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公开(公告)号：CN117894882A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410295789.1
申请日：2024-03-15
申请人： 河北大学
摘要： 本发明提供了一种用于硒化锑太阳电池异质结的光退火装置及方法。所述装置包括一个真空腔体，在真空腔体内设有一个样品台，所述样品台设有监测温度的温度计；所述真空腔体两侧设有真空抽气口和进气管路，进气管路配备充气阀；在真空腔体上方设有光源组件。本发明中光退火装置应用于Sb2Se3/CdS异质结上，通过真空腔体上方的光源组件在氩气氛围下进行光退火处理，然后再制备窗口层、顶电极。通过异质结光退火处理，减少了异质结界面的界面缺陷密度和体缺陷密度，促进了光生载流子的传输、收集，使太阳电池在长波段(600nm‑1100nm)内的外量子效率大幅提高，提升了短路电流，进而提升了硒化锑薄膜太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117727815B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202410179919.5
申请日：2024-02-18
申请人： 河北大学
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y35/00 , C23C14/06 , C23C14/22
摘要： 本发明提供了一种自陷光结构硒化锑太阳电池及其制备方法。该自陷光结构硒化锑太阳电池中的硒化锑吸收层由底层致密的薄膜和顶层纳米棒阵列组成。本发明方法为应用真空沉积方法在背电极上制备自陷光结构硒化锑吸收层，使硒化锑底部形成致密的薄膜，表面形成纳米棒阵列，然后再制备缓冲层、窗口层、顶电极。自陷光结构硒化锑吸收层不仅改善了硒化锑的形貌，使太阳光在该结构中进行充分的反射和漫反射，极大地增加光程，实现表面高减反特性，太阳电池在宽波段(300nm‑1100nm)内的反射率大幅降低；而且增强了硒化锑的光吸收能力，产生了更多的光生载流子，提高了太阳电池的短路电流和转换效率，实现了高效硒化锑薄膜太阳电池的制备。
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公开(公告)号：CN117727815A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202410179919.5
申请日：2024-02-18
申请人： 河北大学
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y35/00 , C23C14/06 , C23C14/22
摘要： 本发明提供了一种自陷光结构硒化锑太阳电池及其制备方法。该自陷光结构硒化锑太阳电池中的硒化锑吸收层由底层致密的薄膜和顶层纳米棒阵列组成。本发明方法为应用真空沉积方法在背电极上制备自陷光结构硒化锑吸收层，使硒化锑底部形成致密的薄膜，表面形成纳米棒阵列，然后再制备缓冲层、窗口层、顶电极。自陷光结构硒化锑吸收层不仅改善了硒化锑的形貌，使太阳光在该结构中进行充分的反射和漫反射，极大地增加光程，实现表面高减反特性，太阳电池在宽波段(300nm‑1100nm)内的反射率大幅降低；而且增强了硒化锑的光吸收能力，产生了更多的光生载流子，提高了太阳电池的短路电流和转换效率，实现了高效硒化锑薄膜太阳电池的制备。
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公开(公告)号：CN115663041A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211343643.7
申请日：2022-10-31
申请人： 河北大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C18/12 , C23C28/04
摘要： 本发明提供了一种梯度带隙硒硫化锑太阳电池及其制备方法。所述梯度带隙硒硫化锑太阳电池采用了双梯度带隙硒硫化锑作为吸收层，双梯度带隙硒硫化锑吸收层是通过射流载气输运气相沉积技术、以硒硫化锑颗粒作为源、以硒化氢作为硒源制备而成，制备过程中通过调节硒化氢流量由小变大、再由大变小，从而得到双梯度带隙硒硫化锑吸收层。本发明所述方法为应用射流载气输运气相沉积技术沉积硒硫化锑薄膜，通过调控硒化氢的流量，从而实现双梯度带隙硒硫化锑吸收层的制备。本发明提供了一种新的梯度带隙硒硫化锑太阳电池的制备方法，能够有效优化硒硫化锑吸收层带隙结构，有助于器件性能的提升。
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公开(公告)号：CN117894882B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410295789.1
申请日：2024-03-15
申请人： 河北大学
摘要： 本发明提供了一种用于硒化锑太阳电池异质结的光退火装置及方法。所述装置包括一个真空腔体，在真空腔体内设有一个样品台，所述样品台设有监测温度的温度计；所述真空腔体两侧设有真空抽气口和进气管路，进气管路配备充气阀；在真空腔体上方设有光源组件。本发明中光退火装置应用于Sb2Se3/CdS异质结上，通过真空腔体上方的光源组件在氩气氛围下进行光退火处理，然后再制备窗口层、顶电极。通过异质结光退火处理，减少了异质结界面的界面缺陷密度和体缺陷密度，促进了光生载流子的传输、收集，使太阳电池在长波段(600nm‑1100nm)内的外量子效率大幅提高，提升了短路电流，进而提升了硒化锑薄膜太阳电池的光电转换效率。
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