公开(公告)号：CN110189999B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201811357911.4

申请日：2018-11-15

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 裵仁燮 ,  姜圣日 ,  尹东陈

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提供一种制造半导体封装衬底的方法、一种使用制造半导体封装衬底的方法来制造的半导体封装衬底、一种制造半导体封装的方法以及一种使用制造半导体封装的方法来制造的半导体封装。制造半导体封装衬底的方法包含：在具有顶部表面和底部表面且由导电材料形成的基底衬底的底部表面中形成多个第一凹槽或第一沟槽；用树脂填充多个第一凹槽或沟槽；固化树脂；去除过度填充于多个第一凹槽或沟槽中的树脂的暴露部分；对基底衬底的顶部表面进行蚀刻以暴露填充于多个第一凹槽或沟槽中的树脂的至少部分；以及在基底衬底的底部表面中形成第二凹槽或第二沟槽。

公开(公告)号：CN115810608A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211088601.3

申请日：2022-09-07

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 尹东陈 ,  姜圣日 ,  裵仁燮 ,  徐奭圭 ,  片东英

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开提供一种半导体封装衬底、制造半导体封装衬底的方法以及半导体封装。根据本公开的一个实施例，半导体封装衬底包含：基底衬底，具有其中设置有第一沟槽的下部表面以及其中设置有第二沟槽和第三沟槽的上部表面，包含电路图案和导电材料；第一树脂，布置在第一沟槽中；以及第二树脂，布置在第二沟槽和第三沟槽中，其中第二沟槽暴露第一树脂的至少一部分。

公开(公告)号：CN108701660B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201680082294.4

申请日：2016-11-10

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 裵仁燮 ,  姜圣日

IPC: H01L23/14 ,  H01L21/768 ,  H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L23/29 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种半导体封装衬底，在所述半导体封装衬底中使用由绝缘材料形成的树脂来填充具有上表面及下表面且由导电材料形成的基础衬底，所述半导体封装衬底包括：管芯垫，由所述导电材料形成且位于所述上表面上；以及引线，通过与所述管芯垫电隔离而排列于所述上表面上，且包括接合垫，所述接合垫为打线接合区域，其中所述接合垫包括朝所述下表面突出的突出部，且所述突出部被所述树脂环绕。由于本发明的基础衬底被填充树脂且所述树脂环绕接合垫的下部部分，因此工艺得到简化且图案精度得到提高，进而使得当在所述接合垫上执行打线接合时，因所述打线接合而造成的缺陷可得到防止。

公开(公告)号：CN115050717A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210228376.2

申请日：2022-03-08

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 金沅彬 ,  姜圣日 ,  裵仁燮 ,  尹东陈

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/13 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明为了一种易于焊接的半导体封装衬底及其制造方法，提供一种半导体封装衬底，其具备：基底层，其包括导电物质，且具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且具有位于所述第一表面的第一凹槽或第一沟槽以及位于所述第二表面的第二凹槽或第二沟槽；第一树脂，其掩埋在位于所述基底层的所述第一表面的所述第一凹槽或第一沟槽中；以及凹槽部，其位于所述基底层的所述第一表面的至少一拐点，且基于所述第一表面的深度为所述基底层的厚度的1/2或更大。

公开(公告)号：CN114952592A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210174362.7

申请日：2022-02-24

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 具钟会 ,  姜圣日 ,  金利均 ,  金洪灿 ,  裵仁燮 ,  许贞镐

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/11 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供一种基板表面研磨装置，其包括：研磨装置，其包括对基板的表面进行研磨的多个研磨辊；以及基板支撑部件，其支撑所述基板，其中，所述研磨辊的旋转轴设置为与相邻的研磨辊的旋转轴相倾斜。

公开(公告)号：CN110168716A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201680091987.X

申请日：2016-12-05

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 裵仁燮 ,  全赫鎭

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/324 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  H01L23/52 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种制造半导体封装衬底的方法，其包含：在由导电材料形成的基底衬底的一个表面中形成沟槽；执行以树脂填充沟槽的第一填充操作；执行半固化在第一填充操作中所填充的树脂的第一固化操作；执行另外在半固化树脂上填充树脂的第二填充操作；执行完全地固化树脂的第二固化操作；移除自沟槽暴露的树脂；以及蚀刻基底衬底的相对表面以暴露填充沟槽的树脂的至少部分。

公开(公告)号：CN115881677A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210931507.3

申请日：2022-08-04

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 尹东陈 ,  姜圣日 ,  裵仁燮 ,  徐奭圭 ,  片东英

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种引线框，包含：引线；以及坝条，布置在引线之间且将引线彼此连接，其中各引线包含：下部引线凹槽，形成在可湿性侧面结构的第一表面中；以及上部引线凹槽，形成在与第一表面相对的第二表面中且在厚度方向上与下部引线凹槽对准，其中在锯切工艺中，下部引线凹槽与上部引线凹槽之间的引线的一部分至少部分地去除。

公开(公告)号：CN109427598A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201811000316.5

申请日：2018-08-30

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 姜圣日 ,  裵仁燮 ,  金制爰

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367

Abstract: 一种制造半导体封装衬底的方法及使用所述方法制造的半导体封装衬底。所述方法包括：通过对包含导电材料的基础衬底的上表面进行蚀刻来形成沟槽及柱；使用树脂填充所述沟槽；移除被暴露到所述沟槽的外部的所述树脂，以使所述柱的上表面与所述树脂的上表面处于相同的水平高度；在所述柱的所述上表面及所述树脂的所述上表面的整个区域上形成导电层；以及通过将所述导电层及所述基础衬底的下表面同时图案化来形成包括上部电路配线及下部电路配线的电路配线。使用本发明的方法制造的半导体封装衬底具有快速响应、优异的散热特性。

公开(公告)号：CN116529879A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180006783.2

申请日：2021-12-01

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 具钟会 ,  裵仁燮 ,  兪光在

IPC: H01L23/495

Abstract: 一种制造预模制衬底的方法包含：制备导电衬底；在衬底的一个表面上形成凹槽；布置树脂以覆盖衬底的一个表面和凹槽；去除树脂的一部分，使得衬底的一个表面的至少一部分突出高于覆盖凹槽的树脂的表面；以及在衬底的另一表面上形成电路图案。

公开(公告)号：CN115715427A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202180002167.X

申请日：2021-06-24

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 兪光在 ,  具钟会 ,  裵仁燮

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L23/482 ,  H01L23/32

Abstract: 根据本公开的一方面，提供一种预模制衬底，包含：导电基底部件，所述导电基底部件包含形成在底部表面中的第一预模制凹槽和形成在顶部表面中的第二预模制凹槽且构成电路图案；第一预模制树脂，设置在第一预模制凹槽中；以及第二预模制树脂，设置在第二预模制凹槽中。