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公开(公告)号：CN102318067B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080007864.6
申请日：2010-02-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14623 , H01L27/14689
Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的影像传感器(1)排列有多个埋入型光电二极管(PD(m，n))。该埋入型光电二极管(PD(m，n))分别具备第1导电类型的第1半导体区域(10)、形成于第1半导体区域(10)上且第2导电类型的杂质浓度低的第2半导体区域(20)、以覆盖第2半导体区域(20)的表面的方式形成于第2半导体区域(20)上的第1导电类型的第3半导体区域(30)、以及用于从第2半导体区域(20)取出电荷的第2导电类型的第4半导体区域(40)，第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上间隔地配置有多个。
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公开(公告)号：CN102318066B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201080007754.X
申请日：2010-02-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14643
Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的线性图像传感器(1)，其排列有多个长形的埋入型光电二极管PD(n)。各个该埋入型光电二极管PD(n)具备：第1导电类型的第1半导体区域(10)；长形的第2半导体区域(20)，其形成于第1半导体区域(10)上，且第2导电类型的杂质浓度较低；第1导电类型的第3半导体区域(30)，其以覆盖第2半导体区域(20)的表面的形式而形成于第2半导体区域(20)上；以及第2导电类型的第4半导体区域(40)，其用于从第2半导体区域(20)取出电荷，第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上，以在长度方向上隔开的方式而配置成多个。
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公开(公告)号：CN102318067A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007864.6
申请日：2010-02-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14623 , H01L27/14689
Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的影像传感器(1)排列有多个埋入型光电二极管(PD(m，n))。该埋入型光电二极管(PD(m，n))分别具备第1导电类型的第1半导体区域(10)、形成于第1半导体区域(10)上且第2导电类型的杂质浓度低的第2半导体区域(20)、以覆盖第2半导体区域(20)的表面的方式形成于第2半导体区域(20)上的第1导电类型的第3半导体区域(30)、以及用于从第2半导体区域(20)取出电荷的第2导电类型的第4半导体区域(40)，第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上间隔地配置有多个。
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公开(公告)号：CN102318066A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007754.X
申请日：2010-02-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14643
Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的线性图像传感器(1)，其排列有多个长形的埋入型光电二极管PD(n)。各个该埋入型光电二极管PD(n)具备：第1导电类型的第1半导体区域(10)；长形的第2半导体区域(20)，其形成于第1半导体区域(10)上，且第2导电类型的杂质浓度较低；第1导电类型的第3半导体区域(30)，其以覆盖第2半导体区域(20)的表面的形式而形成于第2半导体区域(20)上；以及第2导电类型的第4半导体区域(40)，其用于从第2半导体区域(20)取出电荷，第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上，以在长度方向上隔开的方式而配置成多个。
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