公开(公告)号：CN113913155A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111154307.3

申请日：2021-09-29

Applicant: 河南工业大学

Inventor： 刘世凯 ,  宋志健 ,  陈颖鑫 ,  王嘉琳 ,  周诗婷 ,  郭子杰 ,  赵晓东 ,  李欣哲 ,  孙亚光

IPC: C09K3/14 ,  B24D3/14 ,  B24D3/34

Abstract: 本发明提供了一种低温陶瓷结合SiC磨料的制备方法，属于磨料制备和纳米复合材料领域。具体制备步骤为：将碳化硅微粉加入到乙醇水溶液中，超声搅拌1~2h后，将制备的低温陶瓷结合剂加入，超声搅拌1~2h；将PVA加入上述碳化硅混合粉料，机械搅拌1~2h，密封静置5~10h后；然后将混合粉料进行制粒干燥后，在600~800℃下进行热处理2~5h，得到粒度再造的低温陶瓷结合SiC磨料。碳化硅性质稳定，使用性能优良，但生产成本较高，并且在生产过程中会有较多的碳化硅粉末由于颗粒过小而无法使用，造成资源浪费。本发明通过引入低温陶瓷结合剂，显著降低了碳化硅粒度再造时的热处理温度，并且粒度再造后的低温陶瓷结合碳化硅磨料仍具有尖锐的棱角和较高的强度，磨削性能优良。

公开(公告)号：CN109706505A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910076646.0

申请日：2019-01-26

Applicant: 河南工业大学

Inventor： 刘世凯 ,  周淑慧 ,  董柯军 ,  李云友 ,  董浩永 ,  樊志杰 ,  闫长菲 ,  冀小华 ,  赵腾飞 ,  单中霄 ,  郭子杰

IPC: C25D11/26 ,  C23C26/00 ,  C23C28/04

Abstract: 本发明提供了一种g-C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列的制备方法，属于纳米复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为：通过金属钛或钛合金的电化学阳极氧化法首先制备纳米管阵列结构；然后在马弗炉中进行晶化处理，得到TiO2纳米管阵列；再将CsPbI3纳米粒子加入g-C3N4悬浮液中，得到含CsPbI3和g-C3N4的混合溶液；最后将TiO2纳米管阵列与混合溶液反应，制备得到g-C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列。该改性处理方法在充分发挥纳米管有序阵列的优势的同时，实现了两种半导体材料的多元复合改性。制备得到的g-C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列，比表面积大，对太阳光的响应吸收范围宽，可作为高性能的复合电极，为高性能光催化剂的设计提供支撑。