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公开(公告)号：CN109951171B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201910231620.9
申请日：2019-03-26
申请人： 浙江华远微电科技有限公司 , 北京中讯四方科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器制备方法。所述薄膜体声波谐振器制备方法包括步骤有：在衬底的一表面上进行刻蚀处理，形成凹槽；向所述凹槽内形成牺牲层、在所述牺牲层的表面和所述衬底的所述表面上形成支撑层；沿所述衬底向支撑层的延伸方向，在所述支撑层的表面上依次形成第一底电极层、温飘层、第二底电极层、压电层和顶电极层；释放所述牺牲层处理，形成封闭的空腔。所述滤波器制备方法包括按照所述薄膜体声波谐振器的制备方法进行制备薄膜体声波谐振器的步骤。所述薄膜体声波谐振器的制备方法赋予制备的所述薄膜体声波谐振器损耗和温飘低、温度系数小、功率承受力和工作频率以及机电耦合系数高、兼容性好，具有很好的Q值。
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公开(公告)号：CN109756201A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910231636.X
申请日：2019-03-26
申请人： 深圳华远微电科技有限公司 , 北京中讯四方科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和薄膜体声波滤波器。本发明薄膜体声波谐振器包括硅衬底、支撑层、第一底电极层、温飘层和三明治压电堆结构，所述支撑层层叠结合在所述衬底的开设有所述凹槽的所述表面上，并由所述支撑层和凹槽围合成封闭的空腔，所述第一底电极层层叠结合在所述支撑层的背离所述衬底的表面上，所述温飘层叠结合在所述第一底电极的背离所述支撑层的表面上，所述三明治压电堆结构层叠在所述温飘层的背离所述第一底电极层的表面上。所述薄膜体声波滤波器包括所述薄膜体声波谐振器。本发明薄膜体声波滤波器和谐振器耗低、温度系数小、温飘低、功率承受力高、工作频率高、机电耦合系数高、兼容性好，而且具有很好的Q值。
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公开(公告)号：CN109951171A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910231620.9
申请日：2019-03-26
申请人： 深圳华远微电科技有限公司 , 北京中讯四方科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器制备方法。所述薄膜体声波谐振器制备方法包括步骤有：在衬底的一表面上进行刻蚀处理，形成凹槽；向所述凹槽内形成牺牲层、在所述牺牲层的表面和所述衬底的所述表面上形成支撑层；沿所述衬底向支撑层的延伸方向，在所述支撑层的表面上依次形成第一底电极层、温飘层、第二底电极层、压电层和顶电极层；释放所述牺牲层处理，形成封闭的空腔。所述滤波器制备方法包括按照所述薄膜体声波谐振器的制备方法进行制备薄膜体声波谐振器的步骤。所述薄膜体声波谐振器的制备方法赋予制备的所述薄膜体声波谐振器损耗和温飘低、温度系数小、功率承受力和工作频率以及机电耦合系数高、兼容性好，具有很好的Q值。
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公开(公告)号：CN209642637U
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201920389026.8
申请日：2019-03-26
申请人： 深圳华远微电科技有限公司 , 北京中讯四方科技股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种薄膜体声波谐振器和薄膜体声波滤波器。本实用新型薄膜体声波谐振器包括硅衬底、支撑层、第一底电极层、温飘层和三明治压电堆结构，所述支撑层层叠结合在所述衬底的开设有所述凹槽的所述表面上，并由所述支撑层和凹槽围合成封闭的空腔，所述第一底电极层层叠结合在所述支撑层的背离所述衬底的表面上，所述温飘层叠结合在所述第一底电极的背离所述支撑层的表面上，所述三明治压电堆结构层叠在所述温飘层的背离所述第一底电极层的表面上。所述薄膜体声波滤波器包括所述薄膜体声波谐振器。本实用新型薄膜体声波滤波器和谐振器耗低、温度系数小、温飘低、功率承受力高、工作频率高、机电耦合系数高、兼容性好，而且具有很好的Q值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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