一种磁性隧道结及基于磁性隧道结的NSOT-MRAM装置

    公开(公告)号:CN111384235B

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202010203338.2

    申请日:2020-03-20

    Abstract: 一种磁性隧道结及基于磁性隧道结的NSOT‑MRAM装置,包括磁性固定层、反铁磁自由层、绝缘层和缓冲层;绝缘层位于磁性固定层和反铁磁自由层之间,一层缓冲层位于绝缘层与磁性固定层之间,另一缓冲层位于绝缘层与反铁磁自由层之间;磁性固定层和反铁磁自由层的磁化方向垂直指向面外或平行于面内。本发明的器件工作频率高,在THz量级,远高于基于铁磁性自由层的MRAM装置的工作频率。

    一种反铁磁结构及基于反铁磁结构的磁随机存储器

    公开(公告)号:CN112652701A

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN202011291706.X

    申请日:2020-11-17

    Abstract: 本发明公开了一种反铁磁结构及基于反铁磁结构的磁随机存储器,以及使用自旋轨道矩进行数据擦写的自旋轨道矩‑反铁磁磁性随机存储器,其包含磁性固定层,缓冲层,绝缘层,重金属缓冲层,反铁磁自由层和非磁性重金属层,其中反铁磁自由层可以通过在非磁性重金属层和重金属缓冲层中施加两个独立的横向电流来调控其反铁磁序。所述装置的特点是在重金属缓冲层中施加的电流固定不变,仅需改变施加在非磁性重金属层上的电流就可以实现上述磁结构的磁性固定层的磁序和反铁磁自由层的反铁磁序在两个不同夹角之间的相互转变。在电流作用下实现数据的稳定写入,结构简单,具有功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。

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