一种改良高比容量富锂锰基正极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN117023654A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310938498.5

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本发明公开一种改良高比容量富锂锰基正极材料的制备方法,包括下述步骤:根据应制得的材料,按照富锂锰基正极材料化学式中比例称取相关的金属盐,将金属盐溶解在去离子水中,加入硝酸,用磁力搅拌器搅拌;将丙烯酸滴加入上述水溶液中,用磁力搅拌器搅拌;将上述溶液于烘箱静置,使得水分蒸发、丙烯酸聚合、盐溶液等分解形成膨胀的干溶胶;将干溶胶研磨成细小粉末,置入马弗炉中烧结,再次研磨后置于马弗炉中煅烧;研磨过筛,即得到改良后的富锂锰基正极材料。本发明采用丙烯酸热聚合法所制备的材料颗粒结晶良好,电化学测试所得数据更佳。

    一种氮掺杂还原氧化石墨烯负载磷化镍复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114784243B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202210406575.8

    申请日:2022-04-18

    Abstract: 本发明属于钠离子电池电极材料领域,具体涉及一种氮掺杂还原氧化石墨烯负载磷化镍复合材料及其制备方法。本发明的制备方法,以氨基三亚甲基膦酸同时作为磷源和氮源,氧化石墨烯为碳源,经过简单高效的两步热处理,制得氮掺杂的还原氧化石墨烯负载磷化镍的复合材料。本发明制备过程简单、合成条件温和,适宜大规模的批量生产,具有较好的工业应用前景。同时,本发明制得的复合材料中,还原氧化石墨烯作为包覆碳,同时进行氮元素掺杂,不仅可以提高复合材料的导电性和钠离子存储能力,还可以缓解磷化镍在电化学充放电过程中的粉化,有效改善复合材料的倍率性能,非常适合用作钠离子电池电极材料。

    萘四甲酸酐@还原氧化石墨烯复合材料、制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116470046A

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202310236444.4

    申请日:2023-03-13

    Abstract: 本发明属于钾离子电池电极材料技术领域,具体涉及一种萘四甲酸酐@还原氧化石墨烯复合材料、制备方法和应用。本发明提供的萘四甲酸酐@还原氧化石墨烯复合材料的制备方法,以萘四甲酸酐和还原氧化石墨烯为前驱体,经过简单高效的超声辅助处理和低温热还原,制得萘四甲酸酐@还原氧化石墨烯复合材料,复合材料中,还原氧化石墨烯与萘四甲酸酐通过π‑π相互作用紧密结合,一方面可以提高萘四甲酸酐的导电性,降低萘四甲酸酐在有机电解液中的溶解性;另一方面可以使萘四甲酸酐暴露更多的活性位点,提升钾离子存储能力,适于用作钾离子电池正极电极材料。

    一种氮掺杂还原氧化石墨烯负载磷化镍复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114784243A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210406575.8

    申请日:2022-04-18

    Abstract: 本发明属于钠离子电池电极材料领域,具体涉及一种氮掺杂还原氧化石墨烯负载磷化镍复合材料及其制备方法。本发明的制备方法,以氨基三亚甲基膦酸同时作为磷源和氮源,氧化石墨烯为碳源,经过简单高效的两步热处理,制得氮掺杂的还原氧化石墨烯负载磷化镍的复合材料。本发明制备过程简单、合成条件温和,适宜大规模的批量生产,具有较好的工业应用前景。同时,本发明制得的复合材料中,还原氧化石墨烯作为包覆碳,同时进行氮元素掺杂,不仅可以提高复合材料的导电性和钠离子存储能力,还可以缓解磷化镍在电化学充放电过程中的粉化,有效改善复合材料的倍率性能,非常适合用作钠离子电池电极材料。

    一种三明治多层高熵无铅电介质材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN119462080A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411646319.1

    申请日:2024-11-18

    Abstract: 本发明提出了一种三明治多层高熵无铅电介质材料及其制备方法,属于储能陶瓷的技术领域,用以解决多层陶瓷烧结不致密、耐击穿场强不高、储能性能较低的技术问题。本发明三明治多层高熵无铅电介质材料包括上下介质层和中间的高熵介电陶瓷层;所述上下介质层的材料均为Mg2SiO4,高熵介电陶瓷层的材料为Ba0.2Sr0.2Na0.2Bi0.2Ca0.2Ti0.25Nb0.25Zr0.25Mg0.25O3。本发明制备的三明治多层高熵无铅电介质材料具有较高的致密度,具有较高的耐击穿场强和较高的介电性能、储能密度及良好的放电效率,耐击穿场强达1200kV/cm,最大储能密度达6J/cm3,同时具有较好的温度稳定性。该方法具有简单易行、成本低、方便快速、可大规模化生产等优点。

    一种高储能密度AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN119430929A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411817919.X

    申请日:2024-12-11

    Abstract: 本发明提出了一种高储能密度AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷及其制备方法,属于陶瓷材料的技术领域,用以解决储能陶瓷耐击穿场强和储能密度低的技术问题。本发明采用B位离子掺杂结合第二相复合的方法提升铌酸银陶瓷的储能性能,首先通过微波水热反应法制备AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3和ZrSiO4纳米粉体,利用震荡压力烧结法获得AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷。本发明制备的高储能密度AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷具有较高的耐击穿场强和较高的介电性能、储能密度及良好的放电效率,耐击穿场强达750kV/cm,最大储能密度达7.73J/cm3,同时具有较好的温度稳定性。该方法制备的AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷具有成本低、纳米级颗粒、储能性能优异等优点,适合大规模生产,在脉冲功率储能电容器展现出良好的应用前景。

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