公开(公告)号：CN103367544A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310282763.5

申请日：2013-07-08

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 杨金波 ,  苗丽燕 ,  福克斯·斯蒂芬 ,  刘长明 ,  刘丽芳 ,  苗凤秀 ,  蔡永梅 ,  汤安民 ,  谢斌 ,  谢旭 ,  李仙德 ,  陈康平 ,  金浩

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种具有吸杂作用的多晶硅电池发射极的扩散方法，其特征在于，扩散前在硅片制绒面镀一层二氧化硅膜，扩散为双面扩散并且包含了两步有源扩散和两步吸杂。本发明通过改善扩散工艺，提高硅片少子寿命，从而提高电池片的电性能。特别适用于A区硅片电池发射极的制备。

公开(公告)号：CN103400891A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310282773.9

申请日：2013-07-08

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 汤安民 ,  福克斯·斯蒂芬 ,  苗凤秀 ,  蔡永梅 ,  苗丽燕 ,  刘长明 ,  刘丽芳 ,  谢斌 ,  谢旭 ,  杨金波 ,  李仙德 ,  陈康平 ,  金浩

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种背面钝化电池SiO2钝化层的制备方法，采用热氧化生长工艺，在整个工艺过程中，至少包含两步热处理。两步热处理的具体步骤如下：⑴SiO2钝化层的生长：在850℃~1000℃的温度条件下，通入氮气和氧气的混合气体，对硅片进行氧化，氧化时间在10min~90min之间，其中氧气的体积比控制在5%~50%之间；⑵低温退火：完成氧化过程后，降温到400℃~800℃，通入氮气对生成的SiO2钝化层进行退火处理，退火时间在30min~90min之间。本发明通过优化氧化过程中的温度和气体比例，以及增加在氧化后的低温退火过程来改善SiO2钝化层的质量，从而提高钝化效果最终获得硅太阳能电池效率的提升。

公开(公告)号：CN103400868A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310282774.3

申请日：2013-07-08

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 苗凤秀 ,  福克斯·斯蒂芬 ,  蔡永梅 ,  汤安民 ,  苗丽燕 ,  刘丽芳 ,  刘长明 ,  杨金波 ,  谢斌 ,  谢旭 ,  李仙德 ,  陈康平 ,  金浩

IPC分类号： H01L31/0216

摘要： 本发明公开了一种新型双层膜背面钝化太阳能电池结构，包括银电极、氮化硅介质膜、铝背场、硅衬底，在所述氮化硅介质膜上还设有一层氧化铝钝化膜和一层氮氧化硅钝化膜，并在所述氮化硅介质膜和氧化铝钝化膜及氮氧化硅钝化膜的背场上设有若干槽，所述的槽均匀分布。本发明更进一步提高了太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN103367470A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310282975.3

申请日：2013-07-08

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 刘丽芳 ,  福克斯·斯蒂芬 ,  刘长明 ,  苗丽燕 ,  苗凤秀 ,  蔡永梅 ,  汤安民 ,  谢斌 ,  谢旭 ,  杨金波 ,  李仙德 ,  陈康平 ,  金浩

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/05

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本发明公开了一种可直线焊接的MWT电池背面结构，其设有通孔电极、正电极、通孔和背电场，所述通孔电极包括焊接端和导电端，所述通孔位于通孔电极导电端上且均匀并对称分布在电池片上。本发明将电池通孔电极设计为“T”字形，通孔位于“T”字形电极的一端，通过“T”字形设计实现焊接电极的非对称分布，通过隔片旋转180°实现MWT组件直线焊接。

公开(公告)号：CN103367545A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310282764.X

申请日：2013-07-08

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 蔡永梅 ,  福克斯·斯蒂芬 ,  苗凤秀 ,  汤安民 ,  刘长明 ,  刘丽芳 ,  苗丽燕 ,  谢斌 ,  谢旭 ,  杨金波 ,  李仙德 ,  陈康平 ,  金浩

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种利用激光同时实现太阳电池背面局域接触和局域掺杂的方法，其是在太阳能电池背表面钝化层上再沉积含有硼的材料，并利用激光作用其表面，在形成背面局部接触窗口的同时完成对局域接触区域的掺杂，最后清洗去除含有硼的材料。本发明采用激光开膜，电极图案制作精度高，并同时完成对局域接触区域的掺杂，简化了工艺过程，降低了生产成本，在产业化方面具有很大的优势。

公开(公告)号：CN103904140A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410011582.3

申请日：2014-01-10

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 汤安民

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/022475 ,  H01L31/02168

摘要： 本发明公开了一种新型正面结构太阳电池，包括正电极、钝化层、P-N结、P型衬底、背电场和背电极，在所述钝化层上设有若干开口，并在所述钝化层上沉积一层ITO薄膜层。本发明能减小太阳电池正面接触电阻，提高填充因子，增加短路电流并且减小正面银浆用量的方法。

公开(公告)号：CN103618007A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310489049.3

申请日：2013-10-18

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 汤安民 ,  陈康平 ,  金浩 ,  黄琳

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/042

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/02168

摘要： 本发明公开了一种新型双面受光太阳电池，包括正面电极、正面减反射层、正面钝化层、PN结和P型硅衬底，在所述P型硅衬底背面还设有背面钝化层、背面减反射层和背面电极。本发明减少现有双面电池制备工序，更有利于产业化的发展。

公开(公告)号：CN102709347A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210171006.6

申请日：2012-05-30

申请人： 浙江晶科能源有限公司

发明人： 涂宏波 ,  王学林 ,  聂金艳 ,  梅晓东 ,  汤安民

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/077

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本发明涉及一种埋栅结构异质结太阳电池。其包括N型单晶硅衬底、正极、负极、透明导电薄膜以及在N型单晶硅衬底正面和背面制备形成的若干膜层；在N型单晶硅衬底正面制备形成的膜层包括P型氢化纳米硅膜层和P型重掺杂氢化纳米碳化硅膜层，并形成p+/p高低结；N型单晶硅衬底正面和背面的最外层均制备形成一层透明导电薄膜；N型单晶硅衬底正面上设有凹槽，电池正极设置于凹槽内；电池负极设置于所述N型单晶硅衬底背面。本发明中利用P型重掺杂氢化纳米碳化硅膜层作为宽带隙窗口层，增加可见光吸收，重掺杂形成较高的内建电场；利用刻槽技术减少栅线遮光面积；高电学性能和光电导的氢化纳米硅提高太阳电池性能，从而实现了高效低成本的目标。

公开(公告)号：CN103063996B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210541717.8

申请日：2012-12-14

申请人： 浙江晶科能源有限公司

发明人： 福克斯·斯蒂芬 ,  刘丽芳 ,  刘长明 ,  苗丽燕 ,  苗凤秀 ,  蔡永梅 ,  汤安民 ,  谢斌 ,  谢旭

IPC分类号： H02S50/10

摘要： 本发明公开了一种背接触太阳能电池片测试装置，包括上、中、下三块绝缘板，通过螺栓将上、中、下三块绝缘板固定在一起，其中中绝缘板设有中空部，下绝缘板上设有若干排探针插入孔和一个真空连接孔，每排探针插入孔包括若干对探针插入孔，每对探针插入孔插入对应的一组测试探针，上绝缘板上设有略大于一组测试探针的若干通孔，所述一组测试探针穿过通孔至上绝缘板上表面4mm～6mm；每排电流测试探针和电压测试探针在焊带的一端分别设有电流联接线和电压联接线，还公开了采用上述测试装置测试背接触太阳能电池片性能的方法。本发明利用背接触电池电极全在背面的结构特点而设计，结构简单，测试方法简单，测试数据精确，制作成本低。

公开(公告)号：CN102148284A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201010584827.3

申请日：2010-12-13

申请人： 浙江晶科能源有限公司

发明人： 汤安民 ,  梅晓东 ,  石峰军 ,  姜平 ,  董艳辉

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法。主要采用液态POCl3磷源，使用高浓度掺杂扩散工艺，通过改善发射极磷分布曲线，达到提高硅电池性能的目的。其采用了多次通源扩散的方法：对硅片进行预氧化后，先在较低温度下，对硅片进行第一次有源扩散；然后升到较高的温度进行第二次有源扩散；或升高到更高的温度进行第三次有源扩散。此种方法相比一次有源扩散可以在不增加成本的情况下获得的效率提升。