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公开(公告)号：CN118092044A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410495703.X
申请日：2024-04-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明属于光学测量领域，具体涉及一种液晶相移点衍射干涉仪及波像差检测方法。所述液晶相移点衍射干涉仪包括条纹对比度调节模块、液晶点衍射模块、波像差检测模块，本发明通过电光调制器、垂直线栅点衍射板和液晶点衍射板的配合使得整个系统共光路，抗振性能得到极大提升，受环境的影响减小，从而提高了待测投影物镜的波像差测量精度，并且可以利用λ/2波片的转动调节参考光和测量光之间的强度比，增强干涉条纹的对比度，进一步提高待测投影物镜的波像差测量精度。
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公开(公告)号：CN119642744A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510163756.6
申请日：2025-02-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01B11/27 , G06T7/73 , G06V10/774 , G06V10/82 , G01B9/02055
Abstract: 本发明公开了一种同轴光学组件光学轴位姿测量及装调方法，采用基于干涉测量与亚波长结构的计算全息片结合的测量方式，分离各个光学组件的光学轴空间位姿，并将各个光学轴的空间位姿信息反映到干涉图中；结合基于深度学习的失调量参数解算方法，可以快速迭代、反馈光学组件的失调量，进而完成同轴光学组件的快速装调。本发明的优点在于采用基于干涉测量与亚波长结构的计算全息片结合的测量方式，在保证测量精度的同时，可以分离出各个光学组件的光学轴空间位姿信息；通过深度学习神经网络模型分析光学轴空间位姿与失调量之间的映射关系，提高空间位姿解算、迭代效率。
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公开(公告)号：CN117555209A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311807633.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机，方法包括：提供真空腔室，真空腔室内设置有待处理的器件，器件上沉积有光刻胶曝光工艺形成的污染物，污染物包括碳污染物和/或氢化金属污染物；向真空腔室内持续通入工艺气体；提供X射线，X射线用于激发工艺气体并使工艺气体产生活性粒子，活性粒子用于与待处理的器件上的碳污染物和/或氢化金属污染物反应，产生挥发性气态化合物；将挥发性气态化合物排出真空腔室。处理设备包括：箱体、真空泵、X射线源以及工艺气体源。本发明为金属氧化物型光刻胶在实际光刻系统的推广应用提出了解决方案，解决了含有机物的金属氧化物型光刻胶的金属性污染与碳沉积的双重污染问题。
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公开(公告)号：CN117555209B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311807633.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机，方法包括：提供真空腔室，真空腔室内设置有待处理的器件，器件上沉积有光刻胶曝光工艺形成的污染物，污染物包括碳污染物和/或氢化金属污染物；向真空腔室内持续通入工艺气体；提供X射线，X射线用于激发工艺气体并使工艺气体产生活性粒子，活性粒子用于与待处理的器件上的碳污染物和/或氢化金属污染物反应，产生挥发性气态化合物；将挥发性气态化合物排出真空腔室。处理设备包括：箱体、真空泵、X射线源以及工艺气体源。本发明为金属氧化物型光刻胶在实际光刻系统的推广应用提出了解决方案，解决了含有机物的金属氧化物型光刻胶的金属性污染与碳沉积的双重污染问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118092044B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410495703.X
申请日：2024-04-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明属于光学测量领域，具体涉及一种液晶相移点衍射干涉仪及波像差检测方法。所述液晶相移点衍射干涉仪包括条纹对比度调节模块、液晶点衍射模块、波像差检测模块，本发明通过电光调制器、垂直线栅点衍射板和液晶点衍射板的配合使得整个系统共光路，抗振性能得到极大提升，受环境的影响减小，从而提高了待测投影物镜的波像差测量精度，并且可以利用λ/2波片的转动调节参考光和测量光之间的强度比，增强干涉条纹的对比度，进一步提高待测投影物镜的波像差测量精度。
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公开(公告)号：CN118348751A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410774633.1
申请日：2024-06-17
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种光刻环形光瞳照明系统装调方法，优化了全息版图中的主全息相位分布。本发明光刻环形光瞳照明系统装调方法，能够实现纳米级位移、秒级角度的圆锥透镜的光轴定心装调。圆锥透镜的光轴定心误差精度由标准干涉仪的测量精度、标准自准直反射镜的平整度和全息图精度三项保证。本发明的精度误差来源更少，误差更小。
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公开(公告)号：CN119642744B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510163756.6
申请日：2025-02-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01B11/27 , G06T7/73 , G06V10/774 , G06V10/82 , G01B9/02055
Abstract: 本发明公开了一种同轴光学组件光学轴位姿测量及装调方法，采用基于干涉测量与亚波长结构的计算全息片结合的测量方式，分离各个光学组件的光学轴空间位姿，并将各个光学轴的空间位姿信息反映到干涉图中；结合基于深度学习的失调量参数解算方法，可以快速迭代、反馈光学组件的失调量，进而完成同轴光学组件的快速装调。本发明的优点在于采用基于干涉测量与亚波长结构的计算全息片结合的测量方式，在保证测量精度的同时，可以分离出各个光学组件的光学轴空间位姿信息；通过深度学习神经网络模型分析光学轴空间位姿与失调量之间的映射关系，提高空间位姿解算、迭代效率。
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公开(公告)号：CN119065198A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411569858.X
申请日：2024-11-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请公开了光刻掩模版、光刻污染物的处理方法、设备及光刻机，光刻掩模版包括光刻掩模基板及碱性的氮氧化钛催化层。方法包括提供真空腔室和有氢化金属性污染物的光刻掩模版，通入酸性的含氧清洗气体；提供UV光，激发氮氧化钛催化层的光催化活性，使清洗气体产生活性氧原子与氢化金属性污染物反应，产生挥发性气态化合物；将挥发性气态化合物排出。设备用于对光刻掩模版进行氢化金属性污染物的处理，设备包括箱体、真空泵、UV光源以及清洗气体源。碱性的氮氧化钛催化层便于酸性的含氧清洗气体与氮氧化钛催化层相互作用，进一步促进化学反应发生以及进一步提升清洗效果。同时解决了金属氧化物型光刻胶氢化作用产生的金属污染问题。
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公开(公告)号：CN118348751B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410774633.1
申请日：2024-06-17
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种光刻环形光瞳照明系统装调方法，优化了全息版图中的主全息相位分布。本发明光刻环形光瞳照明系统装调方法，能够实现纳米级位移、秒级角度的圆锥透镜的光轴定心装调。圆锥透镜的光轴定心误差精度由标准干涉仪的测量精度、标准自准直反射镜的平整度和全息图精度三项保证。本发明的精度误差来源更少，误差更小。
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