-
公开(公告)号：CN102714062A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080057004.3
申请日：2010-12-15
Abstract: 本发明的目的在于，能够以比较高的效率引发核聚变反应并且能够使装置小型化。本发明的核聚变装置（1）具备：包含含有氘或者氚的靶基板（7a）及层叠于靶基板（7a）上且含有氘或者氚的薄膜层（7b）的核聚变靶材（7）、容纳核聚变靶材（7）的真空容器（5）、朝着核聚变靶材（7）的薄膜层（7b）照射连续的2个第1及第2脉冲激光（P1,P2）的激光装置（3），第1脉冲激光（P1）的强度小于第2脉冲激光（P2）的强度，并且，被设定为能够从靶基板（7a）剥离薄膜层（7b）的值。
-
公开(公告)号：CN102714062B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080057004.3
申请日：2010-12-15
Abstract: 本发明的目的在于，能够以比较高的效率引发核聚变反应并且能够使装置小型化。本发明的核聚变装置（1）具备：包含含有氘或者氚的靶基板（7a）及层叠于靶基板（7a）上且含有氘或者氚的薄膜层（7b）的核聚变靶材（7）、容纳核聚变靶材（7）的真空容器（5）、朝着核聚变靶材（7）的薄膜层（7b）照射连续的2个第1及第2脉冲激光（P1,P2）的激光装置（3），第1脉冲激光（P1）的强度小于第2脉冲激光（P2）的强度，并且，被设定为能够从靶基板（7a）剥离薄膜层（7b）的值。
-
公开(公告)号：CN107207374A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580073644.6
申请日：2015-08-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 米田修 , 近藤拓也 , 川嶋利幸 , 菅博文 , 佐藤仲弘 , 关根尊史 , 栗田隆史 , 砂原淳 , 元广友美 , 日置辰视 , 东博纯 , 大岛繁树 , 梶野勉 , 北川米喜 , 森芳孝 , 石井胜弘 , 花山良平 , 西村靖彦 , 三浦永祐
IPC: C04B41/91 , B23K26/354 , C04B41/80
Abstract: 本发明的课题在于提供一种不会生成单斜晶的氧化锆的加工方法。该氧化锆的加工方法的特征在于，包括以1013～1015W/cm2的强度向氧化锆照射具有10－12秒至10－15秒的脉冲宽度的激光的工序。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.031 seconds)
