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公开(公告)号：CN107764791B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201710943245.1
申请日：2017-10-11
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC分类号： G01N21/64
摘要： 本发明公开了一种基于倏逝波的离子浓度测试芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包括衬底、波导和包层，包层将波导包裹在衬底上，且在包层上与波导相对应的位置设置有微槽，微槽的宽度大于波导的宽度，且在微槽的内壁涂覆有待测离子物质荧光识别材料。以及制作方法，步骤1，清洗衬底；步骤2，淀积波导芯层；步骤3，高温退火；步骤4，形成掩膜层；步骤5，涂覆光刻胶；步骤6，刻蚀掩膜层；步骤7，形成波导芯层；步骤8，去除掩膜层；步骤9，淀积上包层；步骤10，上包层形成掩膜层；步骤11，涂覆光刻胶；步骤12，去除光刻胶层；步骤13，形成微槽；步骤14，去除掩膜层；步骤15，切割并磨抛。本发明灵敏度高，生物特异性强。
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公开(公告)号：CN111007592A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911156789.9
申请日：2019-11-22
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种缩短耦合长度的3dB定向耦合器及其制作方法，包括基底，基底上从下至上依次覆盖有下包层、中间包层和上包层，中间包层中设有第一耦合波导，上包层中设有第二耦合波导，且第一耦合波导和第二耦合波导上均设有弧形波导和直波导，且弧形波导设置在直波导的中部；第一耦合波导的弧形波导的突出部与第二耦合波导的弧形波导的突出部相对应并组成耦合区。本发明中第一耦合波导和第二耦合波导不在同一平面中，且第一耦合波导和第二耦合波导组成了耦合区，入射光入射后在耦合区电信号通过消逝场在上下分布的第一耦合波导和第二耦合波导中进行耦合，可以有效的缩短定向耦合器的耦合长度，减少插入损耗，扩大工艺容差，提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN106054339B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610676975.5
申请日：2016-08-16
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/44
摘要： 本发明公开了一种超宽谱波长不敏感光分路器的设计方法，采用调整Y分支弯曲半径和缝隙，平横短波和长波泄露损耗和辐射损耗，改善Y分支波长相关损耗，实现了超宽谱范围内波长不敏感Y分支结构，通过Y分支级联，形成超宽谱波长不敏感的1×N光分路器结构，实现超宽谱范围内波长平坦化。
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公开(公告)号：CN106876249A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710099133.2
申请日：2017-02-23
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
CPC分类号： H01L21/02554 , C23C16/44 , H01L21/0262 , H01L21/02664
摘要： 本发明公开了一种二氧化硅厚膜的制备方法，步骤如下：S1，选取基片，并采用LPCVD工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜，厚度为0.7um～1.8um；S2，对多晶硅薄膜热氧化处理，热氧化温度为1000℃～1300℃，温度由低到高，热氧化时间为78～3个小时，形成二氧化硅膜，二氧化硅膜的厚度为1.49～4.10μm；S3，在二氧化硅膜上生长新的多晶硅薄膜，厚度为0.7um～1.8um；S4，对新的多晶硅薄膜进行热氧化处理，热氧化温度为1000℃～1300℃，热氧化时间为78～3个小时，形成另一层二氧化硅膜，二氧化硅膜的厚度为1.49～4.10um；S5，重复步骤S3和步骤S4，直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。本发明分层制备，二氧化硅厚膜氧化热预算较低，成品率稳定，作为硅基二氧化硅光波导器件下包层的SiO2厚膜可在多种基片上进行制备。
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公开(公告)号：CN107764791A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710943245.1
申请日：2017-10-11
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC分类号： G01N21/64
CPC分类号： G01N21/6486 , G01N21/64
摘要： 本发明公开了一种基于倏逝波的离子浓度测试芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包括衬底、波导和包层，包层将波导包裹在衬底上，且在包层上与波导相对应的位置设置有微槽，微槽的宽度大于波导的宽度，且在微槽的内壁涂覆有待测离子物质荧光识别材料。以及制作方法，步骤1，清洗衬底；步骤2，淀积波导芯层；步骤3，高温退火；步骤4，形成掩膜层；步骤5，涂覆光刻胶；步骤6，刻蚀掩膜层；步骤7，形成波导芯层；步骤8，去除掩膜层；步骤9，淀积上包层；步骤10，上包层形成掩膜层；步骤11，涂覆光刻胶；步骤12，去除光刻胶层；步骤13，形成微槽；步骤14，去除掩膜层；步骤15，切割并磨抛。本发明灵敏度高，生物特异性强。
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公开(公告)号：CN107229095A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710629624.3
申请日：2017-07-28
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种可调2×2光分路器，包括衬底，在衬底上设置有输入波导单元、耦合波导单元和输出波导单元；输入波导单元通过耦合波导单元与输出波导单元连接；且耦合波导单元包括耦合波导组件、热调制组件和隔热组件。本发明具有以下有益效果：1）可以实现任意分光比例调节。2）只有一级定向耦合器结构，损耗低、尺寸紧凑，且易于和其它器件集成。3）通过热调制组件实现不同电压调节，进行可实现不同波长下分光比调节。
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公开(公告)号：CN103941427B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201410177223.5
申请日：2014-04-30
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本发明公开了一种高制作容差的平面波导型可调光衰减器，包括第一耦合器，第一耦合器的输入端与输入波导连接，第一耦合器的两个输出端分别与上臂支路和下臂支路的前端连接，第二耦合器的两个输入端分别与上臂支路和下臂支路的后端连接，第二耦合器的输出端与输出波导连接，所述上臂支路和/或下臂支路上设有金属薄膜加热器，金属薄膜加热器位于隔离沟槽之间，本发明中第一耦合器和第二耦合器采用不对称的耦合器，同时使第二耦合器的耦合比与第一耦合器的耦合比相等，这种结构使当上臂支路或下臂支路的折射率变化时，第二耦合器的其中一个输出波导的衰减可满足大于30 dB的设计要求，该结构在工艺误差高达±0.1um时，仍可使衰减量大于30dB，提高了器件的制作容差。
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公开(公告)号：CN105467524B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201510912013.0
申请日：2015-12-11
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/36
摘要： 本发明公开了一种制备保偏光纤阵列的装置及其使用方法，包括夹具、泡棉、手动旋转台、显微镜Ⅰ和显微镜Ⅱ，夹具和手动旋转台相对设置，泡棉位于夹具和手动旋转台之间，在泡棉上设置有若干条缝隙；在夹具上安装有V槽基板，在V槽基板上设置有若干与缝隙相对应的V槽；显微镜Ⅰ设置在V槽基板的前方且显微镜Ⅰ的光轴与V槽平行，显微镜Ⅱ设置在V槽基板的上方且显微镜Ⅱ的光轴与V槽垂直。本发明通过泡棉上设置的缝隙和V槽基板上的V槽使保偏光纤阵列的中心间距精确，在调整保偏光纤阵列的偏振轴时，采用泡棉粗调与手动旋转台细调相结合的方式，并通过显微镜Ⅰ观察保偏光纤的转动，即节省了成本，又能够精确控制旋转角度，还能确保保偏光纤的偏振轴位置精准。
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公开(公告)号：CN105278010B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510618901.1
申请日：2015-09-25
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC分类号： G02B3/00
摘要： 本发明公开了一种二氧化硅微透镜的制造方法，首先，确定透镜高度和光刻次数，并根据透镜高度H在每一等份高度处的水平线与微透镜表面特性函数两交点之间的距离，确定共轴圆柱堆叠结构中对应高度处的圆柱直径，然后确定每次刻蚀透镜的深度，然后采用二元光学技术，经过N次对版光刻即可形成2N级台阶结构，因而这种方法可以通过较少的光刻次数实现较多的台阶级数。本发明光刻次数少，而且可使实际制作的透镜表面形状较好地满足理论设计要求，实现透镜表面形状的工艺可控性。
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公开(公告)号：CN108572412B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810428523.4
申请日：2018-05-07
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明公开了一种高稳定性温度自适应补偿装置，包括底板和温度驱动器，底板包括移动部Ⅰ、移动部Ⅱ和旋转连接轴，移动部Ⅰ和移动部Ⅱ之间设置有间隙，旋转连接轴设置在间隙内并将移动部Ⅰ和移动部Ⅱ连接在一起；在移动部Ⅰ侧端设置有凸耳Ⅰ，在移动部Ⅱ侧端设置有凸耳Ⅱ，凸耳Ⅰ和凸耳Ⅱ相对应，温度驱动器安装在凸耳Ⅰ和凸耳Ⅱ之间，且底板的膨胀系数和温度驱动器的膨胀系数不同。本发明采用了三个或三个以上的旋转轴，实现了其高稳定性，并且旋转轴与底板上其他部分是通过挖空相关区域而直接形成的，是一个统一的整体，不需要其他任何粘接方式，从而进一步提高了其稳定性。并且本发明能自动补偿光波导器件的温度依赖性，大大降低了器件的功耗。
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