公开(公告)号：CN110311033A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910643425.7

申请日：2019-07-17

申请人： 浙江驰拓科技有限公司 ,  南京大学

发明人： 杜军 ,  魏陆军 ,  徐永兵 ,  刘若柏 ,  袁源 ,  王佶 ,  刘波

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 本发明公开了一种电调控交换偏置方法，包括以下步骤：S11：电调控器件的原始态处于高阻态。将电调控器件的电压从0V开始向负电压扫描，扫描至-4.2V时的限制电流设定为1mA，此时电调控器件开启，由高阻态转化为低阻态，矫顽力和交换偏置场处于最小值。然后继续扫描至-5V，再从-5V扫描至0V；S21：取消限流，从0V开始向正电压扫描，扫描至3.2V时电调控器件重置，由低阻态转化为高阻态，矫顽力和交换偏置场处于最大值；然后继续扫描至5V，再从5V扫描至0V。本发明还公开了一种电调控器件及其制备方法。本发明能够实现室温下、可逆、非易失、可重复的电调控交换偏置效应。

公开(公告)号：CN107091999B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201710165123.4

申请日：2017-03-20

申请人： 南京大学

发明人： 徐永兵 ,  吴振尧 ,  刘波 ,  阮学忠 ,  吴竞 ,  杜军

IPC分类号： G01R33/12

摘要： 利用飞秒脉冲激光调控MRAM材料的本征阻尼因子,飞秒脉冲激光在样品局域位置改变功率相当于进行局部高温退火处理，通过功率增加使得本征阻尼因子达到室温8倍左右。CoFeB/MgO结构一直以来是用于制作磁隧道结的重要材料体系，并且在磁性随机存储器应用中有着十分重要的地位。本发明利用脉冲激光的局域的瞬时高温加热来改变样品的局部特征，从而改变材料本身的阻尼因子。由于光斑大小在显微物镜或者普通透镜的调节下在一纳米至几个毫米之间变化，不仅适合在极小单元‑纳米尺度下改变磁性材料的阻尼大小，在宏观尺度下调控磁性材料的阻尼因子。本发明中涉及到的样品依次包括基片，探测磁性层和覆盖层。脉冲激光重复频率为1000Hz，脉冲宽度为50fs，功率密度调节范围大。

公开(公告)号：CN107091999A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710165123.4

申请日：2017-03-20

申请人： 南京大学

发明人： 徐永兵 ,  吴振尧 ,  刘波 ,  阮学忠 ,  吴竞 ,  杜军

IPC分类号： G01R33/12

CPC分类号： G01R33/1207

摘要： 利用飞秒脉冲激光调控MRAM材料的本征阻尼因子,飞秒脉冲激光在样品局域位置改变功率相当于进行局部高温退火处理，通过功率增加使得本征阻尼因子达到室温8倍左右。CoFeB/MgO结构一直以来是用于制作磁隧道结的重要材料体系，并且在磁性随机存储器应用中有着十分重要的地位。本发明利用脉冲激光的局域的瞬时高温加热来改变样品的局部特征，从而改变材料本身的阻尼因子。由于光斑大小在显微物镜或者普通透镜的调节下在一纳米至几个毫米之间变化，不仅适合在极小单元‑纳米尺度下改变磁性材料的阻尼大小，在宏观尺度下调控磁性材料的阻尼因子。本发明中涉及到的样品依次包括基片，探测磁性层和覆盖层。脉冲激光重复频率为1000Hz，脉冲宽度为50fs，功率密度调节范围大。