一种基于轴向切趾光栅的滤波器

    公开(公告)号:CN106896446B

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201710257373.0

    申请日:2017-04-19

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B6/12 G02B6/124

    摘要: 本发明公开了一种基于轴向切趾光栅的滤波器。其输入单模波导经输入渐变波导与非对称渐变定向耦合器左端上端口相连接,非对称渐变定向耦合器左端下端口和弯曲波导相连接,实现反射信号下载;非对称渐变定向耦合器右端上端口和反对称多模波导光栅左端相连接,反对称多模波导光栅右端依次经输出渐变波导与输出单模波导相连接。本发明光栅反射信号的分离采用非对称渐变定向耦合器,容差大,插损小,实现了光栅信号的下载;基于光栅滤波器,容差大,且带宽调节范围大,不受FSR限制,可以实现满足各种不同带宽需求的滤波器;通过对光栅齿轴向位置的调节实现切趾,实现了大边带抑制比的光栅滤波器,很大的提高了光栅滤波器的性能。

    一种基于光栅辅助型耦合器的模式上下路复用与解复用器

    公开(公告)号:CN103217738A

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN201310101484.4

    申请日:2013-03-27

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B6/12 G02B6/124

    摘要: 本发明公开了一种基于光栅辅助型耦合器的模式上下路复用与解复用器。包括三个上路单模波导、上路模式转换器、总线多模波导,两个上路布拉格波导光栅、下路模式转换器、三个下路单模波导、两个下路布拉格波导光栅、两个上路耦合区、两个下路耦合区。布拉格波导光栅放置在总线多模波导与上下路单模波导之间,由于其折射率的微扰作用,使得多模波导与单模波导之间发生能量交换。本发明实现了单模波导和多模波导的不同模式间发生耦合,具有耦合系数可调,带宽大,可载信息通道数多等特点;器件设计结构简单,尺寸紧凑;器件制作工艺具有CMOS工艺兼容性,使得器件易于集成和扩展,方便低成本制造,可广泛应用于片上高密度集成的光互连系统。

    一种基于轴向切趾光栅的滤波器

    公开(公告)号:CN106896446A

    公开(公告)日:2017-06-27

    申请号:CN201710257373.0

    申请日:2017-04-19

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B6/12 G02B6/124

    摘要: 本发明公开了一种基于轴向切趾光栅的滤波器。其输入单模波导经输入渐变波导与非对称渐变定向耦合器左端上端口相连接,非对称渐变定向耦合器左端下端口和弯曲波导相连接,实现反射信号下载;非对称渐变定向耦合器右端上端口和反对称多模波导光栅左端相连接,反对称多模波导光栅右端依次经输出渐变波导与输出单模波导相连接。本发明光栅反射信号的分离采用非对称渐变定向耦合器,容差大,插损小,实现了光栅信号的下载;基于光栅滤波器,容差大,且带宽调节范围大,不受FSR限制,可以实现满足各种不同带宽需求的滤波器;通过对光栅齿轴向位置的调节实现切趾,实现了大边带抑制比的光栅滤波器,很大的提高了光栅滤波器的性能。

    一种基于硅基波导光栅的带宽可调滤波器

    公开(公告)号:CN106199836A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610575608.6

    申请日:2016-07-21

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B6/293

    CPC分类号: G02B6/29316 G02B6/2932

    摘要: 本发明公开了一种基于硅基波导光栅的带宽可调滤波器。包括两级光栅滤波器;第一级光栅滤波器的左边下载端通过弯曲波导与第二级光栅滤波器输入单模波导相连接,第二级光栅滤波器的右边直通端通过弯曲波导与第一级光栅滤波器的右边非对称渐变定向耦合器的下端口连接,实现信号的回收;利用两级光栅滤波器的级联,并通过热电极调节两级光栅谱线叠加区域范围进而构成带宽可调滤波器。采用非对称渐变定向耦合器,容差大,插损小;基于光栅滤波器,带宽调节范围不受FSR限制;通过非对称渐变定向耦合器将第二级光栅直通端信号无损上载合波,实现了无带宽的浪费;本发明用平面集成光波导工艺制作,一次刻蚀完成,成本低,性能高,损耗小。

    一种基于MEMS硅基中红外波段光调制器

    公开(公告)号:CN103926688B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201410124647.5

    申请日:2014-03-31

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B26/00 G02B6/13

    摘要: 本发明公开了一种基于MEMS硅基中红外波段光调制器。在SOI材料的顶层硅上分别刻蚀出由弯曲硅波导、电极和条形硅波导组成两组相同的波导结构,两组波导结构分别沿顶层硅中心方向相反且对称布置,每条弯曲硅波导的一端与条形波导连接,每条弯曲硅波导的另一端与电极连接;在二氧化硅衬底上开有一排等距、布置的多个空气槽,两根条形波导位于多个空气槽的上方,相邻凹槽连接处用来支撑两根条形波导。本发明不仅降低整个器件中由于二氧化硅层带来的高吸收损耗,而且可以使用MEMS来控制悬浮波导的弯曲可以改变耦合器的耦合长度,从而控制输出端的信号,避免热光效应;具有结构简单,与CMOS工艺兼容,控制简单的优点。

    一种基于光栅辅助型耦合器的模式上下路复用与解复用器

    公开(公告)号:CN103217738B

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201310101484.4

    申请日:2013-03-27

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B6/12 G02B6/124

    摘要: 本发明公开了一种基于光栅辅助型耦合器的模式上下路复用与解复用器。包括三个上路单模波导、上路模式转换器、总线多模波导,两个上路布拉格波导光栅、下路模式转换器、三个下路单模波导、两个下路布拉格波导光栅、两个上路耦合区、两个下路耦合区。布拉格波导光栅放置在总线多模波导与上下路单模波导之间,由于其折射率的微扰作用,使得多模波导与单模波导之间发生能量交换。本发明实现了单模波导和多模波导的不同模式间发生耦合,具有耦合系数可调,带宽大,可载信息通道数多等特点;器件设计结构简单,尺寸紧凑;器件制作工艺具有CMOS工艺兼容性,使得器件易于集成和扩展,方便低成本制造,可广泛应用于片上高密度集成的光互连系统。

    一种基于MEMS硅基中红外波段光调制器

    公开(公告)号:CN103926688A

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201410124647.5

    申请日:2014-03-31

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B26/00 G02B6/13

    摘要: 本发明公开了一种基于MEMS硅基中红外波段光调制器。在SOI材料的顶层硅上分别刻蚀出由弯曲硅波导、电极和条形硅波导组成两组相同的波导结构,两组波导结构分别沿顶层硅中心方向相反且对称布置,每条弯曲硅波导的一端与条形波导连接,每条弯曲硅波导的另一端与电极连接;在二氧化硅衬底上开有一排等距、布置的多个空气槽,两根条形波导位于多个空气槽的上方,相邻凹槽连接处用来支撑两根条形波导。本发明不仅降低整个器件中由于二氧化硅层带来的高吸收损耗,而且可以使用MEMS来控制悬浮波导的弯曲可以改变耦合器的耦合长度,从而控制输出端的信号,避免热光效应;具有结构简单,与CMOS工艺兼容,控制简单的优点。