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公开(公告)号：CN104487748A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201280074627.0
申请日：2012-08-09
申请人： 浙江盾安人工环境股份有限公司 , 清华大学
CPC分类号： F16K99/0034 , F16K99/0042 , F16K2099/009 , F16K99/0003
摘要： 一种微阀装置及控制流体流动的方法。微阀装置包括：微阀本体，该微阀本体由多层构成，并且包括第一层(1)以及与第一层(1)结合的第二层(2)，第二层(2)具有多个流体端口(7，8，9)；腔体(6)，设置在第一层和第二层之间；多个执行器(3，4，5)，分别对应每个流体端口设置，其中多个流体端口(7，8，9)的开闭由多个执行器独立地(3，4，5)控制。控制流体的方法包括采用多个执行器分别对多个流体端口的开闭独立地进行控制。
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公开(公告)号：CN104487748B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201280074627.0
申请日：2012-08-09
申请人： 浙江盾安人工环境股份有限公司 , 清华大学
CPC分类号： F16K99/0034 , F16K99/0042 , F16K2099/009
摘要： 一种微阀装置及控制流体流动的方法。微阀装置包括：微阀本体，该微阀本体由多层构成，并且包括第一层(1)以及与第一层(1)结合的第二层(2)，第二层(2)具有多个流体端口(7，8，9)；腔室(6)，设置在第一层和第二层之间；多个执行器(3，4，5)，分别对应每个流体端口设置，其中多个流体端口(7，8，9)的开闭由多个执行器独立地(3，4，5)控制。控制流体的方法包括采用多个执行器分别对多个流体端口的开闭独立地进行控制。
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公开(公告)号：CN105659013A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201380066291.8
申请日：2013-01-11
申请人： 浙江盾安人工环境股份有限公司
IPC分类号： F16K31/02 , F16K11/065
CPC分类号： F16K99/0011 , F16K99/0028 , F16K99/0048 , F16K2099/008 , H01L41/25 , Y10T29/43
摘要： 一种微阀装置和微阀装置的制造方法，该微阀装置包括：本体，包括第一层(7)和与第一层(7)构成腔室(9)的至少第二层(8)，其中，第一层(7)具有与腔室(9)流体相通的至少两个流体端口(4，5，6)；以及对应于预定的流体端口(4，5，6)设置有压电执行器(1，2，3)，其中，压电执行器(1，2，3)置于腔室(9)中并且其应变伸缩方向平行于第一层(7)，其中，压电执行器(1，2，3)的在应变伸缩方向上的自由端用于遮挡流体端口(4，5，6)以控制流体端口(4，5，6)的开关状态。压电执行器(1，2，3)在应变伸缩方向上的自由端直接遮蔽流体端口(4，5，6)，通过控制压电执行器(1，2，3)的应变伸缩，实现了对流体端口(4，5，6)直接控制的目的。
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公开(公告)号：CN105659013B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201380066291.8
申请日：2013-01-11
申请人： 浙江盾安人工环境股份有限公司
IPC分类号： F16K31/02 , F16K11/065
CPC分类号： F16K99/0011 , F16K99/0028 , F16K99/0048 , F16K2099/008 , H01L41/25 , Y10T29/43
摘要： 一种微阀装置和微阀装置的制造方法，该微阀装置包括：本体，包括第一层(7)和与第一层(7)构成腔室(9)的至少第二层(8)，其中，第一层(7)具有与腔室(9)流体相通的至少两个流体端口(4，5，6)；以及对应于预定的流体端口(4，5，6)设置有压电执行器(1，2，3)，其中，压电执行器(1，2，3)置于腔室(9)中并且其应变伸缩方向平行于第一层(7)，其中，压电执行器(1，2，3)的在应变伸缩方向上的自由端用于遮挡流体端口(4，5，6)以控制流体端口(4，5，6)的开关状态。压电执行器(1，2，3)在应变伸缩方向上的自由端直接遮蔽流体端口(4，5，6)，通过控制压电执行器(1，2，3)的应变伸缩，实现了对流体端口(4，5，6)直接控制的目的。
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公开(公告)号：CN101359761A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810223024.8
申请日：2008-09-26
申请人： 清华大学
摘要： 一种自旋极化电流驱动的微波振荡器件结构和制备方法，属于自旋输运器件技术领域。其特征在于，采用氧化硅衬底，通过超高真空磁控溅射制备的一种“固定层(铁磁)/隔离层(非磁)/自由层(铁磁)”的多层膜结构，再通过电子束曝光、Ar离子束刻蚀、正胶剥离等微电子工艺将多层膜结构加工为横向尺寸在100±50纳米的柱状结构。分别在多层膜的顶层和底层膜面制作出上下电极，使注入电流方向垂直于金属多层膜平面。本发明的优点在于固定层和自由层的初始磁化方向都位于膜平面内，且相互垂直，可以使自由层获得最大的横向自旋注入，从而产生大幅度的自旋进动，有利于获得大的微波功率输出，并且不需要外加磁场。
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公开(公告)号：CN1309094C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410006243.2
申请日：2004-03-17
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/88
摘要： 本发明公开了属于新型半导体器件和纳米电子器件领域的一种基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管。采用应变SiGe层做空穴量子阱，用Si做空穴势垒，形成空穴的双势垒单量子阱结构。用高掺杂P型Si作衬底，在此衬底上采用化学气相淀积方法或分子束外延等方法依次淀积上未掺杂的SiGe层、Si层、SiGe层、Si层、SiGe层及重掺杂的P型Si形成的台面结构，并分别在衬底上和台面结构上形成的电极。实验证明在室温下对样品进行电流电压特性测试能够观察到明显的微分负阻现象。制作工艺与当前主流的Si半导体平面工艺相兼容，能够更有效的提高集成电路的集成度。
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公开(公告)号：CN1604331A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410091126.0
申请日：2004-11-19
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L27/10
摘要： 本发明涉及一种基于纵向双势垒共振隧穿结构的量子点存储器，属于半导体器件设计领域，该量子点存储器基本结构由在Si衬底上依次外延生长的多层结构和源、漏电极组成，其特征在于，该多层结构主要由控制栅极、控制氧化层、量子点浮栅层、双势垒共振隧穿层和SiGe沟道构成。本发明最主要的特点是隧穿势垒通过双异质结实现，可以实现结晶完美的双势垒隧穿层，可以在较大的隧穿层厚度的条件下，解决传统非挥发存储器中读写速度、编程电压和数据保存时间之间的矛盾，能够在保证读写速度和数据保存时间的同时降低编程电压，从而降低功耗。
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公开(公告)号：CN1564325A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410006243.2
申请日：2004-03-17
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/88
摘要： 本发明公开了属于新型半导体器件和纳米电子器件领域的一种基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管。采用应变SiGe层做空穴量子阱，用Si做空穴势垒，形成空穴的双势垒单量子阱结构。用高掺杂P型Si作衬底，在此树底上采用化学气相淀积方法或分子束外延等方法依次淀积上未掺杂的SiGe层、Si层、SiGe层、Si层、SiGe层及重掺杂的P型Si形成的台面结构，并分别在衬底上和台面结构上形成的电极。实验证明在室温下对样品进行电流电压特性测试能够观察到明显的微分负阻现象。制作工艺与当前主流的Si半导体平面工艺相兼容，能够更有效地提高集成电路的集成度。
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公开(公告)号：CN101527420B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910081574.5
申请日：2009-04-13
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01S1/02
摘要： 电流驱动对称磁多层结构微波振荡器，属于微波技术领域，其特征在于：由两个铁磁膜组成，具有相同厚度，在2-6纳米间，中间被一薄的非磁层隔开，厚度1-3纳米(对非磁金属层)或0.5-1.5纳米(对绝缘层)。纳米磁多层柱的上、下都有金属层作为电极。一个恒定不变的直流电流垂直通过该磁多层结构时，产生自旋极化和自旋矩传输，并施加自旋矩于每一磁层。当电流超过临界值时，引起两个磁膜的磁化矢量交替翻转方向，并导致磁多层电阻的周期性变化，从而产生稳定的微波振荡。振荡频率与电流呈线性关系，在1-100GHz间。微波功率也可以用电流调节，在1微瓦-1毫瓦。全金属结构为4％，磁隧道结结构为30％。
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公开(公告)号：CN101777569A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010033996.8
申请日：2010-01-12
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提出一种磁存储单元，包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅电极与位线相连；位于所述第一晶体管的沟道绝缘层和栅电极之间的磁性隧道结MTJ；和第二晶体管，所述第二晶体管的源/漏极之一与所述MTJ串行连接，其中，所述磁存储单元的写操作由所述第一晶体管控制，所述磁存储单元的读操作由所述第二晶体管控制。本发明将磁存储单元的写操作和读操作分别设在两个通路上进行，从而在保证磁存储单元性能的基础上，大大地减小了写操作时所需的晶体管的沟道宽度，从而减小整个磁存储单元的面积。
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