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公开(公告)号：CN118502076A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410561649.4
申请日：2024-05-08
申请人： 浙江大学 , 杭州利珀科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种大视场高分辨率斜投影镜头及应用，包括沿光传播方向依次布置的第一球面透镜、第二球面透镜、第三柱透镜、第四柱透镜、第五球面透镜、第六球面透镜；其中，第一球面透镜和第二球面透镜为正光焦度球面透镜，第三柱透镜为正光焦度柱透镜，第四柱透镜为负光焦度柱透镜，第五球面透镜为负光焦度球面透镜，第六球面透镜为正光焦度球面透镜；第三柱透镜和第四柱透镜的母线方向保持平行，且均平行于芯片长边；第三柱透镜和第四柱透镜只用于控制一个Y方向的光焦度，无需控制X方向的光焦度。利用本发明，可以解决大尺寸方形样品检测时投影光源画幅浪费的问题，实现投影镜头的大倍率和投影光源全画幅覆盖样品。
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公开(公告)号：CN117953062A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410139097.8
申请日：2024-01-31
申请人： 浙江大学 , 杭州利珀科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于点阵拟合的BGA芯片定位和检测方法，包括：S1：获取BGA芯片图像，进行预处理和连通域提取，标记每个锡球连通域区域；S2：对原图上的锡球区域进行Blob分析；S3：对Blob分析得到的结果进行点阵拟合，获得锡球标识阵列；S4：求解点阵拟合后的边界点集拟合的边界直线的最小包围矩形，求出芯片位置和角度；S5：根据最小包围矩形生成ROI坐标系，求出ROI坐标系和图像坐标系的变换关系；S6：根据步骤S3、S5获得的锡球标识阵列和锡球中心点位置坐标，计算锡球阵列的间距PI和锡球阵列中每个锡球的中心偏移值RO；S7：对比结果和阈值范围，判断芯片是否合格。本发明可以解决在光照条件差的情况下的芯片定位问题以及适配多种BGA芯片的缺陷检测。
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公开(公告)号：CN116027616A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310177371.6
申请日：2023-02-28
申请人： 浙江大学 , 杭州利珀科技有限公司
IPC分类号： G03B15/02 , F21V21/14 , G01N21/892 , G01N21/01
摘要： 本发明公开了一种冷轧钢在线检测多向线性照明装置及其应用，包括上表面照明主体、下表面照明主体和连接结构；上表面照明主体和下表面照明主体的结构相同，均包括由阵列连接件固定的若干个照明单元；每个照明单元包括由散热片、壳体和出光口组成的外壳以及在壳体内设置的LED阵列、聚光器件、横向光栅、匀化器件和纵向光栅；LED阵列由一字排列的若干RGB LED灯珠组成；聚光器件用于将LED阵列产生的光进行汇聚；横向光栅用于消除照明单元内的杂散光；匀化器件用于对经过横向光栅的光进行匀化；纵向光栅用于将光源整形成与物体运动方向相垂直的纵向交叉光。利用本发明，可根据冷轧钢等长带状产品幅宽和表面反射特性等特点灵活调整以此提供合适的照明。
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公开(公告)号：CN102569295B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210060501.X
申请日：2012-03-09
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种基于电容辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区连接有第一电容，第一电容的另一端与第一金属电极相连；第二N+有源注入区连接有第二电容，第二电容的另一端与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用电容作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于深亚微米工艺下的片上ESD防护，尤其可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。
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公开(公告)号：CN102544067B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210060504.3
申请日：2012-03-09
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种基于NMOS管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和四个NMOS管；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区与第二NMOS管相连，第一NMOS管与第一金属电极相连；第二N+有源注入区与第三NMOS管相连，第四NMOS管与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用NMOS管作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。
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公开(公告)号：CN101922290B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201010251520.1
申请日：2010-08-12
申请人： 浙江大学
IPC分类号： E21C35/08 , E21C35/10 , E21C35/187 , E21C25/06
摘要： 在煤矿井下开采过程中，既需要努力提高煤炭采出率，又必须尽可能避免采煤机滚筒截齿切割到顶板岩层而损坏设备甚至引发事故，因此需要在线识别煤层与岩层的分界面。本发明提供了一种煤岩界面识别方法、识别系统及识别探头，通过将能够穿透煤层而不能穿透岩层的特定能级的高压水射流向巷道上方的煤层喷射，并实时感知被煤层或岩层反射的反射流对喷嘴形成的不同作用力，控制器据此判断采煤机滚筒截齿上端与煤岩界面的距离，实现采煤机摇臂自动调高控制，使煤炭开采过程实现高采出率、低机械磨损率、自动化作业等目标。本发明提出的煤岩界面识别方法、识别系统及识别探头，具有低成本、高适应性、高可靠性、本质安全等优点。
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公开(公告)号：CN102254911B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110195355.7
申请日：2011-07-13
申请人： 浙江大学
CPC分类号： H01L29/87
摘要： 本发明公开了一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件，通过优化可控硅与二极管的连接和布局，利用二极管串形成的寄生可控硅路径来实现二极管辅助触发的可控硅的二次导通，提高可控硅钳位电压时钳位点的电流值来避免闩锁效应的发生。本发明结构简单，电流均匀，器件强壮性好，稳定可靠。相比传统基于二极管和MOS管的ESD防护方案，本发明有着面积效率上的优势；相比传统二极管辅助触发的可控硅防护方案，本发明有着低闩锁风险的优势。
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公开(公告)号：CN102543963A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210028373.0
申请日：2012-02-09
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L23/62
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种基于多级电流镜的ESD侦测箝位电路，包括RC延时电路；RC延时电路中的电容的一端连接有第二电流镜和第三电流镜，另一端连接有第一电流镜，第二电流镜分别与第一电流镜和第三电流镜相连。本发明通过多级电流镜原理将RC延时电路中RC节点处的位移电流放大，使得RC的阻值和容值大大降低，大大减少了RC版图的芯片占用面积，进而降低了相应的芯片成本。
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公开(公告)号：CN102270658A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110211465.8
申请日：2011-07-27
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种低触发电压低寄生电容的可控硅结构，包括P型衬底，P型衬底上依次设置有紧密相连的第一P阱、第一N阱、第二P阱和第二N阱，由第一P阱指向第二N阱的方向上，在第一P阱、第一N阱、第二P阱和第二N阱上依次设有：位于第一P阱上的第一P+注入区、位于第一N阱上的第一N+注入区、位于第二P阱上的第二N+注入区、横跨在第二P阱和第二N阱上的第三N+注入区、以及位于第二N阱上的第二P+注入区；在第二N+注入区和第三N+注入区之间设有层叠的栅氧和多晶硅栅，其它的相邻的两个注入区之间均设有浅壕沟隔离。本发明可控硅结构作为集成电路静电放电防护的器件具有实现低触发电压，鲁棒性强和寄生电容小的优点。
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公开(公告)号：CN102255092A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110149220.7
申请日：2011-06-03
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01M8/04
摘要： 本发明提供了一种燃料电池供气压力稳定控制方法，它在燃料电池的气体发生装置输出端与燃料电池电堆的阳极气体输入端之间提供与它们连通的储存气体的缓冲室，所述缓冲室的容积可以调节，当缓冲室内的气体压力出现变化时，缓冲室的容积立刻发生相应变化，减小或阻止缓冲室内的气体压力波动，为前端气体产量的调整争取到时间，消除气体发生装置响应延迟造成的时间上的调节死区。本发明还提供了基于上述方法的燃料电池以及实现上述方法的燃料电池供气压力稳定控制装置。
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