一种孔隙率、孔径可控开孔泡沫铜的制备方法

    公开(公告)号:CN103602845B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201310643228.8

    申请日:2013-12-03

    IPC分类号: C22C1/08 C22C9/00

    摘要: 本发明一种孔隙率、孔径可控开孔泡沫铜的制备方法,该方法是采用粉末冶金方法,将冰糖颗粒与电解铜粉以及添加剂无水乙醇混合均匀后压制得生坯,将生坯置于沸水中冲洗将冰糖颗粒彻底溶除,并经清洗、烘干后,将所得物品置于惰性气体气氛中烧结,随炉冷却至室温后即制得有由三维相互连通的空间网络构成的孔隙率为50~85%和平均孔径为0.2~2mm的开孔泡沫铜产品。本发明所得开孔泡沫铜的烧结质量较高,有着很好的力学性能及压缩吸能特性。

    多孔铜基形状记忆合金基阻尼复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102808101B

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201210314116.3

    申请日:2012-08-30

    IPC分类号: C22C1/08 C22C9/00

    摘要: 本发明多孔铜基形状记忆合金基阻尼复合材料的制备方法,涉及阻尼材料的制造,步骤是,首先将淬火态多孔CuAlMn形状记忆合金样品进行热循环处理和超声波清洗,去除其外表面及孔洞内表面粘附的污渍,然后浸入聚苯乙烯—2-甲基四氢呋喃溶液中,并进行超声震荡至聚苯乙烯—2-甲基四氢呋喃溶液充分渗入到多孔CuAlMn形状记忆合金样品三维贯通的孔洞之中,最后经烘干至2-甲基四氢呋喃溶剂彻底挥发,制得在多孔CuAlMn形状记忆合金孔洞中沉积聚苯乙烯层的多孔铜基形状记忆合金基阻尼复合材料成品。该成品具有高且可控的阻尼性能,克服了现有多孔CuAlMn形状记忆合金在外加载荷下易在孔壁边缘产生应力集中或微裂纹的缺点。

    双相纳米颗粒弥散强化铜基复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102787250B

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201210289633.X

    申请日:2012-08-15

    摘要: 本发明双相纳米颗粒弥散强化铜基复合材料的制备方法,涉及铜基复合材料,采用溶胶-凝胶工艺结合湿法混粉及粉末冶金法的制备方法,步骤是:制备Ti4+离子掺杂Sn(OH)4干燥粉末和Al(OH)3干燥粉末;经煅烧制得SnO2-TiO2纳米粉末和Al2O3纳米粉末;将两种粉末加分散剂聚乙二醇-20000在无水乙醇中制成悬浊液后加入电解Cu粉再经搅拌成浓稠糊状混合物,再烘干制得(0.3wt%~2.5wt%Al2O3+0.7wt%~4.5wt%SnO2-TiO2)/Cu复合粉末;最后压制和烧结制得有高强、高导电、优良高温抗软化性能、抗电弧烧损能力和低的表面接触电阻的双相纳米颗粒弥散强化铜基复合材料产品。

    一种低压电器用铜基电触头材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106683914A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201710105170.X

    申请日:2017-02-25

    IPC分类号: H01H1/025 H01H11/04

    CPC分类号: H01H1/025 H01H11/048

    摘要: 本发明一种低压电器用铜基电触头材料及其制备方法,涉及铜作为基底材料的触点,该材料是由以下质量百分比的成分组成:Ce 0.05~0.5%,TiO2掺杂SnO2纳米颗粒0.1~1.0%,其余为Cu;其中以TiO2掺杂SnO2纳米颗粒为主增强相,同时添加稀土元素Ce以提高力学、抗氧化及电接触性能,采用无水乙醇防护下的湿磨混粉和粉末冶金工艺制备,克服了用现有技术所制得的Cu基复合材料作为触头材料使用时电导率低、接触电阻高、抗氧化及抗电弧烧损能差,以及其中增强相的弥散分布程度不够的缺点。

    一种多孔铜铝锰形状记忆合金的热处理方法

    公开(公告)号:CN102418057B

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201110382327.6

    申请日:2011-11-25

    IPC分类号: C22F1/08 C22F1/02 C22C1/08

    摘要: 本发明一种多孔铜铝锰形状记忆合金的热处理方法,涉及有多孔形状记忆合金的热处理,步骤是:采用烧结-脱溶工艺制得的多孔铜铝锰形状记忆合金以固溶温度为850~900℃和保证多孔铜铝锰形状记忆合金每毫米有效厚度固溶的固溶时间为450~500秒进行固溶处理;在60~80℃的淬火油中进行淬火;然后以时效热处理温度为340~360℃和保证多孔铜铝锰形状记忆合金每毫米有效厚度时效的时效时间为100~120秒进行时效热处理;最后于80℃烘干。由此热处理方法提高及稳定了烧结-脱溶法制得多孔铜基形状记忆合金的阻尼性能,并且该方法较好地适应实际应用的需要。

    一种通孔泡沫铜的制备方法

    公开(公告)号:CN101608271B

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN200910069792.7

    申请日:2009-07-20

    IPC分类号: C22C1/08

    摘要: 本发明一种通孔泡沫铜的制备方法,涉及有开或闭孔隙的金属的制造,是以电解铜粉和NaCl颗粒为原材料,采用烧结-脱溶技术制备通孔泡沫铜的方法,将NaCl颗粒与电解铜粉以及添加剂混合均匀后压制得生坯,在烧结炉中置于氩气气氛下烧结,得到的物品置于循环热水装置中将NaCl颗粒溶除,再用超声波水浴中洗涤和丙酮清洗,最后烘干,即制得有由三维相互连通的空间网络构成的开孔、孔隙率为50~81%、平均孔径为0.2~4mm和基体中存在微观孔洞的通孔泡沫铜产品。所得通孔泡沫铜的孔隙率及孔径可控,烧结质量较高,有着很好的吸能性能。

    一种孔隙率、孔径可控开孔泡沫铜的制备方法

    公开(公告)号:CN103602845A

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201310643228.8

    申请日:2013-12-03

    IPC分类号: C22C1/08 C22C9/00

    摘要: 本发明一种孔隙率、孔径可控开孔泡沫铜的制备方法,该方法是采用粉末冶金方法,将冰糖颗粒与电解铜粉以及添加剂无水乙醇混合均匀后压制得生坯,将生坯置于沸水中冲洗将冰糖颗粒彻底溶除,并经清洗、烘干后,将所得物品置于惰性气体气氛中烧结,随炉冷却至室温后即制得有由三维相互连通的空间网络构成的孔隙率为50~85%和平均孔径为0.2~2mm的开孔泡沫铜产品。本发明所得开孔泡沫铜的烧结质量较高,有着很好的力学性能及压缩吸能特性。

    双相纳米颗粒弥散强化铜基复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102787250A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201210289633.X

    申请日:2012-08-15

    摘要: 本发明双相纳米颗粒弥散强化铜基复合材料的制备方法,涉及铜基复合材料,采用溶胶-凝胶工艺结合湿法混粉及粉末冶金法的制备方法,步骤是:制备Ti4+离子掺杂Sn(OH)4干燥粉末和Al(OH)3干燥粉末;经煅烧制得SnO2-TiO2纳米粉末和Al2O3纳米粉末;将两种粉末加分散剂聚乙二醇-20000在无水乙醇中制成悬浊液后加入电解Cu粉再经搅拌成浓稠糊状混合物,再烘干制得(0.3wt%~2.5wt%Al2O3+0.7wt%~4.5wt%SnO2-TiO2)/Cu复合粉末;最后压制和烧结制得有高强、高导电、优良高温抗软化性能、抗电弧烧损能力和低的表面接触电阻的双相纳米颗粒弥散强化铜基复合材料产品。

    一种通孔泡沫铜的制备方法

    公开(公告)号:CN101608271A

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200910069792.7

    申请日:2009-07-20

    IPC分类号: C22C1/08

    摘要: 本发明一种通孔泡沫铜的制备方法,涉及有开或闭孔隙的金属的制造,是以电解铜粉和NaCl颗粒为原材料,采用烧结-脱溶技术制备通孔泡沫铜的方法,将NaCl颗粒与电解铜粉以及添加剂混合均匀后压制得生坯,在烧结炉中置于氩气气氛下烧结,得到的物品置于循环热水装置中将NaCl颗粒溶除,再用超声波水浴中洗涤和丙酮清洗,最后烘干,即制得有由三维相互连通的空间网络构成的开孔、孔隙率为50~81%、平均孔径为0.2~4mm和基体中存在微观孔洞的通孔泡沫铜产品。所得通孔泡沫铜的孔隙率及孔径可控,烧结质量较高,有着很好的吸能性能。

    一种低压电器用铜基电触头材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106683914B

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201710105170.X

    申请日:2017-02-25

    IPC分类号: H01H1/025 H01H11/04

    摘要: 本发明一种低压电器用铜基电触头材料及其制备方法,涉及铜作为基底材料的触点,该材料是由以下质量百分比的成分组成:Ce 0.05~0.5%,TiO2掺杂SnO2纳米颗粒0.1~1.0%,其余为Cu;其中以TiO2掺杂SnO2纳米颗粒为主增强相,同时添加稀土元素Ce以提高力学、抗氧化及电接触性能,采用无水乙醇防护下的湿磨混粉和粉末冶金工艺制备,克服了用现有技术所制得的Cu基复合材料作为触头材料使用时电导率低、接触电阻高、抗氧化及抗电弧烧损能差,以及其中增强相的弥散分布程度不够的缺点。