公开(公告)号：CN1220495A

公开(公告)日：1999-06-23

申请号：CN98125682.1

申请日：1998-12-21

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 大石三真

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  Y10S438/91

摘要： 在位线(30)上方具有存储电容器类型的半导体动态随机存取存储器件中包含的存储单元的存储电容器(33/34/35)之间共享单元板电极(35),并以这样的方式在单元板电极中形成切口(36),即,沟道区和栅氧化层(24)之间的边界以等于或小于根据层间绝缘层中氢的扩散长度确定的临界距离的距离与单元板电极的外周边和切口水平地隔开,由此使氢必然能够到达该边界,以便减少表面态的密度。

公开(公告)号：CN1719596A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200410100165.2

申请日：2004-12-03

申请人： 沖电气工业株式会社

发明人： 小野隆

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/8246

CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0491 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923 ,  Y10S438/91

摘要： 本发明是关于一种向半导体非挥发性存储器的信息的记录方法，是一种电流效率良好地对半导体非挥发性存储器元件进行信息记录的方法。电荷积蓄部被设置于电阻变化部上，并含有绝缘层且可积蓄电荷。当在藉由预先于电荷积蓄部中积蓄电荷而使信息被消去的半导体非挥发性存储器中记录信息时，如第1导电型为p型且第2导电型为n型，则包括在一主电极区域上施加正的高电压的步骤、使另一主电极区域为接地电压的步骤、在控制电极上施加使沟道形成区域进行弱反相的正电压的步骤。

公开(公告)号：CN1202563C

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN98809637.4

申请日：1998-09-30

申请人： 因芬尼昂技术股份公司 ,  国际商业机器公司

发明人： K·巴拉苏布拉曼亚姆 ,  M·加尔 ,  J·P·加姆比诺 ,  J·A·曼德尔曼

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L29/66575 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/324 ,  H01L27/10873 ,  Y10S438/91

摘要： 减少金属氧化物半导体(MOS)器件中栅致漏极漏电流(GIDL)可以通过在非氧化环境下进行退火来实现。在一实例中，退火是在氩气和/或氨气环境下，在栅极侧壁氧化形成衬垫之后进行。

公开(公告)号：CN1310339C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200410028747.4

申请日：2004-03-15

申请人： NEC液晶技术株式会社

发明人： 田中宏明

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/91 ,  Y10S438/958

摘要： 在本发明提供的TFT(薄膜晶体管)中，供氢层能够形成在使氢的扩散距离缩短且不增加光刻法的位置处。在TFT中，用于使氢扩散到存在于多晶硅薄膜和栅绝缘膜界面处的悬空键中的供氢层形成在栅绝缘膜和栅电极之间的位置处。根据该结构，在氢化过程中，氢的扩散距离可以缩短，在不花费大量热处理时间的情况下可以充分进行氢化。

公开(公告)号：CN1272223A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN98809637.4

申请日：1998-09-30

申请人： 因芬尼昂技术股份公司 ,  国际商业机器公司

发明人： K·巴拉苏布拉曼亚姆 ,  M·加尔 ,  J·P·加姆比诺 ,  J·A·曼德尔曼

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L29/66575 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/324 ,  H01L27/10873 ,  Y10S438/91

摘要： 减少金属氧化物半导体(MOS)器件中栅致漏极漏电流(GIDL)可以通过在非氧化环境下进行退火来实现。在一实例中,退火是在氩气和/或氨气环境下,在栅极侧壁氧化形成衬垫之后进行。

公开(公告)号：CN1264177A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00102270.9

申请日：2000-02-18

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 森田有纪 ,  樋口宪士

IPC分类号： H01L23/60

CPC分类号： H01L21/6835 ,  Y10S438/91

摘要： 电子装置制造设备诸如含有半导体集成电路的液晶显示装置的制造设备。该设备含有一保护性电阻层,例如设置在工作表面和所述电子装置间的该设备的工作表面上的一个厚度为d(μm)表面电阻值为(55/d)2×(1×105至1×108)Ω/方的保护性电阻层。从更宽的概念来讲,本发明也是用于在制造过程中防止电子装置的敏感电路遭受静电损害的方法。

公开(公告)号：CN100449735C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200410100165.2

申请日：2004-12-03

申请人： 沖电气工业株式会社

发明人： 小野隆

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/8246

CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0491 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923 ,  Y10S438/91

摘要： 本发明是关于一种向半导体非易失性存储器的信息的记录方法，是一种电流效率良好地对半导体非易失性存储器元件进行信息记录的方法。电荷积蓄部被设置于电阻变化部上，并含有绝缘层且可积蓄电荷。当在藉由预先于电荷积蓄部中积蓄电荷而使信息被消去的半导体非易失性存储器中记录信息时，如第1导电型为p型且第2导电型为n型，则包括在一主电极区域上施加正的高电压的步骤、使另一主电极区域为接地电压的步骤、在控制电极上施加使沟道形成区域进行弱反相的正电压的步骤。

公开(公告)号：CN1954421A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580015359.5

申请日：2005-02-16

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 陈华杰 ,  S·W·比德尔

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76254 ,  Y10S438/91

摘要： 本发明公开了一种形成在绝缘层上具有应变Si或SiGe层的半导体晶片的方法。本方法制造了在绝缘层(45)和应变Si/SiGe层(42)之间具有SiGe缓冲层(43)的结构，但消除了在接合后对硅外延的需求。本方法还消除了在应变Si和SiGe缓冲层之间的界面污染，并允许形成具有超过应变Si层的临界厚度的总厚度的SVSiGe层。

公开(公告)号：CN1531112A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410028747.4

申请日：2004-03-15

申请人： NEC液晶技术株式会社

发明人： 田中宏明

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/91 ,  Y10S438/958

摘要： 在本发明提供的TFT(薄膜晶体管)中，供氢层能够形成在使氢的扩散距离缩短且不增加光刻法的位置处。在TFT中，用于使氢扩散到存在于多晶硅薄膜和门绝缘膜界面处的悬空键中的供氢层形成在门绝缘膜和门电极之间的位置处。根据该结构，在氢化过程中，氢的扩散距离可以缩短，在不花费大量热处理时间的情况下可以充分进行氢化。

公开(公告)号：CN1144291C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN98125682.1

申请日：1998-12-21

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 大石三真

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  Y10S438/91

摘要： 在位线(30)上方具有存储电容器类型的半导体动态随机存取存储器件中包含的存储单元的存储电容器(33/34/35)之间共享单元板电极(35)，并以这样的方式在单元板电极中形成切口(36)，即，沟道区和栅氧化层(24)之间的边界以等于或小于根据层间绝缘层中氢的扩散长度确定的临界距离的距离与单元板电极的外周边和切口水平地隔开，由此使氢必然能够到达该边界，以便减少表面态的密度。