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公开(公告)号：CN118326465B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410755237.4
申请日：2024-06-12
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种适用于封装基板的电镀镍钯金表面处理液，该表面处理液包括电镀镍溶液，电镀钯溶液和电镀金溶液。电镀镍液包括组分：镍盐70‑120g/L、硼酸30‑50g/L、复合光亮剂30‑60mg/L、复合防针孔剂15‑45mg/L、分散剂40‑80mg/L、复合整平剂50‑150mg/L，余量为去离子水。电镀钯液包括组分：钯盐20‑40g/L、复合络合剂80‑120g/L、稳定剂0.2‑0.6g/L、抑制剂10‑40mg/L、表面活性剂10‑30mg/L、导电盐5‑10g/L，余量为去离子水。电镀金液包括组分：金盐10‑20g/L、导电盐10‑20g/L、加速剂60‑120mg/L、络合剂15‑30g/L、光亮剂10‑40mg/L、复合稳定剂10‑30mg/L、整平剂20‑80mg/L，余量为去离子水。该发明可以应用于封装基板的表面处理工艺，不仅可可以提供良好均镀能力，打线稳定牢固，而且镀液稳定不易析出，可承受电流密度大，不长瘤子，可实现高速沉积。
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公开(公告)号：CN118326465A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410755237.4
申请日：2024-06-12
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种适用于封装基板的电镀镍钯金表面处理工艺配方，该工艺配方包括电镀镍溶液，电镀钯溶液和电镀金溶液。电镀镍液包括组分：镍盐70‑120g/L、硼酸30‑50g/L、复合光亮剂30‑60mg/L、复合防针孔剂15‑45mg/L、分散剂40‑80mg/L、复合整平剂50‑150mg/L，余量为去离子水。电镀钯液包括组分：钯盐20‑40g/L、复合络合剂80‑120g/L、稳定剂0.2‑0.6g/L、抑制剂10‑40mg/L、表面活性剂10‑30mg/L、导电盐5‑10g/L，余量为去离子水。电镀金液包括组分：金盐10‑20g/L、导电盐10‑20g/L、加速剂60‑120mg/L、络合剂15‑30g/L、光亮剂10‑40mg/L、复合稳定剂10‑30mg/L、整平剂20‑80mg/L，余量为去离子水。该发明可以应用于封装基板的表面处理工艺，不仅可可以提供良好均镀能力，打线稳定牢固，而且镀液稳定不易析出，可承受电流密度大，不长瘤子，可实现高速沉积。
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公开(公告)号：CN115976584A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211539223.6
申请日：2022-12-01
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
IPC分类号： C25D3/38 , C25D7/12 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种适用于超深孔TSV填充的电镀铜液及其电镀铜工艺。电镀铜工艺通过真空超声润湿的方式进行前处理，再配合本发明提供的TSV填充的电镀铜液实现超深孔TSV的100％填充。TSV电镀填充溶液包括甲基磺酸铜、甲基磺酸、二水氯化铜、N.N二甲基二硫代氨基甲酰基丙磺酸钠、2,5,8,11‑四甲基‑6‑十二碳炔‑5,8‑二醇聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚硫酸钠、4,5,6,7‑四氢‑6‑甲基‑2‑氨基苯并噻唑、4,5,6,7‑四氢苯并噻唑‑6‑酮。本发明提供的一种适用于超深孔的TSV填充镀铜技术不仅具有药水性能稳定、使用寿命可以达到30天，超出其他药水寿命1倍以上。
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