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公开(公告)号：CN112687755A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011582094.X
申请日：2020-12-28
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及N型TopCOn太阳能电池技术领域，为解决N型TopCon电池背面使用银浆印刷电极带来的高成本问题，公开一种N型TopCOn太阳能电池的背面金属电极，包括基底、设于基底背面钝化膜上的若干根第一银细栅、叠加在第一银细栅上的第二铝细栅和垂直第一银细栅布置的第一银主栅，第一银主栅为分段式结构，背面金属电极还包括在第一银主栅的各段之间和各段周围印刷形成的第二铝主栅。通过铝浆在第一银细栅线上叠印得到第二细栅线，可以降低银浆的耗量，降低成本，同时增加载流子的传输通道，降低串联电阻，提升电池效率。主栅采用银‑铝搭接的方式制备得到，即满足电池背面的焊接要求，又降低主栅银浆的耗量，从而降低成本。
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公开(公告)号：CN112186074A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011058308.3
申请日：2020-09-30
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本申请公开了选择性发射极制备方法，包括获得N型硅片，并在N型硅片的正面沉积掩膜层；在掩膜层与金属栅线对应的位置形成窗口；对具有窗口的N型硅片进行扩散处理，以在具有窗口的N型硅片对应窗口的位置形成重掺杂区；去除掩膜层；对去除掩膜层后的N型硅片进行扩散处理，以在去除掩膜层后的N型硅片的正面形成轻掺杂区，得到选择性发射极。本申请通过形成掩膜层和两次扩散处理在N型硅片表面形成选择性发射极，重掺杂区方阻低，金属‑半导体接触电阻小，轻掺杂区的方阻高，复合速率小，短波响应好，使得太阳能电池的效率提升，且整个制备过程不引入任何杂质，也不需要额外增加其他设备，便于生产。本申请还提供一种太阳能电池及其制备方法。
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公开(公告)号：CN112071960A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202011058191.9
申请日：2020-09-30
申请人： 海宁正泰新能源科技有限公司 , 浙江正泰太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种降低太阳能电池光致衰减的处理设备及处理方法，处理方法包括：加热太阳能电池片至预设温度；对加热后的所述太阳能电池片进行光照处理；冷却光照处理后的所述太阳能电池片，并在冷却过程中维持光照。处理设备包括箱体和沿所述箱体长度方向依次设置的加热区、光照区和冷却区，所述冷却区设有光照设备。本发明所提供的降低太阳能电池光致衰减的处理设备及处理方法能够将衰减态和退火态的B‑O复合体转为为再生态，提高了硅晶太阳能电池的性能。
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公开(公告)号：CN110936001A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911292669.1
申请日：2019-12-16
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种太阳能电池串焊机，包括传送带、自动机构及热焊组件；所述热焊组件包括电阻焊条及加压器；所述电阻焊条设置于所述加压器与所述传送带之间，且固定连接于所述加压器上；所述加压器可带动所述电阻焊条在垂直于所述传送带表面的方向上前后移动，通过所述电阻焊条对所述传送带输送的待焊接电池片施加压力；所述自动机构用于在处于预设焊接位置的所述待焊接电池片的主栅上敷设焊带；所述电阻焊条与所述焊带位置一一对应。本申请相比于现有技术，其焊接时的温度并未传递至硅片上，也就不会对硅片造成光照和热退火，避免了电池载流子诱导衰减，提升组件输出功率。本申请还提供了一种具有上述有益效果的太阳能电池串的焊接方法。
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公开(公告)号：CN110670046A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910954719.1
申请日：2019-10-09
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/505 , C23C16/56 , C23C16/02 , H01L31/18
摘要： 本申请公开了一种太阳能电池的制备方法，通过将太阳能电池前置物置于镀膜腔体内加热；将所述镀膜腔体内抽真空；向所述镀膜腔体内输入氨气与硅烷，通过射频电离法在所述太阳能电池前置物表面沉积氮化硅薄膜；其中，射频发生器的占空比为1:5至1:8，包括端点值；经过预设的沉积时间后，将所述镀膜腔体内先抽真空，再充入惰性气体；在所述镀膜腔体内对沉积过所述氮化硅薄膜的太阳能电池前置物进行退火；在经过退火处理的所述太阳能电池前置物表面设置电极，得到所述太阳能电池。本申请降低氮化硅薄膜的致密性，使电极浆料能更顺利地穿透所述氮化硅薄膜与硅形成良好的欧姆接触，提高电池的发电效率。本申请还提供了一种具有上述有益效果的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN111540794B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010407293.0
申请日：2020-05-14
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种P型钝化接触太阳能电池，通过从迎光面到背光面依次接触设置的正面栅线、正面外延层、N型扩散层、P型基体硅、背面外延层及背面栅线；所述正面外延层包括正面接触钝化层及正面覆盖钝化层；所述正面接触钝化层设置于所述P型钝化接触太阳能电池的正面的金属区；所述正面覆盖钝化层设置于所述正面的非金属区；所述正面接触钝化层从迎光面到背光面依次包括磷掺杂多晶硅层及第一二氧化硅层。本发明降低了金属‑半导体连接处的复合速率，提高了电池的发电效率，由于所述金属区只占整个太阳能电池表面的小部分，进而提升电池片的发电效率。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的P型钝化接触太阳能电池的制作方法。
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公开(公告)号：CN113948607A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110988456.3
申请日：2021-08-26
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及N型晶硅电池技术领域，公开了一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法，包括以下步骤：（1）在制绒后的硅片正面进行低浓度硼扩散，形成轻掺杂层；（2）在轻掺杂层上沉积非晶硅，形成非晶硅层；（3）对非晶硅层进行激光开槽，以去除金属接触区域的非晶硅；（4）在去除非晶硅后的金属接触区域进行高浓度硼扩散，形成重掺杂层；（5）清洗，以去除非金属区域的非晶硅。本发明的选择性扩散方法采用非晶硅层作为掩膜，能防止形成的掺杂层中硼浓度不可控，有利于提高N型晶硅电池的开路电压、短路电流和填充因子。
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公开(公告)号：CN111244226B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010052618.8
申请日：2020-01-17
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/05
摘要： 本申请公开了一种双面电池制作方法，在双面电池前驱体的下表面制作背电极，双面电池前驱体包括由下至上依次层叠的第一钝化层、硅基底、扩散层、氧化层、第二钝化层，然后在背电极以外的区域喷涂氢氟酸溶液，并在喷有氢氟酸溶液的区域制作铝栅线，然后进行烘干处理，使得除铝栅线覆盖以外的氢氟酸溶液被蒸发掉，铝栅线下面覆盖的氢氟酸溶液腐蚀第一钝化层，从而使铝栅线与第一钝化层形成硅铝合金，不需要激光刻槽，也不需对激光、丝网印刷系统的精度进行控制，即解除限制铝栅线的细化的影响因素，可使铝栅线的宽度降低至50微米以下，降低铝栅线对双面电池背面的覆盖面积，提高双面电池的效率。此外，本申请还提供一种具有上述优点的双面电池。
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公开(公告)号：CN112736145A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011594855.3
申请日：2020-12-29
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及太阳能电池背面结构技术领域，为满足太阳能电池的钝化需求趋势，公开一种太阳能电池的背面结构，包括设置在硅片基底上的氧化铝膜层、氧化铝膜层上由内向外依次设置的第一氮化硅膜层、第一氮氧化硅膜层，还包括设置在第一氮氧化硅膜层上的第二氮化硅膜层；第一氮化硅膜层的折射率大于第二氮化硅膜层，第二氮化硅膜层的折射率大于第一氮氧化硅膜层。本发明通过设置氮化硅膜层和氮氧化硅膜层，并使氮氧化硅膜层与氮化硅膜层相对交替布置，可以满足太阳能电池的钝化需求，重点提升太阳能电池的Uoc、Isc、FF和Eta等性能指标，应用于双面或单面PERC太阳能电池、TopCon太阳能电池，使得太阳能电池的效率得到提升。
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公开(公告)号：CN112670353A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011495969.2
申请日：2020-12-17
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，针对现有技术B扩散重扩区结深、表面浓度与轻扩散区差异不明显的问题，公开了提供一种硼掺杂选择性发射极电池及其制备方法，包括N型晶硅、设于所述N型晶硅正面的两个正电极和设于所述N型晶硅背面的两个负电极，所述N型晶硅的背面设有SiO2层，所述SiO2层上设有P掺杂多晶硅层。本发明为提升太阳能电池效率，采用SE结构来降低复合速率，本发明采用硼浆印刷+激光推进的方式制备选择性硼SE结构，实现重掺杂区深结、表面浓度高，轻掺杂区浅结、表面浓度低的特点，且工艺简便、操作方便，大大推进硼SE的产业化进程。
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