公开(公告)号：CN112563118B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202011526666.2

申请日：2020-12-22

申请人： 河南大学

发明人： 周正基 ,  袁胜杰 ,  武四新 ,  常倩倩

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/068

摘要： 本发明提供了一种In掺杂CdS薄膜、制备方法及制备的CIGS电池，步骤如下：（1）制备CIGS吸收层薄膜；（2）向硝酸镉溶液中加入氨水和硫脲溶液，混合后加入步骤（1）制备得到的CIGS吸收层薄膜，水浴加热；（3）将In(NO3)3溶液加入恒压漏斗中，稀释后逐滴滴加到水热溶液中，控制滴加速度为4 s每滴；（4）滴加完毕后，得到In掺杂CdS薄膜。本发明通过在CdS缓冲层过程中连续滴加In(NO3)3溶液，通过调节溶液中In离子的浓度和滴加速度，控制缓冲层中In、Cd的比例，制备了平整致密的In掺杂CdS薄膜。用In掺杂CdS薄膜做缓冲层的CIGS电池光电转换效率由13.43%提高到16.39%。

公开(公告)号：CN112837997B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202110011731.6

申请日：2021-01-06

申请人： 河南大学

发明人： 周正基 ,  袁胜杰 ,  徐圳 ,  武四新

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种ZnCdS薄膜的制备方法及铜锌锡硫硒太阳电池的制备方法，属于太阳电池技术领域。本发明采用化学水浴沉积法制备ZnCdS薄膜，方法简单，且制备的ZnCdS薄膜均匀致密、无针孔出现。本发明通过化学水浴沉积法在CZTSSe吸收层表面沉积ZnCdS缓冲层，继而优化ZnCdS薄膜的带隙和能级结构，ZnCdS薄膜和CZTSSe吸收层薄膜形成有利于光生载流子分离和传输的spike型界面能级结构。同时，由于ZnCdS薄膜的带隙较大，有效降低了缓冲层对短波谱段可见光的无效光吸收，增加了CZTSSe太阳电池对太阳光的利用效率，从而使CZTSSe光伏器件的光电转换效率有了明显的提高。

公开(公告)号：CN112837997A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202110011731.6

申请日：2021-01-06

申请人： 河南大学

发明人： 周正基 ,  袁胜杰 ,  徐圳 ,  武四新

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种ZnCdS薄膜的制备方法及铜锌锡硫硒太阳电池的制备方法，属于太阳电池技术领域。本发明采用化学水浴沉积法制备ZnCdS薄膜，方法简单，且制备的ZnCdS薄膜均匀致密、无针孔出现。本发明通过化学水浴沉积法在CZTSSe吸收层表面沉积ZnCdS缓冲层，继而优化ZnCdS薄膜的带隙和能级结构，ZnCdS薄膜和CZTSSe吸收层薄膜形成有利于光生载流子分离和传输的spike型界面能级结构。同时，由于ZnCdS薄膜的带隙较大，有效降低了缓冲层对短波谱段可见光的无效光吸收，增加了CZTSSe太阳电池对太阳光的利用效率，从而使CZTSSe光伏器件的光电转换效率有了明显的提高。

公开(公告)号：CN112563118A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011526666.2

申请日：2020-12-22

申请人： 河南大学

发明人： 周正基 ,  袁胜杰 ,  武四新 ,  常倩倩

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/068

摘要： 本发明提供了一种In掺杂CdS薄膜、制备方法及制备的CIGS电池，步骤如下：（1）制备CIGS吸收层薄膜；（2）向硝酸镉溶液中加入氨水和硫脲溶液，混合后加入步骤（1）制备得到的CIGS吸收层薄膜，水浴加热；（3）将In(NO3)3溶液加入恒压漏斗中，稀释后逐滴滴加到水热溶液中，控制滴加速度为4 s每滴；（4）滴加完毕后，得到In掺杂CdS薄膜。本发明通过在CdS缓冲层过程中连续滴加In(NO3)3溶液，通过调节溶液中In离子的浓度和滴加速度，控制缓冲层中In、Cd的比例，制备了平整致密的In掺杂CdS薄膜。用In掺杂CdS薄膜做缓冲层的CIGS电池光电转换效率由13.43%提高到16.39%。