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公开(公告)号：CN103397305B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310339544.6
申请日：2013-08-06
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种硒化/硫化处理装置，包括反应炉、样片传送机构及离子生成器。反应炉内部开设有反应腔；样片传送机构用于放置并传送沉积有前驱体的样片，所述样片位于所述反应腔顶部；离子生成器设置于所述反应腔的底部，并与所述样片相对，所述离子生成器包括收容壳及射频天线；收容壳上开设有收容槽，所述收容槽用于收容硒源或硫源；射频天线设置于所述收容壳外侧，所述射频天线与外部射频电源电连接，用于产生射频电场以将硒源或硫源电离为硒离子或硫离子。上述硒化/硫化处理装置通过射频天线产生射频电场，以将硒源或硫源电离生成高活性的硒离子或硫离子，提高了硒化或者硫化的质量，制得的太阳能电池吸收层质量较好，进而提高了太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN103474484A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310423223.4
申请日：2013-09-16
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种太阳电池器件的背电极及其制备方法以及太阳电池器件。该太阳电池的背电极包括金属导电层和层叠于所述金属导电层上的氧化铝钝化层，所述氧化铝钝化层上具有多个纳米尺寸的孔洞。金属导电层作为太阳电池器件的“+”极，收集并传输电流。氧化铝钝化层抑制表面载流子复合，多个纳米孔洞形成电流通道，收集和导通电流，这种复合结构的背电极既发挥了氧化铝钝化层的钝化作用，又不妨碍光生电流的通过，达到降低界面缺陷态密度，降低光生载流子的表面复合速率，提高太阳电池器件的光电转化效率的效果。
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公开(公告)号：CN103474511A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310433349.X
申请日：2013-09-22
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , C23C14/35
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池。该铜铟镓硒光吸收层的制备方法包括提供衬底，采用溅射法在衬底上形成第一铜镓层；采用溅射法在第一铜镓层上形成第一铟层；采用溅射法在第一铟层上形成硒化铜层；采用溅射法在硒化铜层上形成第二铟层；采用溅射法在第二铟层上形成第二铜镓层，制得铜铟镓硒薄膜前驱体；及将铜铟镓硒薄膜前驱体进行硒化热处理，得到铜铟镓硒光吸收层的步骤。该铜铟镓硒光吸收层的制备方法不采用引入表面缺陷的方法，而是主动控制镓在铜铟镓硒薄膜厚度方向上的分布实现双梯度能带分布。
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公开(公告)号：CN103474511B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310433349.X
申请日：2013-09-22
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , C23C14/35
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池。该铜铟镓硒光吸收层的制备方法包括提供衬底，采用溅射法在衬底上形成第一铜镓层；采用溅射法在第一铜镓层上形成第一铟层；采用溅射法在第一铟层上形成硒化铜层；采用溅射法在硒化铜层上形成第二铟层；采用溅射法在第二铟层上形成第二铜镓层，制得铜铟镓硒薄膜前驱体；及将铜铟镓硒薄膜前驱体进行硒化热处理，得到铜铟镓硒光吸收层的步骤。该铜铟镓硒光吸收层的制备方法不采用引入表面缺陷的方法，而是主动控制镓在铜铟镓硒薄膜厚度方向上的分布实现双梯度能带分布。
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公开(公告)号：CN103474484B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310423223.4
申请日：2013-09-16
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种太阳电池器件的背电极及其制备方法以及太阳电池器件。该太阳电池的背电极包括金属导电层和层叠于所述金属导电层上的氧化铝钝化层，所述氧化铝钝化层上具有多个纳米尺寸的孔洞。金属导电层作为太阳电池器件的“+”极，收集并传输电流。氧化铝钝化层抑制表面载流子复合，多个纳米孔洞形成电流通道，收集和导通电流，这种复合结构的背电极既发挥了氧化铝钝化层的钝化作用，又不妨碍光生电流的通过，达到降低界面缺陷态密度，降低光生载流子的表面复合速率，提高太阳电池器件的光电转化效率的效果。
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公开(公告)号：CN103397305A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310339544.6
申请日：2013-08-06
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种硒化/硫化处理装置，包括反应炉、样片传送机构及离子生成器。反应炉内部开设有反应腔；样片传送机构用于放置并传送沉积有前驱体的样片，所述样片位于所述反应腔顶部；离子生成器设置于所述反应腔的底部，并与所述样片相对，所述离子生成器包括收容壳及射频天线；收容壳上开设有收容槽，所述收容槽用于收容硒源或硫源；射频天线设置于所述收容壳外侧，所述射频天线与外部射频电源电连接，用于产生射频电场以将硒源或硫源电离为硒离子或硫离子。上述硒化/硫化处理装置通过射频天线产生射频电场，以将硒源或硫源电离生成高活性的硒离子或硫离子，提高了硒化或者硫化的质量，制得的太阳能电池吸收层质量较好，进而提高了太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN203038961U
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201220729897.8
申请日：2012-12-26
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/324
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池退火装置，用于对基片上的金属薄膜预制层进行硒化，包括退火炉、盖体及加热灯管；所述退火炉为盒状结构，所述退火炉包括开口端；所述盖体可转动地连接于所述退火炉的开口端，所述退火炉与所述盖体共同围成密闭的退火腔；所述加热灯管收容于所述退火腔中，并设置于所述盖体上。上述铜铟镓硒薄膜太阳能电池退火装置中，加热灯管收容于退火腔中，退火腔密封且体积较小，使得退火腔中的温度较高，提高了硒的蒸汽压，节省了硒或硫的用料，降低了成本。同时，加热灯管更靠近基片，具有较高的升温速率，保证所得铜铟镓硒薄膜的质量。
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