专利检索 ap:("浙江铖昌科技有限公司") AND inv:"程明芳" 第 1 页

1.

发明公开
一种砷化镓芯片和CMOS芯片三维封装结构和制作工艺无效

公开(公告)号：CN109904078A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910056401.1

申请日：2019-01-22

申请人： 浙江铖昌科技有限公司

发明人： 朱东迪 , 郑骎 , 程明芳 , 陈德鑫 , 王志宇

IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/488

摘要： 本发明公开了一种砷化镓芯片和CMOS芯片三维封装结构和制作工艺，其中结构包括：砷化镓芯片作为射频部分，砷化镓芯片的逻辑和控制线连接至砷化镓芯片焊盘，通过Bumping工艺在砷化镓芯片焊盘上生长起砷化镓凸起金属柱作为对外电气连接的接口；CMOS芯片作为逻辑控制和电源管理部分，CMOS芯片的所有连接线连接至CMOS芯片焊盘，通过Bumping工艺在CMOS芯片焊盘上生长CMOS芯片凸起金属柱作为对外电气连接的接口；砷化镓芯片和CMOS芯片通过砷化镓芯片凸起金属柱和CMOS芯片凸起金属柱堆叠连接进行三维封装，砷化镓芯片凸起金属柱和CMOS芯片凸起金属柱通过焊料固定连接。