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公开(公告)号：CN110291450B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201780074837.2
申请日：2017-12-01
申请人： 洛克利光子有限公司
摘要： 一种波导装置和掺杂波导装置的方法，所述波导装置包括肋形波导区，所述肋形波导区具有：基底，以及从所述基底延伸的脊状物，其中：所述基底包括在所述脊状物的第一侧处的第一平板区，和在所述脊状物的第二侧处的第二平板区；第一掺杂平板区沿着所述第一平板区延伸；第二掺杂平板区沿着所述第二平板区延伸；第一掺杂侧壁区沿着所述脊状物的第一侧壁并且沿着所述第一平板的一部分延伸，所述第一掺杂侧壁区在第一平板界面处与所述第一掺杂平板区接触；并且第二掺杂侧壁区沿着所述脊状物的第二侧壁并且沿着所述第二平板的一部分延伸，所述第二掺杂侧壁区在第二平板界面处与所述第二掺杂平板区接触；并且其中所述脊状物的所述第一侧壁与所述第一平板界面之间的间隔不多于10μm；并且其中所述脊状物的所述第二侧壁与所述第二平板界面之间的间隔不多于10μm。
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公开(公告)号：CN110320594B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201910286038.2
申请日：2019-03-29
申请人： 洛克利光子有限公司
摘要： 一种镜子及其制造方法，所述方法包括：提供绝缘体上硅衬底，所述衬底包括：硅支撑层；在所述硅支撑层顶部的掩埋氧化物（BOX）层；在所述BOX层顶部的硅器件层；在所述硅器件层中形成通孔，所述通孔延伸到所述BOX层；从所述通孔处开始蚀刻掉所述BOX层的一部分，并沿第一方向背离所述通孔横向延伸，以在所述硅器件层和所述硅支撑层之间形成沟道；通过所述沟道将各向异性蚀刻施加到与所述沟道相邻的所述硅器件层和所述硅支撑层的区域；所述各向异性蚀刻跟随所述硅器件层和所述硅支撑层的取向平面，以在所述硅器件层的悬垂部分下方形成空腔；所述悬垂部分限定平坦的下侧表面，用于将光竖直地耦合进出所述硅器件层；以及将金属涂层施加在所述下侧表面上。
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公开(公告)号：CN117664329A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311331916.0
申请日：2018-07-03
申请人： 洛克利光子有限公司
摘要： 可重新配置的光谱学系统包括可调谐激光器和锁定准确的参考波长的波长锁定器。具有不同优化波长范围的频带组合器在时域上多路复用光学信号，以发射用于光谱学应用的多个参考波长。通过在不影响光谱学数据的采样和接收的时隙中的时域上进行多路复用大大降低了功率要求。
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公开(公告)号：CN109564362B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201780038799.5
申请日：2017-11-23
申请人： 洛克利光子有限公司
摘要： 本文公开了一种光电装置以及制造所述光电装置的方法。所述装置包括：衬底；位于所述衬底顶部的外延结晶包层；以及在所述外延结晶包层上方的光学有源区；其中所述外延结晶包层的折射率小于所述光学有源区的折射率，使得所述光电装置的光功率被限制在所述光学有源区。(56)对比文件CN 112074779 A,2020.12.11US 2011170819 A1,2011.07.14WO 2015122022 A1,2015.08.20US 2013195397 A1,2013.08.01JP 2011232567 A,2011.11.17JP 2005300678 A,2005.10.27US 5581396 A,1996.12.03CN 102162137 A,2011.08.24US 2013051727 A1,2013.02.28US 2013182305 A1,2013.07.18刘颂豪等“.硅锗光波导”《.光子学技术与应用》.广东科技出版社,2006,第478-479页.孙桂林 等.“半导体激光器生长新工艺”.《激光与光电子学进展》.1993,(第2期),全文.李亚明;李晶.新型紧凑硅基电光调制器研究.无线电通信技术.2016,(第04期),全文.宋世娇;安俊明;胡雄伟.slot波导包覆层对功率密度的影响.半导体光电.2010,(第05期),全文.赵丽亚;王乐;杨妍;刘克.InP基矩形马赫-曾德高速电光调制器行波电极设计与测试.光子学报.2017,(第05期),全文.
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公开(公告)号：CN109564362A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780038799.5
申请日：2017-11-23
申请人： 洛克利光子有限公司
摘要： 本文公开了一种光电装置以及制造所述光电装置的方法。所述装置包括：衬底；位于所述衬底顶部的外延结晶包层；以及在所述外延结晶包层上方的光学有源区；其中所述外延结晶包层的折射率小于所述光学有源区的折射率，使得所述光电装置的光功率被限制在所述光学有源区。
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公开(公告)号：CN109477983A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780038875.2
申请日：2017-12-15
申请人： 洛克利光子有限公司
IPC分类号： G02F1/01
CPC分类号： H04B10/541 , G02F1/0121 , G02F1/0147 , G02F1/015 , G02F1/025 , G02F2001/0157 , G02F2201/063 , G02F2201/16 , H04B10/524
摘要： 一种光电器件。所述光电器件能操作以提供PAM-N调制输出，所述器件包括：M个光调制器，M是大于1的整数，所述M个光调制器以级联方式排列，所述器件被配置为在N个不同透射率状态下作为PAM-N调制器来操作，其中，在所述N个不同透射率状态中的每个透射率状态下，所述M个光调制器中的每一个具有向其施加的等于以下之一的相应控制电压：第一电压或第二电压。
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公开(公告)号：CN108476080A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680064566.8
申请日：2016-11-04
申请人： 洛克利光子有限公司
IPC分类号： H04J14/02 , H04Q11/00 , H04L12/931
CPC分类号： H04Q11/0005 , H04Q2011/0016 , H04Q2011/0024 , H04Q2011/0032 , H04Q2011/0039 , H04Q2011/005 , H04Q2011/0056
摘要： 一种用于将光信号从输入装置传输到输出装置的L维光电子交换机，所述光电子交换机包括：多个叶交换机，每个叶交换机具有基数R，并且以L维阵列布置，其中每个维度i具有相应尺寸Ri(i=1、2、...、L)，每个叶交换机具有带坐标的相关联L元组(x1、...、xL)，从而给出其相对于L个维度中的每一者的位置；其中每个叶交换机是L个子阵列的成员，所述L个子阵列中的每一者与所述L个维度中的不同维度相关联，并且包括：多个Ri叶交换机，其坐标仅在第i维上存在差别，每个叶交换机具有用于连接到输入装置或输出装置的C个客户端端口以及用于连接到脊交换机的F个架构端口；多个Si脊交换机，每个脊交换机具有用于连接到所述叶交换机的所述架构端口的R个架构端口，并且其中在给定的子阵列中，所述子阵列中的每个叶交换机经由光有源交换机连接到每个脊交换机。
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