公开(公告)号：CN118160103A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280067393.0

申请日：2022-10-05

申请人： 洛克利光子有限公司

发明人： 杨华 ,  M·德尔奈卡 ,  F·皮特斯 ,  余国民

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L33/00

摘要： 用于微转移印刷工艺中的源晶片。所述源晶片包含：晶片衬底；在器件试样中提供的光子组件，所述器件试样经由释放层附接到所述晶片衬底；和一个或多个蚀刻停止层，其位于所述光子组件和所述晶片衬底之间。

公开(公告)号：CN117677889A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202280043061.9

申请日：2022-06-16

申请人： 洛克利光子有限公司

发明人： A·托马斯 ,  A·本佐尼 ,  J·利维 ,  T·P·施兰斯 ,  A·特里塔 ,  余国民 ,  A·J·齐尔基

IPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/015 ,  G02B6/12

摘要： 一种光子芯片。在一些实施例中，光子芯片包括：波导；以及包括波导的一部分的光学活性装置。波导可具有：处于光子芯片的第一边缘的第一端；以及第二端，并且波导在第一端与第二端之间的各处可具有曲率的变化率，曲率的变化率具有不超过2000/mm2的大小。

公开(公告)号：CN110870084B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN201880040440.6

申请日：2018-08-20

申请人： 洛克利光子有限公司

发明人： 余国民 ,  H.阿贝迪亚斯尔 ,  A.J.齐尔基

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/0224

摘要： 一种光电子装置以及一种制作光电子装置的方法。所述装置包括：脊形波导，所述脊形波导由掺杂硅形成，所述掺杂波导具有脊突部分，所述脊突部分含有最上表面和两个侧壁表面；以及与所述两个侧壁表面相邻的厚片部分。所述装置还包括：金属接触层，所述金属接触层直接邻接所述最上表面和所述两个侧壁表面，并且所述金属接触层沿着所述厚片部分的一部分延伸以便在所述金属接触层与所述脊形波导之间提供肖特基势垒。

公开(公告)号：CN115605803A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202080096357.8

申请日：2020-12-11

申请人： 洛克利光子有限公司(GB)

发明人： A·J·齐尔基 ,  H·阿贝迪亚斯 ,  C·达尔维 ,  J·德里斯科尔 ,  A·贡达连科 ,  R·格罗特 ,  H·F·琼斯 ,  S·梅里特 ,  R·帕尔萨 ,  P·佩雷亚 ,  A·G·里克曼 ,  A·斯科菲尔德 ,  余国民

IPC分类号： G02F1/025 ,  G02B6/00 ,  G02B27/00 ,  G02B27/01 ,  G02F1/225

摘要： 一种适用于可穿戴装置的光学感测模块，所述光学感测模块包括：硅或氮化硅发射器光子集成电路(PIC)，所述发射器PIC包括：多个激光器，所述多个激光器中的每个激光器在与其他激光器的波长不同的波长下工作；光学操纵区域，所述光学操纵区域包括以下各项中的一者或多者：光调制器、光学多路复用器(MUX)和附加光学操纵元件；以及针对源自所述多个激光器的光的一个或多个光学输出。

公开(公告)号：CN109791314B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201780042308.4

申请日：2017-07-07

申请人： 洛克利光子有限公司

发明人： 余国民

IPC分类号： G02F1/017

摘要： 电吸收调制器。调制器包括SOI波导；有源区，所述有源区包括多量子阱（MQW）区；以及耦合器，用于将SOI波导耦合到有源区。耦合器包括：过渡波导耦合区；缓冲波导耦合区；以及锥形区；其中，过渡波导耦合区耦合SOI波导与缓冲波导耦合区之间的光；以及缓冲波导耦合区经由锥形区耦合过渡波导区与有源区之间的光。

公开(公告)号：CN112219158A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201980033299.1

申请日：2019-05-14

申请人： 洛克利光子有限公司

发明人： 余国民 ,  A·J·齐尔基

IPC分类号： G02F1/017 ,  G02F1/015

摘要： 一种光电有源器件，包括：绝缘体上硅(SOI)衬底，所述SOI衬底包括硅基底层、在所述硅基底层的顶部上的掩埋氧化物(BOX)层、在所述BOX层的顶部上的绝缘体上硅(SOI)层和衬底空腔，所述衬底空腔延伸穿过所述SOI层、所述BOX层并延伸到所述硅基底层中，使得所述衬底空腔的基部由所述硅基底层的一部分形成；光电有源波导，所述光电有源波导包括在所述衬底空腔内的光电有源堆叠体；以及缓冲区域，所述缓冲区域在所述衬底空腔内处于所述光电有源波导下方，所述缓冲区域包括Ge层和GaAs层。

公开(公告)号：CN112204459A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980028386.8

申请日：2019-02-26

申请人： 洛克利光子有限公司

发明人： 余国民 ,  A·J·齐尔基

IPC分类号： G02F1/017 ,  G02F1/025

摘要： 一种光电子设备，包括：绝缘体上硅（SOI）衬底，衬底包括：硅支撑层；在硅支撑层的顶部上的掩埋氧化物（BOX）层；以及在BOX层的顶部上的硅设备层；波导区，其中硅设备层的一部分和BOX层的在该设备层的该部分下方的一部分已经被去除，BOX层的该部分已经用在硅的顶部上的结晶氧化物的层和硅层替代；以及波导结构，其直接位于结晶氧化物层的顶部上，波导结构包括P掺杂区和N掺杂区，P掺杂区和N掺杂区中间具有本征区，从而产生PIN结，跨PIN结能够施加偏压以产生调制区。

公开(公告)号：CN110494800A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880013964.6

申请日：2018-03-22

申请人： 洛克利光子有限公司 ,  南安普敦大学

发明人： 余国民 ,  A.J.齐尔基 ,  张毅 ,  D.J.汤姆森

IPC分类号： G02F1/225 ,  G02F1/01

摘要： 一种操作光学调制器的方法。所述光学调制器具有：肋形波导，所述肋形波导包括为PIN或PN结的结，所述结具有击穿电压。所述方法包括：向所述结施加反向偏压，以便在所述结的所述击穿电压附近操作所述光学调制器；通过增大所述反向偏压超过所述击穿电压，以雪崩倍增和/或带间隧穿模式操作所述调制器。

公开(公告)号：CN110325900B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN201780074560.3

申请日：2017-12-01

申请人： 洛克利光子有限公司

发明人： H.阿贝戴斯尔 ,  D.莱罗塞 ,  A.S.纳格拉 ,  余国民

IPC分类号： G02F1/025

摘要： 一种包括肋形波导区域的波导光电器件，以及制造肋形波导区域的方法，所述肋形波导区域具有：基部，所述基部由第一材料形成；以及脊，所述脊从所述基部延伸，所述脊的至少一部分由不同于所述基部的所述材料的所选取半导体材料形成，其中所述硅基部包括位于所述脊的第一侧的第一平板区域和位于所述脊的第二侧的第二平板区域；并且其中：第一掺杂区域沿着所述第一平板区域并沿着所述脊的第一侧壁延伸，所述第一侧壁接触所述第一平板区域；并且第二掺杂区域沿着所述第二平板区域并沿着所述脊的第二侧壁延伸，所述第二侧壁接触所述第二平板区域。

公开(公告)号：CN114391122A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202080063642.X

申请日：2020-09-04

申请人： 洛克利光子有限公司

发明人： 余国民

IPC分类号： G02F1/225 ,  G02F1/025 ,  H01L31/0352

摘要： 一种光电子器件，包括光波导，所述光波导形成在绝缘体上硅晶片的硅器件层中。所述光波导包括半导体结，所述半导体结包括半导体材料的第一掺杂区和半导体材料的第二掺杂区。所述第二掺杂区包含与所述第一掺杂区不同种类的掺杂剂。所述第一掺杂区的第一部分在所述第二掺杂区的顶部上水平地延伸，所述第一掺杂区的第二部分沿着所述第二掺杂区的横向侧竖直地延伸，并且所述第一掺杂区的第三部分作为突出部从所述第一掺杂区的所述第一部分或所述第二部分突出到所述第二掺杂区中。