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发明公开
制造半导体封装衬底的方法审中-实审

公开(公告)号：CN110168716A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201680091987.X

申请日：2016-12-05

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 裵仁燮 , 全赫鎭

IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/324 , H01L21/762 , H01L21/768 , H01L21/288 , H01L23/52 , H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种制造半导体封装衬底的方法，其包含：在由导电材料形成的基底衬底的一个表面中形成沟槽；执行以树脂填充沟槽的第一填充操作；执行半固化在第一填充操作中所填充的树脂的第一固化操作；执行另外在半固化树脂上填充树脂的第二填充操作；执行完全地固化树脂的第二固化操作；移除自沟槽暴露的树脂；以及蚀刻基底衬底的相对表面以暴露填充沟槽的树脂的至少部分。

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