公开(公告)号：CN119967888A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411984077.7

申请日：2024-12-31

Applicant: 润新微电子(大连)有限公司

Inventor： 田茂康 ,  华海鑫 ,  张奇 ,  任永硕 ,  王荣华 ,  梁辉南

IPC: H10D80/20 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体领域，公开了一种低杂散电感GaN器件及其制备方法，GaN器件包括引线框架基座、GaN芯片和MOS芯片；引线框架基座包括基座本体、GaN器件的栅极、源极和漏极，基座本体上的第一导电区与GaN器件的源极电连接；GaN芯片设置在基座本体上，其正面有第一源极窗口和其漏极；GaN芯片的漏极通过第一金属线与GaN器件的漏极电连接，GaN芯片的栅极与第一导电区电连接；MOS芯片设置在第一源极窗口内，其背面漏极与第一源极窗口电连接；MOS芯片正面的源极通过第二金属线与第一导电区电连接，其正面的栅极通过第三金属线与GaN器件的栅极电连接。本发明能够有效降低GaN器件的杂散电感、提高其高频性能。

公开(公告)号：CN118693070B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411161603.X

申请日：2024-08-23

Applicant: 润新微电子(大连)有限公司

Inventor： 田茂康 ,  华海鑫 ,  任永硕 ,  王荣华 ,  梁辉南

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/13 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及半导体领域，公开了一种共源共栅结构GaN器件及其制备方法，GaN器件包括蓝宝石基底、MOS芯片和GaN芯片；蓝宝石基底的第一表面设置有第一区域和第二区域，第二区域包围第一区域，第一区域相对于第二区域呈凹槽状，第一区域对应的蓝宝石基底厚度小于第二区域对应的蓝宝石基底厚度，第一区域设置有第一导电区，第二区域设置有第二导电区，第一导电区和第二导电区电连接；第一区域容置MOS芯片，MOS芯片的背面与第一区域贴合连接，其背面的漏极与第一导电区电连接；GaN芯片的源极与第二导电区电连接，GaN芯片的栅极与MOS芯片的源极电连接。本发明能够缩小共源共栅结构GaN器件的体积、提高其散热性及可靠性。

公开(公告)号：CN118693070A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202411161603.X

申请日：2024-08-23

Applicant: 润新微电子(大连)有限公司

Inventor： 田茂康 ,  华海鑫 ,  任永硕 ,  王荣华 ,  梁辉南

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/13 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及半导体领域，公开了一种共源共栅结构GaN器件及其制备方法，GaN器件包括蓝宝石基底、MOS芯片和GaN芯片；蓝宝石基底的第一表面设置有第一区域和第二区域，第二区域包围第一区域，第一区域相对于第二区域呈凹槽状，第一区域对应的蓝宝石基底厚度小于第二区域对应的蓝宝石基底厚度，第一区域设置有第一导电区，第二区域设置有第二导电区，第一导电区和第二导电区电连接；第一区域容置MOS芯片，MOS芯片的背面与第一区域贴合连接，其背面的漏极与第一导电区电连接；GaN芯片的源极与第二导电区电连接，GaN芯片的栅极与MOS芯片的源极电连接。本发明能够缩小共源共栅结构GaN器件的体积、提高其散热性及可靠性。