一种跨接式纳米聚焦X射线组合透镜

    公开(公告)号:CN101221828B

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200810059019.8

    申请日:2008-01-07

    IPC分类号: G21K1/06

    摘要: 一种跨接式纳米聚焦X射线组合透镜,包括一个一级X射线组合透镜、一个二级X射线组合透镜和一个光轴校准器共同组成,所述一级X射线组合透镜和二级X射线组合透镜固定于所述光轴校准器上,入射X射线束首先射入所述一级X射线组合透镜,经所述一级X射线组合透镜聚焦并出射后,射入所述二级X射线组合透镜再次聚焦,所述二级X射线组合透镜与所述一级X射线组合透镜之间有由所述一级X射线组合透镜的焦斑尺寸和所述二级X射线组合透镜的几何口径共同确定的间隔。

    一种抛物面形一维聚焦X射线组合透镜

    公开(公告)号:CN1255690C

    公开(公告)日:2006-05-10

    申请号:CN200410084476.4

    申请日:2004-11-18

    IPC分类号: G02B3/00 G21K1/00

    摘要: 一种抛物面形一维聚焦X射线组合透镜,包含透镜主体,透镜主体上有多个呈直线顺序排布的通孔状空气隙,所述透镜主体下方有一用于光束对准的刻度底盘,刻度底盘上的刻度位于底盘的侧壁。所述刻度底盘为铝材料,透镜主体为铝材料。所述透镜的厚度范围在500微米-2000微米。本发明提供一种带有刻度底盘来标识组合透镜轴线的结构,在使用中易于进行光束对准;具有组合透镜厚度尺寸可以提高几十倍的优点,因此集光口径可以大幅度提高;对材料限制小,透镜球差小,可以一体化、一次性精密加工成型。

    一维X射线组合透镜
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1304858C

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN200510049839.5

    申请日:2005-05-26

    IPC分类号: G02B3/00 G21K1/00

    摘要: 一维X射线组合透镜,包括透镜主体,位于透镜主体下方的衬基,所述透镜主体上开有多个相同形状的呈直线顺序排布的通孔状空气隙单元,所述空气隙单元的截面形状为椭圆形,所述空气隙单元对应的椭圆长轴位于同一直线上。所述透镜主体为铝材料或氧化铝材料,透镜衬基为有机玻璃或玻璃材料。所述透镜的厚度范围在500微米-2000微米。本发明提供一种优化的X射线组合透镜折射单元的面形形状,有利于达到对平面X射线入射波完美聚焦的效果;具有组合透镜厚度尺寸可以提高几十倍的优点,因此集光口径可以大幅度提高;对材料限制小,基本上可以消除球差,可以一体化、一次性精密加工成型。

    一种X射线组合透镜的制作方法

    公开(公告)号:CN1606099A

    公开(公告)日:2005-04-13

    申请号:CN200410067921.6

    申请日:2004-11-03

    IPC分类号: G21K1/00

    摘要: 一种X射线组合透镜的制作方法,包括以下步骤:(A)在经常规清洁处理的衬底(1)上生长一层电铸阴极薄膜(2);(B)在电铸阴极薄膜(2)上以低转速涂覆第一层AZP4903正性光刻胶,并烘烤固化,烘烤温度为97.5℃至102.5℃,烘烤时间为8至12分钟;(C)在第一层AZP4903正性光刻胶上以低转速涂覆第二层AZP4903正性光刻胶,并烘烤固化,烘烤温度为87.5℃至92.5℃,烘烤时间为18至22分钟;(D)对AZP4903光刻胶进行光刻;(E)对光刻后的样品先烘烤,再显影;(F)对清洗后的样品进行电铸;(G)取出样品,用去离子水清洗;(H)样品去除剩余的光刻胶;(I)将暴露出来的电铸阴极薄膜(2)刻蚀掉,即制成为金属X射线组合透镜。本发明提供一种使成品率高、制作工艺简单、安全性好的X射线组合透镜的制作方法。

    纳米聚焦X射线组合透镜的制作方法

    公开(公告)号:CN101221829B

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200810059020.0

    申请日:2008-01-07

    IPC分类号: G21K1/06

    摘要: 纳米聚焦X射线组合透镜的制作方法,包括步骤如下:(A)用电子束刻蚀技术制作玻璃基底金属铬材料的光刻掩模版;(B)对硅衬底进行常规清洁处理;(C)在经步骤(B)处理的硅衬底表面自旋涂覆一层厚度为1-3微米的普通紫外负性光刻胶;(D)使用步骤(A)制成的光刻掩模版;(E)在光刻胶图形结构上生长一层厚度为100-250纳米的铝金属薄膜;(F)去除光刻胶膜,形成与步骤(A)制成的光刻掩模版图形结构相同的铝材料图形结构;(G)进行深度硅材料刻蚀,制成硅材料一维纳米聚焦X射线组合透镜。

    一种X射线组合透镜的制作方法

    公开(公告)号:CN1284980C

    公开(公告)日:2006-11-15

    申请号:CN200410067921.6

    申请日:2004-11-03

    IPC分类号: G02B3/00 G21K1/00

    摘要: 一种X射线组合透镜的制作方法,包括以下步骤:(A)在经常规清洁处理的衬底(1)上生长一层电铸阴极薄膜(2);(B)在电铸阴极薄膜(2)上以低转速涂覆第一层AZP4903正性光刻胶,并烘烤固化,烘烤温度为97.5℃至102.5℃,烘烤时间为8至12分钟;(C)在第一层AZP4903正性光刻胶上以低转速涂覆第二层AZP4903正性光刻胶,并烘烤固化,烘烤温度为87.5℃至92.5℃,烘烤时间为18至22分钟;(D)对AZP4903光刻胶进行光刻;(E)对光刻后的样品先烘烤,再显影;(F)对清洗后的样品进行电铸;(G)取出样品,用去离子水清洗;(H)样品去除剩余的光刻胶;(I)将暴露出来的电铸阴极薄膜(2)刻蚀掉,即制成为金属X射线组合透镜。本发明提供一种使成品率高、制作工艺简单、安全性好的X射线组合透镜的制作方法。

    金属高能X射线聚焦组合透镜的制作工艺

    公开(公告)号:CN1207728C

    公开(公告)日:2005-06-22

    申请号:CN02148418.X

    申请日:2002-11-29

    发明人: 乐孜纯 梁静秋

    IPC分类号: G21K1/00 H01J29/60 G03F7/32

    摘要: 本发明涉及金属高能X射线聚焦组合透镜的制作工艺。金属高能X射线聚焦组合透镜包括衬底(1)、电铸阴极薄膜(2)、金属透镜阵列(3)、空气隙(4),其制作工艺为:清洁衬底,上表面生长金属薄膜作为电铸阴极,涂覆正性光刻胶并固化,在其上涂覆SU8负性光刻胶,光刻、显影、去除暴露出的正性光刻胶,电铸,去除剩余的正性光刻胶及其上面的SU8光刻胶,刻蚀掉未被金属电铸结构覆盖的电铸阴极材料,完成金属高能X射线聚焦组合透镜的制作。具有尺寸精度高、表面粗糙度低、透镜单元中心厚度尺寸小、可制作各种几何形状的结构、有利于批量制作和集成的优点。

    金属高能X射线聚焦组合透镜的制作工艺

    公开(公告)号:CN1505061A

    公开(公告)日:2004-06-16

    申请号:CN02148418.X

    申请日:2002-11-29

    发明人: 乐孜纯 梁静秋

    IPC分类号: G21K1/00

    摘要: 本发明涉及金属高能X射线聚焦组合透镜的制作工艺。金属高能X射线聚焦组合透镜包括衬底(1)、电铸阴极薄膜(2)、金属透镜阵列(3)、空气隙(4),其制作工艺为:清洁衬底,上表面生长金属薄膜作为电铸阴极,涂覆正性光刻胶并固化,在其上涂覆SU8负性光刻胶,光刻、显影、去除暴露出的正性光刻胶,电铸,去除剩余的正性光刻胶及其上面的SU8光刻胶,刻蚀掉未被金属电铸结构覆盖的电铸阴极材料,完成金属高能X射线聚焦组合透镜的制作。具有尺寸精度高、表面粗糙度低、透镜单元中心厚度尺寸小、可制作各种几何形状的结构、有利于批量制作和集成的优点。

    金属高能X射线聚焦组合透镜

    公开(公告)号:CN1505060A

    公开(公告)日:2004-06-16

    申请号:CN02148417.1

    申请日:2002-11-29

    发明人: 乐孜纯 梁静秋

    IPC分类号: G21K1/00

    摘要: 本发明涉及金属高能X射线聚焦组合透镜,它包含有衬底(1)、电铸阴极薄膜(2)、金属透镜阵列(3)、空气隙(4)。电铸阴极薄膜(2)位于衬底(1)的上方并与衬底(1)接触,金属透镜阵列(3)位于电铸阴极薄膜(2)的上方并与电铸阴极薄膜(2)接触,由衬底(1)、电铸阴极薄膜(2)、金属透镜阵列(3)共同构成空气隙(4)。衬底(1)选用硅片或玻璃或金属材料,电铸阴极薄膜(2)选用铜或钛或镍或金或氧化钛材料,金属透镜阵列(3)选用铝或铬或钛或铝铜合金。具有组合透镜折射单元的中心厚度尺寸小、同轴度高、尺寸精度高,表面粗糙度低,易于批量制作和集成的优点。

    纳米聚焦X射线组合透镜的制作方法

    公开(公告)号:CN101221829A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200810059020.0

    申请日:2008-01-07

    IPC分类号: G21K1/06

    摘要: 纳米聚焦X射线组合透镜的制作方法,包括步骤如下:(A)用电子束刻蚀技术制作玻璃基底金属铬材料的光刻掩模版;(B)对硅衬底进行常规清洁处理;(C)在经步骤(B)处理的硅衬底表面自旋涂覆一层厚度为1-3微米的普通紫外负性光刻胶;(D)使用步骤(A)制成的光刻掩模版;(E)在光刻胶图形结构上生长一层厚度为100-250纳米的铝金属薄膜;(F)去除光刻胶膜,形成与步骤(A)制成的光刻掩模版图形结构相同的铝材料图形结构;(G)进行深度硅材料刻蚀,制成硅材料一维纳米聚焦X射线组合透镜。