公开(公告)号：CN113789151A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202111154308.8

申请日：2021-09-29

Applicant: 河南工业大学

Inventor： 刘世凯 ,  宋志健 ,  陈颖鑫 ,  王嘉琳 ,  倪瑞峰 ,  赵腾飞 ,  张乐 ,  朱业晖 ,  孙亚光

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明公开了一种纳米结合SiC磨料的制备方法，属于磨料制备及纳米复合材料领域，具体过程为：将碳化硅微粉在超声搅拌的条件下加入无水乙醇的水溶液，持续搅拌1~2h至充分分散；将正硅酸乙酯在超声搅拌的条件下加入到上述SiC的乙醇混合溶液中，持续搅拌，加入冰醋酸调节PH值至1~3，充分反应2~6h后，在80~120℃下干燥4~8h，得到纳米包覆的碳化硅颗粒；在机械搅拌的条件下向上述碳化硅颗粒中加入水玻璃，持续搅拌1~3min至混合均匀；将混合料进行造粒，在90~100℃干燥1~2h；将碳化硅颗粒料放入高温炉中，最后在900~1100℃下进行热处理1~3h，得到粒度再造的纳米结合碳化硅磨料。本发明提供的方法，解决了碳化硅粉体生产过程中产生的超细尾料再利用的问题，相对于重结晶二次生长等方法具有能耗低，工艺简单，产品性能优良等突出优点。

公开(公告)号：CN109706505A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910076646.0

申请日：2019-01-26

Applicant: 河南工业大学

Inventor： 刘世凯 ,  周淑慧 ,  董柯军 ,  李云友 ,  董浩永 ,  樊志杰 ,  闫长菲 ,  冀小华 ,  赵腾飞 ,  单中霄 ,  郭子杰

IPC: C25D11/26 ,  C23C26/00 ,  C23C28/04

Abstract: 本发明提供了一种g-C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列的制备方法，属于纳米复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为：通过金属钛或钛合金的电化学阳极氧化法首先制备纳米管阵列结构；然后在马弗炉中进行晶化处理，得到TiO2纳米管阵列；再将CsPbI3纳米粒子加入g-C3N4悬浮液中，得到含CsPbI3和g-C3N4的混合溶液；最后将TiO2纳米管阵列与混合溶液反应，制备得到g-C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列。该改性处理方法在充分发挥纳米管有序阵列的优势的同时，实现了两种半导体材料的多元复合改性。制备得到的g-C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列，比表面积大，对太阳光的响应吸收范围宽，可作为高性能的复合电极，为高性能光催化剂的设计提供支撑。