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公开(公告)号：CN110339475B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201910700857.7
申请日：2019-07-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了多针管阵列及具有其的注射针头与注射器，所述多针管阵列包括：固定部件，所述固定部件的顶端和底端中间均设有由等高侧壁围成的敞口池，所述顶端敞口池与底端敞口池通过通孔连通，所述通孔包括自上而下相连的顶端通孔和底端通孔；至少两个注射针管，每个所述注射针管的尾端经过所述顶端通孔穿入所述底端通孔，所述注射针管的尖端凸出所述固定部件的侧壁顶端并向上延伸，每个所述注射针管均有一一对应的所述通孔；胶层，所述注射针管外壁与通孔侧壁之间的空间内填充有胶层，适于将所述注射针管固定于所述通孔中。本发明的多针管阵列结构小巧、简单、坚固，制作工艺简便，成品率高，一致性与均匀性好且成本低，应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN115130422B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202210570158.7
申请日：2022-05-24
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种标准单元的自动构建方法及装置、终端和存储介质。其中，该自动构建方法，包括：获取金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOS序列，并对MOS序列进行布局前检查，得到满足布局前检查条件的MOS序列；基于摆放规则，对满足布局前检查条件的MOS序列进行自动摆放，得到摆放后的MOS序列；确定标准单元高度，并根据标准单元高度对摆放后的MOS序列进行统一高度布局，以得到MOS序列对应的标准单元。采用上述方案的本申请可以降低标准单元的设计周期，开发费用以及风险率。
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公开(公告)号：CN113952609B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202111296156.5
申请日：2021-11-03
Applicant: 清华大学
IPC: A61M37/00
Abstract: 本发明公开了一种空心金属微针阵列及其的制备方法、经皮给药贴片、注射针头，其中该阵列包括衬底、多个金属毛细管和结构胶；衬底的相同侧的表面上形成有凹槽，凹槽的两个侧壁上形成有贯通的多对定位槽，多对定位槽沿衬底的长度方向上按照设定间距排列且互相平行；多个金属毛细管分别一一对应地设置在多对定位槽中且多个金属毛细管的相同侧的一端均为针头并伸出衬底，从而形成针头阵列，针头阵列中的同一排的针头具有相同朝向的主斜面；结构胶涂覆在凹槽和多对定位槽中固化并将多个金属毛细管固定在衬底上。该阵列便于将全部微针刺入皮肤且无痛感，单个微针载药量大、结构牢固可靠、易于加工、成本低。
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公开(公告)号：CN112966700A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110335529.9
申请日：2021-03-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请提出了一种毫米波图像目标检测方法，涉及计算机视觉技术领域，其中，该方法包括：获取原始毫米波图像数据；根据原始毫米波图像数据的数据格式恢复出毫米波图像的三维空间结构数据，并压缩成二维平面数据；对二维平面数据进行降噪，并对降噪后的数据进行标准化处理；并制作成毫米波数据集，对毫米波数据集中的数据的特点进行分析，并根据数据的特点选取深度学习模型；用毫米波数据集对选取的深度学习模型进行训练和测试，得到深度学习模型的测试结果；根据测试结果与评价指标对深度学习模型进行优化，以得到最优模型。采用上述方案的本发明解决了主动式毫米波图像中危险物品的定位和识别的技术问题，从而能够提高公共场所人体安检的效率。
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公开(公告)号：CN112245792A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011260037.X
申请日：2020-11-12
Applicant: 清华大学
IPC: A61M37/00
Abstract: 本发明公开了一种空心金属微针阵列及其的制备方法、经皮给药贴片，其中该阵列包括衬底、多个金属毛细管和结构胶；衬底的相同侧的表面上形成有凹槽，凹槽的两个侧壁上形成有贯通的多对定位槽，多对定位槽沿衬底的长度方向上按照设定间距排列且互相平行；多个金属毛细管分别一一对应地设置在多对定位槽中且多个金属毛细管的相同侧的一端均为针头并伸出衬底，从而形成针头阵列，针头阵列中的同一排的针头具有相同朝向的主斜面；结构胶涂覆在凹槽和多对定位槽中固化并将多个金属毛细管固定在衬底上。该阵列便于将全部微针刺入皮肤且无痛感，单个微针载药量大、结构牢固可靠、易于加工、成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111799322A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010598803.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种面向高频应用的双沟槽型SiC MOSFET结构及制造方法，其中，双沟槽型SiC MOSFET结构构建在N++型SiC衬底上的N-型SiC外延层，包括：栅极沟槽、源极沟槽、N+源区、P型基区、P+屏蔽区、N型电流扩展区和N-型外延层，其中，N+源区和P型基区由上至下排列，P+屏蔽区位于P型基区和源极沟槽的下方，N型电流扩展区位于P+屏蔽区的外侧，N-型外延层位于栅极沟槽的槽底中间区域和N型电流扩展区的下方。该结构既有传统双沟槽型SiC MOSFET的优异静态品质因子，又能够明显降低开关损耗、提高短路耐受能力。
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公开(公告)号：CN105550482B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610097403.1
申请日：2016-02-23
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅肖特基二极管的Spice模型及其构建方法，模型包括：压控电容，用于表示碳化硅肖特基二极管的耗尽层电容；压控电阻，与所述压控电容并联，用于表示所述碳化硅肖特基二极管的耗尽层电流；压控体电阻，与所述压控电容和所述压控电阻并联的节点串联，用于表示所述碳化硅肖特基二极管的体电阻；以及接触电阻，与所述压控体电阻串联。本发明具有如下优点：得到的二极管动态曲线同实验数据匹配良好。此模型可以用于准确评估二极管的动态性能，同时可以用于指导碳化硅肖特基二极管的设计及应用。
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公开(公告)号：CN108736840A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810417319.2
申请日：2018-05-04
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开一种基于差分耦合线的毫米波放大器匹配电路，属于射频与毫米波太赫兹集成电路设计领域，该电路由两级放大电路和连接于两级放大电路间的匹配网络构成；各级放大电路均分别包括一个NMOS晶体管、一个反馈电容和一组差分耦合线；所述匹配网络分为输入匹配网络、级间匹配网络和输出匹配网络；所述输入匹配网络采用第三差分耦合线，所述级间匹配网络包括第四差分耦合线和第一隔直电容，所述输出匹配网络包括第五差分耦合线和第二隔直电容；各组差分耦合线均分别由两根平行放置且相互耦合的传输线组成。本发明在保证功耗不变的前提下，能大幅提高增益，同等条件下增强稳定性，减小版图面积，从而提高放大器的性能。
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公开(公告)号：CN105349577B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201510535798.4
申请日：2015-08-27
Applicant: 清华大学
IPC: C12N15/84 , A01H5/00 , C12N15/113 , A01H6/82
Abstract: 本发明提供了一种提高植物叶片淀粉含量的方法。本发明提供的提高植物叶片淀粉含量的方法包括将抑制微管蛋白基因TUB8表达的物质导入受体植物中，得到淀粉含量提高的转基因植物或在含有微管解聚剂的培养基中培养植物，实现植物叶片中淀粉含量的提高。通过实验证明：本发明提供的下调微管蛋白基因表达或施用微管解聚剂的方法简单、方便、可重复性好，能够很有效增加植物叶片淀粉的含量，有利于推动农业生产中高淀粉含量的材料的获得以及该些材料在生物能源制造等其他重要产业上的应用，为通过干扰微管实现植物绿色组织淀粉含量的提升提供了重要的理论支持。
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公开(公告)号：CN105528486B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201510894403.X
申请日：2015-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管源漏电阻的提取方法，属于半导体器件参数提取领域。该方法先选择相同栅宽W、相同栅长L、不同Halo注入剂量的多个晶体管，将栅端偏置在相同的过驱动电压下，并求得每个晶体管的总电阻；对Halo注入剂量和总电阻进行线性拟合，将拟合曲线外推至Halo注入剂量为0，截距R即为总电阻；再选择相同栅宽W、相同Halo注入剂量N、不同栅长的多个晶体管，将栅端偏置在相同的过驱动电压下，并求得每个晶体管的总电阻；对晶体管的栅长和总电阻进行线性拟合，计算得到拟合曲线的斜率K；对栅宽W、栅长L、Halo注入剂量N的晶体管，根据公式Rsd＝R‑K*L计算得到其源漏电阻Rsd。该方法适用于具有非均匀沟道掺杂的晶体管，且大幅提升源漏电阻提取精度。
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