一种SiC陶瓷粉体的制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113788683A

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN202111155379.X

    申请日:2021-09-29

    Abstract: 本发明提供了一种SiC陶瓷粉体的制备方法,属于无机非金属材料和纳米复合材料领域。具体制备方法的步骤为:将碳化硅微粉加入到乙醇水溶液中,超声搅拌1~2h;在上述混合溶液中配制SiO2溶胶,干燥后得到纳米包覆的碳化硅颗粒;将聚乙二醇10000加入到无水乙醇中,超声搅拌0.5~1h后,加入处理后的碳化硅颗粒,磁力搅拌1~2h,干燥后加入PVA混合均匀,密封静置后,进行制粒干燥,将这些SiC颗粒在1200~1500℃真空下进行热处理2~3h,冷却至室温后,在500~600℃进行无压热处理2~3h,得到粒度再造的SiC陶瓷粉体。本发明通过加入SiO2溶胶和聚乙二醇10000的方式,大大降低了烧结温度,并且粒度再造后的陶瓷粉体,纯度高、使用性能优良,很好的解决了废弃碳化硅粉体在陶瓷方面利用的问题。

    一种纳米结合SiC陶瓷粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN113773087A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202111155381.7

    申请日:2021-09-29

    Abstract: 本发明提供了一种纳米结合SiC陶瓷粉体的制备方法,属于无机非金属材料和纳米复合材料领域。具体制备方法的步骤为:将碳化硅微粉加入到乙醇水溶液中,超声搅拌1~2h;在上述混合溶液中配制SiO2溶胶,干燥后得到纳米包覆的碳化硅颗粒;将碳粉与处理后的碳化硅颗粒混合,机械搅拌1~2h后,加入PVA,机械搅拌1~2h,密封静置5~10h;然后将混合粉料进行制粒干燥后,在真空或保护气氛中1350~1500℃下进行热处理2~3h,冷却至室温后,在500~600℃进行无压热处理2~3h,得到粒度再造的纳米结合SiC陶瓷粉体。本发明通过加入SiO2溶胶纳米结合的方式,大大降低了烧结温度,并且粒度再造后的陶瓷粉体,纯度高、孔隙率低、使用性能优良,很好的解决了废弃碳化硅粉体在陶瓷方面再利用的问题。

    一种低温陶瓷结合SiC磨料的制备方法

    公开(公告)号:CN113913155A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202111154307.3

    申请日:2021-09-29

    Abstract: 本发明提供了一种低温陶瓷结合SiC磨料的制备方法,属于磨料制备和纳米复合材料领域。具体制备步骤为:将碳化硅微粉加入到乙醇水溶液中,超声搅拌1~2h后,将制备的低温陶瓷结合剂加入,超声搅拌1~2h;将PVA加入上述碳化硅混合粉料,机械搅拌1~2h,密封静置5~10h后;然后将混合粉料进行制粒干燥后,在600~800℃下进行热处理2~5h,得到粒度再造的低温陶瓷结合SiC磨料。碳化硅性质稳定,使用性能优良,但生产成本较高,并且在生产过程中会有较多的碳化硅粉末由于颗粒过小而无法使用,造成资源浪费。本发明通过引入低温陶瓷结合剂,显著降低了碳化硅粒度再造时的热处理温度,并且粒度再造后的低温陶瓷结合碳化硅磨料仍具有尖锐的棱角和较高的强度,磨削性能优良。

    一种类球形纳米氧化铝的制备方法

    公开(公告)号:CN114573013A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210258269.4

    申请日:2022-03-16

    Abstract: 本发明属于纳米材料领域,提供了一种类球形纳米氧化铝的制备方法,制备过程为:称取一定量浓度为0.1~0.3mol/L的硫酸铝溶液,在超声条件下加入一定量的尿素溶液和CTAB,充分溶解后在40~90℃水浴恒温搅拌,保温反应10~30min,再加入氨水调节溶液PH为8~9,继续水浴搅拌60~90min,接着在室温下陈化90~120min;完成后离心,离心产物在60~90℃干燥8~12h,于550~650℃下煅烧1~3h得到目标纳米氧化铝。本发明制得的Al2O3纯度高,相组成均一,粒径分布窄且分散性好,具有较高的填充性和流动性,能有效提高导热填料中的填充率。该制备方法简单易操作,生产成本低,对环境友好。

    一种纳米结合多孔SiC陶瓷粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN113788682A

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN202111155373.2

    申请日:2021-09-29

    Abstract: 本发明提供了一种纳米结合多孔SiC陶瓷粉体的制备方法,属于纳米材料和陶瓷及半导体应用领域。具体制备方法的步骤为:将碳化硅微粉加入到乙醇水溶液中,超声搅拌1~2h;在上述混合溶液中配制SiO2溶胶,干燥后得到纳米包覆的碳化硅颗粒;将聚乙二醇10000充分溶于无水乙醇中,然后依次加入处理后的碳化硅颗粒、碳粉,磁力搅拌1~2h后干燥,加入PVA,混合均匀密封静置后进行制粒干燥;接着在真空保护气氛中1300~1500℃下进行热处理2~3h,冷却至室温后,在500~600℃进行无压热处理2~3h,得到粒度再造的纳米结合多孔SiC陶瓷粉体。本发明通过SiO2溶胶、聚乙二醇10000、碳粉等纳米结合,解决了SiC过细粉体的再利用问题,制备出的碳化硅粉体,纯度很高、使用性能优良,可应用在半导体等领域。

    一种球状纳米氧化镁的制备方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114477246A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210273657.X

    申请日:2022-03-19

    Abstract: 本发明公开了一种球状氧化镁纳米粉体的制备方法,属于纳米材料领域,具体过程为:以四水合乙酸镁为镁源,配制浓度为0.5~2.5mol/L乙酸镁溶液,加入0.1%~1.5%的表面活性剂;在超声环境下,向上述溶液缓慢加入草酸溶液,并不断搅拌,直至形成白色溶液。放入磁力恒温搅拌仪中,于30~90℃下反应1~3h;离心,干燥,在马弗炉中于550~650℃下煅烧,待冷却后取出,得到纳米氧化镁粉体。本发明提供的方法,制得的纳米氧化镁为球状粒度均一,分散性好,无团聚;且该方法操作简单,原料价格低,设备要求低,绿色环保。

    一种纳米结合SiC磨料的制备方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113789151A

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN202111154308.8

    申请日:2021-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种纳米结合SiC磨料的制备方法,属于磨料制备及纳米复合材料领域,具体过程为:将碳化硅微粉在超声搅拌的条件下加入无水乙醇的水溶液,持续搅拌1~2h至充分分散;将正硅酸乙酯在超声搅拌的条件下加入到上述SiC的乙醇混合溶液中,持续搅拌,加入冰醋酸调节PH值至1~3,充分反应2~6h后,在80~120℃下干燥4~8h,得到纳米包覆的碳化硅颗粒;在机械搅拌的条件下向上述碳化硅颗粒中加入水玻璃,持续搅拌1~3min至混合均匀;将混合料进行造粒,在90~100℃干燥1~2h;将碳化硅颗粒料放入高温炉中,最后在900~1100℃下进行热处理1~3h,得到粒度再造的纳米结合碳化硅磨料。本发明提供的方法,解决了碳化硅粉体生产过程中产生的超细尾料再利用的问题,相对于重结晶二次生长等方法具有能耗低,工艺简单,产品性能优良等突出优点。

    一种莫来石结合SiC磨料的制备方法

    公开(公告)号:CN113773088A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202111155383.6

    申请日:2021-09-29

    Abstract: 本发明提供了一种莫来石结合SiC磨料的制备方法,属于磨料制备及纳米复合材料领域。具体制备步骤为:将碳化硅微粉加入到乙醇水溶液中,超声搅拌1~2h;制备莫来石溶胶,将SiC微粉的乙醇水溶液加入,超声搅拌1~2h,干燥后得到莫来石包覆碳化硅颗粒;接着加入PVA混合均匀,密封静置后,进行制粒,干燥后得到均匀大小的SiC颗粒;将这些碳化硅颗粒在1200~1500℃下进行热处理2~3h,得到粒度再造的莫来石结合SiC磨料。本发明通过纳米莫来石和PVA作为添加剂,一方面解决了SiC颗粒过小而无法使用的问题;另一方面少量纳米莫来石的加入,降低了烧结温度,节约了能源。这种莫来石结合的SiC磨料,有尖锐的棱角,磨削性能优良,很好的解决了颗粒过小的SiC微粉再利用的问题。

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