蓄水池神经网络实现方法、系统、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN114970836A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210894946.1

    申请日:2022-07-28

    摘要: 本发明公开了一种蓄水池神经网络实现方法,包括通过激光器发射光信号,通过调制器向光信号加载输入信息和其他波长对应的反馈信息,通过波分复用单元汇合得到波分复用信号,输入至MZI阵列中;MZI阵列对波分复用信号矩阵运算,通过波分解复用分离得到波长光信号,通过探测器将波长光信号转化为电信号,通过FPGA向电信号施加激活函数得到反馈信息;循环迭代得到稳定的反馈信息作为蓄水池节点的状态,然后输入至初始全连接神经网络,通过交叉熵损失函数训练后得到全连接神经网络;该方法能够提升蓄水池神经网络的运算速度,较低功率,且具有较好的拟合能力。本发明还提供了蓄水池神经网络实现系统、电子设备及存储介质。

    蓄水池神经网络实现方法、系统、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN114970836B

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN202210894946.1

    申请日:2022-07-28

    摘要: 本发明公开了一种蓄水池神经网络实现方法,包括通过激光器发射光信号,通过调制器向光信号加载输入信息和其他波长对应的反馈信息,通过波分复用单元汇合得到波分复用信号,输入至MZI阵列中;MZI阵列对波分复用信号矩阵运算,通过波分解复用分离得到波长光信号,通过探测器将波长光信号转化为电信号,通过FPGA向电信号施加激活函数得到反馈信息;循环迭代得到稳定的反馈信息作为蓄水池节点的状态,然后输入至初始全连接神经网络,通过交叉熵损失函数训练后得到全连接神经网络;该方法能够提升蓄水池神经网络的运算速度,较低功率,且具有较好的拟合能力。本发明还提供了蓄水池神经网络实现系统、电子设备及存储介质。

    一种基于Benes结构且具有均衡损耗的大规模光开关拓扑阵列芯片实现方法

    公开(公告)号:CN110568560B

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN201910672510.6

    申请日:2019-07-24

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B6/35

    摘要: 本发明公开了一种基于Benes结构且具有均衡损耗的大规模光交换拓扑阵列芯片实现方法。该方法在设计交叉波导阵列时采用双层波导结构,通过层间耦合实现两层介质间的信号传输,并且两级光开关之间的每一条波导只经过一次耦合过程,因此具有均衡的损耗。由于采用双层波导结构,避免大规模阵列交叉波导的出现,且信号在传递过程中的损耗均衡性更好。

    一种双层的温度不敏感且制备不敏感的MZI滤波器

    公开(公告)号:CN112558227A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202011431706.5

    申请日:2020-12-07

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B6/293

    摘要: 本发明公开了一种双层的温度不敏感且制备不敏感的MZI滤波器,该滤波器包括第一干涉臂、第二干涉臂、第三干涉臂、第四干涉臂、过渡结构、taper结构、公共路径和耦合器部分;四个干涉臂和taper结构基于温度不敏感的弱限制性波导(Δ

    一种大规模阵列交叉波导重组分离结构及其设计方法

    公开(公告)号:CN110568552B

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN201910671835.2

    申请日:2019-07-24

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B6/122 G02B6/125

    摘要: 本发明公开了一种大规模阵列交叉波导重组分离结构及其设计方法,该设计方法包括以下步骤:将输入的波导分为n组,每组中存在m个波导,每组中的波导呈梳状且互不交叉;将波导进行重组,重组后得到的不同组波导位于不同层材料中,组与组之间相互交叉;最后,将不同层材料中的波导直接输出或经层间耦合后输出,不同层材料之间设置有隔离介质。本发明中的梳形交叉的两根或多根波导使用不同层传输介质,多层波导间通过波导模式耦合方式实现互连从而避免大规模交叉的产生,能够有效提高大规模阵列的性能。

    一种实现玻璃基离子交换表面光波导芯片连续生产的方法

    公开(公告)号:CN111045150A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201911405541.1

    申请日:2019-12-30

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B6/134

    摘要: 本发明公开了一种实现玻璃基离子交换表面光波导芯片连续生产的方法。放置隧道式高温炉,隧道式内有传送带和坩埚,传送带上悬挂有石英花篮,石英花篮被传送带运输,坩埚装有含掺杂离子的熔盐,石英花篮浸没在熔盐中;石英花篮内放置有玻璃基片,玻璃基片表面加工掩膜并将计划形成光波导图形的区域镂空,支架和玻璃基片均完整浸没入含掺杂离子的熔盐中,通过传送带移动运输石英花篮将表面带有掩膜的玻璃基片浸没在隧道式高温炉的坩埚中含掺杂离子的熔盐内进行离子交换制成表面光波导芯片的芯层。本发明提高了光波导芯片的一致性,减少了固定资产投资,提高了光波导芯片的生产效率,降低了能耗。