法。电荷积蓄部被设置于电阻变化部上，并含有绝缘层且可积蓄电荷。当在藉由预先于电荷积蓄部中积蓄电荷而使信息被消去的半导体非挥发性存储器中记录信息时，如第1导电型为p型且第2导电型为n型，则包括在一主电极区域上施加正的高电压的步骤、使另一主电极区域为接地电压的步骤、在控制电极上施加使沟道形成区域进行弱反相的正电压的步骤。