公开(公告)号：CN109946651A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910056213.9

申请日：2019-01-22

申请人： 浙江铖昌科技有限公司

发明人： 王岗 ,  王立平 ,  陈德鑫 ,  王志宇

IPC分类号： G01S7/02

摘要： 本发明公开了一种基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片，芯片射频部分采用高性能砷化镓芯片，包括四个一样的单通道，分别为第一通道CH1、第二通道CH2、第三通道CH3和第四通道CH4，四个单通道分别与一分四功分器四个端口相连，每个通道包括6位数控衰减器ATT、6为数控移相器PHS、低噪声放大器LNA、驱动放大器DRV1、驱动放大器DRV2、功率放大器PA、单刀三掷开关SP3T、限幅器Limiter；芯片逻辑控制用CMOS芯片做成多功能芯片的控制电路，将CMOS芯片与砷化镓多功能芯片倒装，形成一体化三维封装结构。通过本发明实施例实现的基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片，具有体积小，成本低，一致性好，可靠性高和调试简单的优点。

公开(公告)号：CN109904078A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910056401.1

申请日：2019-01-22

申请人： 浙江铖昌科技有限公司

发明人： 朱东迪 ,  郑骎 ,  程明芳 ,  陈德鑫 ,  王志宇

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

摘要： 本发明公开了一种砷化镓芯片和CMOS芯片三维封装结构和制作工艺，其中结构包括：砷化镓芯片作为射频部分，砷化镓芯片的逻辑和控制线连接至砷化镓芯片焊盘，通过Bumping工艺在砷化镓芯片焊盘上生长起砷化镓凸起金属柱作为对外电气连接的接口；CMOS芯片作为逻辑控制和电源管理部分，CMOS芯片的所有连接线连接至CMOS芯片焊盘，通过Bumping工艺在CMOS芯片焊盘上生长CMOS芯片凸起金属柱作为对外电气连接的接口；砷化镓芯片和CMOS芯片通过砷化镓芯片凸起金属柱和CMOS芯片凸起金属柱堆叠连接进行三维封装，砷化镓芯片凸起金属柱和CMOS芯片凸起金属柱通过焊料固定连接。