公开(公告)号：CN116393044A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310658082.8

申请日：2023-06-06

申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 ,  宁夏创盛新材料科技有限公司 ,  浙江晶瑞电子材料有限公司

发明人： 曹建伟 ,  盛永江 ,  欧阳鹏根 ,  李荣臻 ,  胡建荣 ,  汪传勇 ,  黄俊

IPC分类号： B01J6/00 ,  C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  B01J19/24 ,  C01B32/984

摘要： 本发明提供了一种大颗粒（3mm）SiC料合成装置及工艺，属于SiC制备技术领域，包括坩埚和载体组件。所述坩埚具有盛放硅粉、碳粉的空腔，所述载体组件包括由石墨材料形成的固定部和载体部，所述固定部与所述坩埚的开口相适配，且所述固定部沿所述空腔的方向开设有孔槽，所述载体部悬挂至所述孔槽，并向所述空腔内的硅粉、碳粉进行延伸。该装置能够配合本工艺得到>3mm的SiC颗粒（一般不低于40%），具体的，在本工艺条件下，部分颗粒尺寸还可达6mm以上，其中，>3mm颗粒占比可以达到70％，因此有效的改善SiC粉料的粒径影响生长气氛中的Si/C比以及生长的速度。

公开(公告)号：CN116230597A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310514297.2

申请日：2023-05-09

申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 ,  宁夏创盛新材料科技有限公司 ,  浙江晶瑞电子材料有限公司

发明人： 盛永江 ,  欧阳鹏根 ,  吴瑶瑶 ,  胡建荣 ,  汪传勇 ,  黄俊 ,  唐永刚

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/04

摘要： 本发明提供了一种用于碳化硅晶片氢气刻蚀工装及方法，属于碳化硅晶片氢气刻蚀技术领域，包括外壳，以及位于外壳内的刻蚀组件。刻蚀组件包括气体管道和基座，气体管道穿过外壳，并与基座呈相对设置，基座上设有固定座，固定座具有第一状态和第二状态，在第一状态下，固定座的上端面为一微凸界面，以支持翘曲的碳化硅晶片，在第二状态下，固定座逐渐软化，且支持和引导随固定座软化而趋于平坦的碳化硅晶片，其中，固定座与气体管道之间设有预定距离，以配置为对固定座上的晶片进行刻蚀。该工装能够保证晶片在刻蚀过程中平整度，而且使晶片表面气流密度一致，减少产生温度梯度的情况，有效的提高晶片刻蚀的效果。

公开(公告)号：CN118374883A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410524115.4

申请日：2024-04-28

申请人： 浙江晶瑞电子材料有限公司

发明人： 欧阳鹏根 ,  熊艺莲 ,  汪传勇 ,  曹博 ,  黄俊 ,  胡建荣

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C23C16/26

摘要： 本发明涉及一种碳化硅晶体的生长装置及其制备方法和应用，该碳化硅晶体的生长装置，包括石墨坩埚底、籽晶底座以及坩埚顶盖，籽晶底座位于石墨坩埚底与坩埚顶盖形成的空腔内，籽晶底座包括籽晶托以及依次层叠设置于籽晶托表面的第一热解石墨层以及碳化硅层，坩埚顶盖的内表面层叠设置有第二热解石墨层；其中，第一热解石墨层的厚度为a，碳化硅层的厚度为b，第一热解石墨层的厚度大于或等于籽晶托的粗糙度，a与b的比值为0.5‑1。该碳化硅晶体的生长装置不仅能够防止SiC籽晶与籽晶底座之间出现气孔，还能够使籽晶底座与SiC籽晶的贴合面温度均匀，进而在通过PVT法生长SiC晶体时，避免平面六方空洞缺陷的形成，很好的提高SiC晶体的质量。

公开(公告)号：CN116230597B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310514297.2

申请日：2023-05-09

申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 ,  宁夏创盛新材料科技有限公司 ,  浙江晶瑞电子材料有限公司

发明人： 盛永江 ,  欧阳鹏根 ,  吴瑶瑶 ,  胡建荣 ,  汪传勇 ,  黄俊 ,  唐永刚

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/04

摘要： 本发明提供了一种用于碳化硅晶片氢气刻蚀工装及方法，属于碳化硅晶片氢气刻蚀技术领域，包括外壳，以及位于外壳内的刻蚀组件。刻蚀组件包括气体管道和基座，气体管道穿过外壳，并与基座呈相对设置，基座上设有固定座，固定座具有第一状态和第二状态，在第一状态下，固定座的上端面为一微凸界面，以支持翘曲的碳化硅晶片，在第二状态下，固定座逐渐软化，且支持和引导随固定座软化而趋于平坦的碳化硅晶片，其中，固定座与气体管道之间设有预定距离，以配置为对固定座上的晶片进行刻蚀。该工装能够保证晶片在刻蚀过程中平整度，而且使晶片表面气流密度一致，减少产生温度梯度的情况，有效的提高晶片刻蚀的效果。

公开(公告)号：CN116393044B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310658082.8

申请日：2023-06-06

申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 ,  宁夏创盛新材料科技有限公司 ,  浙江晶瑞电子材料有限公司

发明人： 曹建伟 ,  盛永江 ,  欧阳鹏根 ,  李荣臻 ,  胡建荣 ,  汪传勇 ,  黄俊

IPC分类号： B01J6/00 ,  C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  B01J19/24 ,  C01B32/984

摘要： 本发明提供了一种大颗粒SiC料合成装置及工艺，属于SiC制备技术领域，包括坩埚和载体组件。所述坩埚具有盛放硅粉、碳粉的空腔，所述载体组件包括由石墨材料形成的固定部和载体部，所述固定部与所述坩埚的开口相适配，且所述固定部沿所述空腔的方向开设有孔槽，所述载体部悬挂至所述孔槽，并向所述空腔内的硅粉、碳粉进行延伸。该装置能够配合本工艺得到>3mm的SiC颗粒（一般不低于40%），具体的，在本工艺条件下，部分颗粒尺寸还可达6mm以上，其中，>3mm颗粒占比可以达到70％，因此有效的改善SiC粉料的粒径影响生长气氛中的Si/C比以及生长的速度。