公开(公告)号：CN118493094B

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410961673.7

申请日：2024-07-18

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王万堂 ,  王蓉 ,  皮孝东 ,  鲁雪松 ,  杨德仁

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/08 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶圆双面同步抛光方法，利用本发明的碳化硅晶圆双面同步抛光方法进行碳化硅晶圆双面同步抛光时，通过同时改变碳化硅晶圆碳面和硅面的亲水性，同时改变后续的抛光液和碳面的接触角与抛光液和硅面的接触角，使得碳化硅晶圆碳面和硅面在双面同步抛光时的去除速率比值下降。虽然Si面去除速率有所降低，但使C/Si面去除速率比降低，降低碳化硅晶圆的加工损耗，在降低加工损耗和加工成本的同时达到器件制造的使用要求。

公开(公告)号：CN118493094A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410961673.7

申请日：2024-07-18

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王万堂 ,  王蓉 ,  皮孝东 ,  鲁雪松 ,  杨德仁

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/08 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶圆双面同步抛光方法，利用本发明的碳化硅晶圆双面同步抛光方法进行碳化硅晶圆双面同步抛光时，通过同时改变碳化硅晶圆碳面和硅面的亲水性，同时改变后续的抛光液和碳面的接触角与抛光液和硅面的接触角，使得碳化硅晶圆碳面和硅面在双面同步抛光时的去除速率比值下降。虽然Si面去除速率有所降低，但使C/Si面去除速率比降低，降低碳化硅晶圆的加工损耗，在降低加工损耗和加工成本的同时达到器件制造的使用要求。