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公开(公告)号：CN107924807B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201680050641.5
申请日：2016-08-09
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 一种微通道板(10)，其具备：基体(11)，其具有输入面(11a)及输出面(11b)；多个通道(12)，其从基体的输入面贯通至输出面；电子发射膜(14)，其设置于通道的内壁面(12a)；保护膜(15)，其设置于电子发射膜上；输入电极(16)及输出电极(17)，其分别设置于基体的输入面上及输出面上。电子发射膜由Al2O3形成。保护膜由SiO2形成。电子发射膜的厚度比保护膜的厚度厚。
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公开(公告)号：CN110998785B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201880050505.5
申请日：2018-05-14
申请人： 浜松光子学株式会社
IPC分类号： H01J40/06
摘要： 透过型光电阴极具备：光透过性基板，其具有入射光的第一表面以及出射从第一表面侧入射的光的第二表面；光电变换层，其被设置于光透过性基板的第二表面侧，并且将从第二表面被出射的光转换为光电子；光透过性导电层，其由设置于光透过性基板和光电变换层之间的单层的石墨烯构成；以及具有光透过性的热应力缓和层，其被设置于光电变换层和光透过性导电层之间。热应力缓和层的热膨胀系数比光电变换层的热膨胀系数小，并且比石墨烯的热膨胀系数大。
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公开(公告)号：CN107924807A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680050641.5
申请日：2016-08-09
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 一种微通道板(10)，其具备：基体(11)，其具有输入面(11a)及输出面(11b)；多个通道(12)，其从基体的输入面贯通至输出面；电子发射膜(14)，其设置于通道的内壁面(12a)；保护膜(15)，其设置于电子发射膜上；输入电极(16)及输出电极(17)，其分别设置于基体的输入面上及输出面上。电子发射膜由Al2O3形成。保护膜由SiO2形成。电子发射膜的厚度比保护膜的厚度厚。
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公开(公告)号：CN105684122A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480058539.0
申请日：2014-08-08
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 透过型光电阴极(2)包括：光透过性基板(4)，其具有光入射的外侧面(4a)和出射从外侧面(4a)侧入射的光的内侧面(4b)；设置在光透过性基板(4)的内侧面(4b)侧、将从内侧面(4b)出射的光转换为光电子的光电转换层(5)；和设置在光透过性基板(4)和光电转换层(5)之间的由石墨烯构成的光透过性导电层(6)。
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公开(公告)号：CN104603907A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380046343.5
申请日：2013-07-31
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 在本发明所涉及的电子管(1)中，具有电绝缘层以及导电层的层叠结构或者电绝缘材料以及导电材料的混合结构的电子膜(31)是以通过使用原子层沉积法从而覆盖第2外壳层12的内壁面以及外壁面的整体形式被形成的。通过使用原子层沉积法从而无须含有如粘合剂那样的材料就能够将具有所希望的电阻值的牢固而且致密的电阻膜(31)形成于绝缘面上。然后，通过使电阻膜(31)具有一点点导电性从而就能够抑制发生由于绝缘面的带电等引起的耐压不良，并且能够实现耐电压特性的稳定化。
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公开(公告)号：CN110998785A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050505.5
申请日：2018-05-14
申请人： 浜松光子学株式会社
IPC分类号： H01J40/06
摘要： 透过型光电阴极具备：光透过性基板，其具有入射光的第一表面以及出射从第一表面侧入射的光的第二表面；光电变换层，其被设置于光透过性基板的第二表面侧，并且将从第二表面被出射的光转换为光电子；光透过性导电层，其由设置于光透过性基板和光电变换层之间的单层的石墨烯构成；以及具有光透过性的热应力缓和层，其被设置于光电变换层和光透过性导电层之间。热应力缓和层的热膨胀系数比光电变换层的热膨胀系数小，并且比石墨烯的热膨胀系数大。
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