一种大面积钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN109473550A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201811196299.7

    申请日:2018-10-15

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/48

    摘要: 本发明属于钙钛矿太阳能电池制备相关技术领域,其公开了一种大面积钙钛矿太阳能电池及其制备方法,所述太阳能电池包括基底、形成在所述基底的表面上的电子传输层、形成在所述电子传输层远离所述基底的表面上的钙钛矿光敏层、形成在所述钙钛矿光敏层远离所述电子传输层的表面上的空穴传输层及形成在所述空穴传输层远离所述钙钛矿光敏层的表面上的碳对电极;所述空穴传输层为酞菁铜空穴传输层;所述电子传输层为CdS电子传输层;所述基底为FTO基底或ITO基底。本发明可实现大面积制备,简单易行,能耗低。

    一种无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN106910798A

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:CN201710219960.0

    申请日:2017-04-06

    摘要: 本发明属于微纳制造技术领域,并公开了一种无机钙钛矿太阳能电池,包括导电基底、电子收集层、光吸收层、空穴传输层和碳对电极层,导电基底包括玻璃基片及两块FTO导电层,两块FTO导电层之间具有分隔槽;电子收集层包括致密TiO2层和介孔TiO2层,致密TiO2层沉积在玻璃基片的分隔槽处和其中一块FTO导电层的上表面上,介孔TiO2层沉积在致密TiO2层的上表面上;光吸收层为无机钙钛矿层,其设置在介孔TiO2层的上表面上;所述空穴传输层为CuPc层,其设置在所述光吸收层的上表面上;所述碳对电极层设置在所述空穴传输层的上表面上。本发明能显著提高接触面积,从而增加电荷传输通道,提高无机钙钛矿太阳能电池的性能。

    基于镍掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN107993848B

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201711088549.0

    申请日:2017-11-08

    IPC分类号: H01G9/20

    摘要: 本发明属于微纳制造相关技术领域,其公开了基于镍掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)对导电基底进行清洗处理;(2)采用水浴法在所述导电基底上沉积金红石相的镍掺杂二氧化钛薄膜以形成光阳极,退火温度为450℃~500℃;(3)在所述光阳极的表面旋涂钙钛矿前驱体溶液,并进行加热处理以得到光吸收层;(4)在所述光吸收层的表面蒸镀一层酞菁铜以形成空穴传输层;(5)通过丝网印刷商用碳桨成膜来在所述空穴传输层上形成碳对电极层,由此结束。本发明还还涉及基于镍掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池。本发明减小了生产成本,大大提高了电池的性能和稳定性,有利于电池的大规模商业化生产。

    一种无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN106910798B

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201710219960.0

    申请日:2017-04-06

    摘要: 本发明属于微纳制造技术领域,并公开了一种无机钙钛矿太阳能电池,包括导电基底、电子收集层、光吸收层、空穴传输层和碳对电极层,导电基底包括玻璃基片及两块FTO导电层,两块FTO导电层之间具有分隔槽;电子收集层包括致密TiO2层和介孔TiO2层,致密TiO2层沉积在玻璃基片的分隔槽处和其中一块FTO导电层的上表面上,介孔TiO2层沉积在致密TiO2层的上表面上;光吸收层为无机钙钛矿层,其设置在介孔TiO2层的上表面上;所述空穴传输层为CuPc层,其设置在所述光吸收层的上表面上;所述碳对电极层设置在所述空穴传输层的上表面上。本发明能显著提高接触面积,从而增加电荷传输通道,提高无机钙钛矿太阳能电池的性能。

    一种全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN106960883B

    公开(公告)日:2019-08-13

    申请号:CN201710182946.8

    申请日:2017-03-24

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明属于微纳制造技术领域,并公开了一种全无机钙钛矿太阳能电池,包括基片玻璃、ITO导电层和光阳极、光吸收层和碳对电极层;所述光阳极为CdS纳米棒阵列结构,其具有孔隙结构;所述光吸收层为CsPbBr3无机钙钛矿层,其嵌入到光阳极的孔隙结构内从而与光阳极形成紧密接触;所述碳对电极层铺在所述ITO导电层的上表面和所述光吸收层的上表面上,其通过丝网印刷成膜而形成。本发明能显著提高钙钛矿层与电子传输层之间的接触面积,增加电荷传输通道;对生长完成的CdS纳米棒阵列进行紫外臭氧处理,可以显著改善CdS薄膜的界面特性,减少晶粒边界,从而减少电子缺陷态密度,减少不利的电荷复合,提高电子传输特性。

    基于镁掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN108281550A

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201810032532.1

    申请日:2018-01-12

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/44

    摘要: 本发明属于微纳制造相关技术领域,其公开了基于镁掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)对导电基底进行清洗处理;(2)采用水浴法在所述导电基底上沉积金红石相的镁掺杂二氧化钛薄膜,并进行退火处理,以形成光阳极,退火温度为100℃~120℃;(4)在所述光阳极的表面旋涂钙钛矿前驱体溶液,以得到光吸收层;(5)在所述光吸收层的表面蒸镀一层酞菁铜,以形成空穴传输层;(6)通过丝网印刷商用碳桨成膜来在所述空穴传输层上形成碳对电极层,由此结束。本发明还涉及基于镁掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池。本发明减小了生产成本,大大提高了电池的性能和稳定性,有利于电池的大规模商业化生产。

    一种全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN106960883A

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201710182946.8

    申请日:2017-03-24

    摘要: 本发明属于微纳制造技术领域,并公开了一种全无机钙钛矿太阳能电池,包括基片玻璃、ITO导电层和光阳极、光吸收层和碳对电极层;所述光阳极为CdS纳米棒阵列结构,其具有孔隙结构;所述光吸收层为CsPbBr3无机钙钛矿层,其嵌入到光阳极的孔隙结构内从而与光阳极形成紧密接触;所述碳对电极层铺在所述ITO导电层的上表面和所述光吸收层的上表面上,其通过丝网印刷成膜而形成。本发明能显著提高钙钛矿层与电子传输层之间的接触面积,增加电荷传输通道;对生长完成的CdS纳米棒阵列进行紫外臭氧处理,可以显著改善CdS薄膜的界面特性,减少晶粒边界,从而减少电子缺陷态密度,减少不利的电荷复合,提高电子传输特性。

    基于镁掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN108281550B

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201810032532.1

    申请日:2018-01-12

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/44

    摘要: 本发明属于微纳制造相关技术领域,其公开了基于镁掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)对导电基底进行清洗处理;(2)采用水浴法在所述导电基底上沉积金红石相的镁掺杂二氧化钛薄膜,并进行退火处理,以形成光阳极,退火温度为100℃~120℃;(4)在所述光阳极的表面旋涂钙钛矿前驱体溶液,以得到光吸收层;(5)在所述光吸收层的表面蒸镀一层酞菁铜,以形成空穴传输层;(6)通过丝网印刷商用碳桨成膜来在所述空穴传输层上形成碳对电极层,由此结束。本发明还涉及基于镁掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池。本发明减小了生产成本,大大提高了电池的性能和稳定性,有利于电池的大规模商业化生产。