致动器装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108474941B

    公开(公告)日:2020-11-20

    申请号:CN201680079469.6

    申请日:2016-12-22

    Abstract: 致动器装置(1)包括:支撑部(5);可动部(6);以可动部(6)可在第二轴线(X2)周围摇动的方式将可动部(6)在第二轴线(X2)上与支撑部(5)连结的连结部(8);设置于连结部(8)上的第一配线(21);和设置于支撑部(5)上的第二配线(31)。构成第一配线(21)的第一金属材料与构成第二配线(31)的第二金属材料相比,刚性高。第二配线(31)与第一连接部分(25)中位于支撑部(5)上的第一连接部分(25)中的支撑部(5)的相反侧的表面(25a)连接。

    影像传感器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102318067A

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN201080007864.6

    申请日:2010-02-08

    Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的影像传感器(1)排列有多个埋入型光电二极管(PD(m,n))。该埋入型光电二极管(PD(m,n))分别具备第1导电类型的第1半导体区域(10)、形成于第1半导体区域(10)上且第2导电类型的杂质浓度低的第2半导体区域(20)、以覆盖第2半导体区域(20)的表面的方式形成于第2半导体区域(20)上的第1导电类型的第3半导体区域(30)、以及用于从第2半导体区域(20)取出电荷的第2导电类型的第4半导体区域(40),第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上间隔地配置有多个。

    线性图像传感器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102318066A

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN201080007754.X

    申请日:2010-02-08

    Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的线性图像传感器(1),其排列有多个长形的埋入型光电二极管PD(n)。各个该埋入型光电二极管PD(n)具备:第1导电类型的第1半导体区域(10);长形的第2半导体区域(20),其形成于第1半导体区域(10)上,且第2导电类型的杂质浓度较低;第1导电类型的第3半导体区域(30),其以覆盖第2半导体区域(20)的表面的形式而形成于第2半导体区域(20)上;以及第2导电类型的第4半导体区域(40),其用于从第2半导体区域(20)取出电荷,第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上,以在长度方向上隔开的方式而配置成多个。

    致动器装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112731652B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202011562410.7

    申请日:2016-12-22

    Abstract: 致动器装置(1)具备:支撑部(5);可动部(6);连结部(8),以可动部(6)能够在第二轴线(X2)周围摇动的方式在第二轴线(X2)上将可动部(6)连结于支撑部(5);第一配线(21),被设置于连结部(8)上;第二配线(31),被设置于支撑部(5)上;绝缘层(52),具有使第一配线(21)以及第二配线(31)的一方的配线中位于支撑部(5)上的第一连接部分(25)中的支撑部(5)的相反侧的表面(25a)露出的第一开口(52a)并且覆盖第一连接部分(25)的角(25b)。构成第一配线(21)的第一金属材料其刚性高于构成第二配线(31)的第二金属材料。第一配线(21)以及第二配线(31)的另一方的配线在第一开口(52a)被连接于第一连接部分(25)的表面(25a)。

    致动器装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112731652A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011562410.7

    申请日:2016-12-22

    Abstract: 致动器装置(1)具备:支撑部(5);可动部(6);连结部(8),以可动部(6)能够在第二轴线(X2)周围摇动的方式在第二轴线(X2)上将可动部(6)连结于支撑部(5);第一配线(21),被设置于连结部(8)上;第二配线(31),被设置于支撑部(5)上;绝缘层(52),具有使第一配线(21)以及第二配线(31)的一方的配线中位于支撑部(5)上的第一连接部分(25)中的支撑部(5)的相反侧的表面(25a)露出的第一开口(52a)并且覆盖第一连接部分(25)的角(25b)。构成第一配线(21)的第一金属材料其刚性高于构成第二配线(31)的第二金属材料。第一配线(21)以及第二配线(31)的另一方的配线在第一开口(52a)被连接于第一连接部分(25)的表面(25a)。

    致动器装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108474941A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201680079469.6

    申请日:2016-12-22

    Abstract: 致动器装置(1)包括:支撑部(5);可动部(6);以可动部(6)可在第二轴线(X2)周围摇动的方式将可动部(6)在第二轴线(X2)上与支撑部(5)连结的连结部(8);设置于连结部(8)上的第一配线(21);和设置于支撑部(5)上的第二配线(31)。构成第一配线(21)的第一金属材料与构成第二配线(31)的第二金属材料相比,刚性高。第二配线(31)与第一连接部分(25)中位于支撑部(5)上的第一连接部分(25)中的支撑部(5)的相反侧的表面(25a)连接。

    致动器装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108474938B

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN201680079450.1

    申请日:2016-12-22

    Abstract: 致动器装置(1)具备:支撑部(5);可动部(6);连结部(8),以可动部(6)能够在第二轴线(X2)周围摇动的方式在第二轴线(X2)上将可动部(6)连结于支撑部(5);第一配线(21),被设置于连结部(8)上;第二配线(31),被设置于支撑部(5)上;绝缘层(52),具有使第一配线(21)以及第二配线(31)的一方的配线中位于支撑部(5)上的第一连接部分(25)中的支撑部(5)的相反侧的表面(25a)露出的第一开口(52a)并且覆盖第一连接部分(25)的角(25b)。构成第一配线(21)的第一金属材料其刚性高于构成第二配线(31)的第二金属材料。第一配线(21)以及第二配线(31)的另一方的配线在第一开口(52a)被连接于第一连接部分(25)的表面(25a)。

    致动器装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108474938A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201680079450.1

    申请日:2016-12-22

    Abstract: 致动器装置(1)具备:支撑部(5);可动部(6);连结部(8),以可动部(6)能够在第二轴线(X2)周围摇动的方式在第二轴线(X2)上将可动部(6)连结于支撑部(5);第一配线(21),被设置于连结部(8)上;第二配线(31),被设置于支撑部(5)上;绝缘层(52),具有使第一配线(21)以及第二配线(31)的一方的配线中位于支撑部(5)上的第一连接部分(25)中的支撑部(5)的相反侧的表面(25a)露出的第一开口(52a)并且覆盖第一连接部分(25)的角(25b)。构成第一配线(21)的第一金属材料其刚性高于构成第二配线(31)的第二金属材料。第一配线(21)以及第二配线(31)的另一方的配线在第一开口(52a)被连接于第一连接部分(25)的表面(25a)。

    影像传感器
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102318067B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201080007864.6

    申请日:2010-02-08

    Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的影像传感器(1)排列有多个埋入型光电二极管(PD(m,n))。该埋入型光电二极管(PD(m,n))分别具备第1导电类型的第1半导体区域(10)、形成于第1半导体区域(10)上且第2导电类型的杂质浓度低的第2半导体区域(20)、以覆盖第2半导体区域(20)的表面的方式形成于第2半导体区域(20)上的第1导电类型的第3半导体区域(30)、以及用于从第2半导体区域(20)取出电荷的第2导电类型的第4半导体区域(40),第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上间隔地配置有多个。

    线性图像传感器
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102318066B

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201080007754.X

    申请日:2010-02-08

    Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的线性图像传感器(1),其排列有多个长形的埋入型光电二极管PD(n)。各个该埋入型光电二极管PD(n)具备:第1导电类型的第1半导体区域(10);长形的第2半导体区域(20),其形成于第1半导体区域(10)上,且第2导电类型的杂质浓度较低;第1导电类型的第3半导体区域(30),其以覆盖第2半导体区域(20)的表面的形式而形成于第2半导体区域(20)上;以及第2导电类型的第4半导体区域(40),其用于从第2半导体区域(20)取出电荷,第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上,以在长度方向上隔开的方式而配置成多个。

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