g-C3N4复合TiO2纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN109772417A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910161047.9

    申请日:2019-03-04

    Abstract: 本发明提供了g-C3N4复合TiO2纳米线的制备方法,属于纳米复合新材料技术领域。具体制备方法的步骤为:通过热聚合法制备TiO2纳米线;通过水热法制备钛酸盐纳米线;对所制备的钛酸盐纳米线进行离子交换和晶化处理,得到TiO2纳米线;对所制备的TiO2纳米线进行g-C3N4的复合,制备得到一种g-C3N4复合的TiO2纳米线。该复合材料可充分发挥一维纳米结构的优势,有效抑制电子-空穴的分离,也可发挥g-C3N4的优点,大大提高复合材料的化学稳定性,明显拓宽光吸收范围,显著增强光催化活性。

    一种g-C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN109706505A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201910076646.0

    申请日:2019-01-26

    Abstract: 本发明提供了一种g-C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列的制备方法,属于纳米复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为:通过金属钛或钛合金的电化学阳极氧化法首先制备纳米管阵列结构;然后在马弗炉中进行晶化处理,得到TiO2纳米管阵列;再将CsPbI3纳米粒子加入g-C3N4悬浮液中,得到含CsPbI3和g-C3N4的混合溶液;最后将TiO2纳米管阵列与混合溶液反应,制备得到g-C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列。该改性处理方法在充分发挥纳米管有序阵列的优势的同时,实现了两种半导体材料的多元复合改性。制备得到的g-C3N4/CsPbI3/TiO2纳米管阵列,比表面积大,对太阳光的响应吸收范围宽,可作为高性能的复合电极,为高性能光催化剂的设计提供支撑。

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