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公开(公告)号：CN102318067A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007864.6
申请日：2010-02-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14623 , H01L27/14689
Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的影像传感器(1)排列有多个埋入型光电二极管(PD(m，n))。该埋入型光电二极管(PD(m，n))分别具备第1导电类型的第1半导体区域(10)、形成于第1半导体区域(10)上且第2导电类型的杂质浓度低的第2半导体区域(20)、以覆盖第2半导体区域(20)的表面的方式形成于第2半导体区域(20)上的第1导电类型的第3半导体区域(30)、以及用于从第2半导体区域(20)取出电荷的第2导电类型的第4半导体区域(40)，第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上间隔地配置有多个。
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公开(公告)号：CN102318066A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007754.X
申请日：2010-02-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14643
Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的线性图像传感器(1)，其排列有多个长形的埋入型光电二极管PD(n)。各个该埋入型光电二极管PD(n)具备：第1导电类型的第1半导体区域(10)；长形的第2半导体区域(20)，其形成于第1半导体区域(10)上，且第2导电类型的杂质浓度较低；第1导电类型的第3半导体区域(30)，其以覆盖第2半导体区域(20)的表面的形式而形成于第2半导体区域(20)上；以及第2导电类型的第4半导体区域(40)，其用于从第2半导体区域(20)取出电荷，第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上，以在长度方向上隔开的方式而配置成多个。
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公开(公告)号：CN113169195A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980071528.9
申请日：2019-09-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 固体摄像装置(1)具备：半导体基板(20)，其具有设置有多个光感应区域(3)的主面(20a)；及绝缘膜(30)，其设置于半导体基板(20)的主面(20a)；在将半导体基板(20)的主面(20a)设为基准面(K)的情况下，自基准面(K)起的绝缘膜(30)的厚度(T)为0.5μm以上，绝缘膜(30)中的与主面相反侧的面(主面(30b))为具有平坦性的面，在光感应区域(3)中，在半导体基板(20)的主面(20a)设置有自基准面(K)起的深度互不相同的多种底面(R)。
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公开(公告)号：CN102318067B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080007864.6
申请日：2010-02-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14623 , H01L27/14689
Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的影像传感器(1)排列有多个埋入型光电二极管(PD(m，n))。该埋入型光电二极管(PD(m，n))分别具备第1导电类型的第1半导体区域(10)、形成于第1半导体区域(10)上且第2导电类型的杂质浓度低的第2半导体区域(20)、以覆盖第2半导体区域(20)的表面的方式形成于第2半导体区域(20)上的第1导电类型的第3半导体区域(30)、以及用于从第2半导体区域(20)取出电荷的第2导电类型的第4半导体区域(40)，第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上间隔地配置有多个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102318066B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201080007754.X
申请日：2010-02-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14643
Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的线性图像传感器(1)，其排列有多个长形的埋入型光电二极管PD(n)。各个该埋入型光电二极管PD(n)具备：第1导电类型的第1半导体区域(10)；长形的第2半导体区域(20)，其形成于第1半导体区域(10)上，且第2导电类型的杂质浓度较低；第1导电类型的第3半导体区域(30)，其以覆盖第2半导体区域(20)的表面的形式而形成于第2半导体区域(20)上；以及第2导电类型的第4半导体区域(40)，其用于从第2半导体区域(20)取出电荷，第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上，以在长度方向上隔开的方式而配置成多个。
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公开(公告)号：CN113169195B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201980071528.9
申请日：2019-09-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/76
Abstract: 固体摄像装置(1)具备：半导体基板(20)，其具有设置有多个光感应区域(3)的主面(20a)；及绝缘膜(30)，其设置于半导体基板(20)的主面(20a)；在将半导体基板(20)的主面(20a)设为基准面(K)的情况下，自基准面(K)起的绝缘膜(30)的厚度(T)为0.5μm以上，绝缘膜(30)中的与主面相反侧的面(主面(30b))为具有平坦性的面，在光感应区域(3)中，在半导体基板(20)的主面(20a)设置有自基准面(K)起的深度互不相同的多种底面(R)。
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公开(公告)号：CN115362552A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180026828.2
申请日：2021-01-20
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/144 , H04N5/369
Abstract: 固体摄像装置(1)具备：半导体基板(20)，其具有设置有多个光感应区域(3)的主面(20a)；及绝缘膜(30)，其设置于半导体基板(20)的主面(20a)。在绝缘膜(30)中的半导体基板(20)的主面(20a)的相反侧的面(主面(30b))，形成有多个凹凸(R)，在光感应区域(3)中，存在多个凹凸(R)的高低差。
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公开(公告)号：CN102388604B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201080013872.1
申请日：2010-03-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3692 , H04N5/3745 , H04N5/37452 , H04N2101/00
Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的固体摄像装置(1)是排列有进行光电转换的M个像素部(P(1)～P(16))的固体摄像装置，包含将来自M个像素部(P(1)～P(16))中的不同的像素部的输出信号依次保持的N个保持部(H(1)～H(4))(N小于M)、以及将来自N个保持部(H(1)～H(4))的输出信号依次放大的放大部(30)。
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公开(公告)号：CN102388604A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201080013872.1
申请日：2010-03-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3692 , H04N5/3745 , H04N5/37452 , H04N2101/00
Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的固体摄像装置(1)是排列有进行光电转换的M个像素部(P(1)～P(16))的固体摄像装置，包含将来自M个像素部(P(1)～P(16))中的不同的像素部的输出信号依次保持的N个保持部(H(1)～H(4))(N小于M)、以及将来自N个保持部(H(1)～H(4))的输出信号依次放大的放大部(30)。
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