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公开(公告)号：CN115224134A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210792791.0
申请日：2022-07-05
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0336 , H01L31/109 , G02B6/10
Abstract: 本发明公开了一种混合波导集成二维材料中红外光电探测器。包括蓝宝石衬底；硅波导传输层形成在蓝宝石衬底之上；二维材料层位于硅波导传输层的中部上；硫系条形波导形成在二维材料层的中间上；两个电极形成在二维材料层的两侧上；硫系盖层形成在硅波导传输层上，且包覆二维材料层、硫系条形波导和电极。本发明是中红外低损的蓝宝石‑硅‑硫系材料混合波导结构，二维材料通过范德华力易于集成且室温下工作优势，通过极大的增强光与物质相互作用。
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公开(公告)号：CN115185109A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210798635.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种中红外移相器。包括衬底；平板光波导形成在衬底之上；图形化加热层位于平板光波导的中部上；脊波导形成在平板光波导和图形化加热层的中间上；两个图形化电极分别形成在图形化加热层的两侧上；包层形成脊波导上。本发明将中红外光信号经输入波导输入移相器件，通过加热控制结构给石墨烯通电产生热能加热波导，调制波导的折射率从而改变经过移相器的光信号的输出相位，解决了传统绝缘体上硅基器件在中红外损耗过大无法工作的问题。
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公开(公告)号：CN115224134B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202210792791.0
申请日：2022-07-05
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0336 , H01L31/109 , G02B6/10
Abstract: 本发明公开了一种混合波导集成二维材料中红外光电探测器。包括蓝宝石衬底；硅波导传输层形成在蓝宝石衬底之上；二维材料层位于硅波导传输层的中部上；硫系条形波导形成在二维材料层的中间上；两个电极形成在二维材料层的两侧上；硫系盖层形成在硅波导传输层上，且包覆二维材料层、硫系条形波导和电极。本发明是中红外低损的蓝宝石‑硅‑硫系材料混合波导结构，二维材料通过范德华力易于集成且室温下工作优势，通过极大的增强光与物质相互作用。
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公开(公告)号：CN115598869A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210792816.7
申请日：2022-07-05
Applicant: 浙江大学(CN)
Abstract: 本发明公开了一种混合波导集成石墨烯中红外电光调制器。包括蓝宝石衬底；硅波导传输层形成在蓝宝石衬底之上；第一石墨烯层位于硅波导传输层的一侧上；第一石墨烯层控制电极布置连接在第一石墨烯层之上；硫系介质层形成在硅波导传输层上，包覆第一石墨烯层；第二石墨烯层位于硫系介质层的一侧上；第二石墨烯层控制电极布置在第二石墨烯层上；包括硫系条形波导形成在第二石墨烯层上；硫系盖层形成在硫系介质层上，包覆第二石墨烯层和硫系条形波导。本发明支持3‑5μm波段的信号光进行低损传输和调制，本发明使用硅平板层与硫系条形波导构成混合脊型波导结构，石墨烯层可集成在TE0模式的场强极大值处，降低了光功耗。
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公开(公告)号：CN115509031A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210791866.3
申请日：2022-07-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种混合波导集成石墨烯中红外全光调制器。包括蓝宝石衬底，硅波导传输层形成在蓝宝石衬底之上；石墨烯层或者硫系条形波导位于硅波导传输层上，石墨烯层位于硫系条形波导上表面或者下表面；硫系条形波导形成在石墨烯层上；硫系材料层形成在蓝宝石衬底或者硅波导传输层上，用于包覆硅波导传输层、石墨烯层、硫系条形波导。本发明基于中红外低损的蓝宝石‑硅‑硫系材料混合波导结构，灵活集成石墨烯，极大增强光与物质相互作用，同时利用石墨烯的超快速可饱和吸收效应。
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