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公开(公告)号：CN114752999A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210329910.9
申请日：2022-03-30
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明提供了一种制备晶体的设备及方法，包括：设备主体、固定于设备主体的热源、固定于设备主体且位于热源内的生长室以及固定于生长室且位于热源和生长室之间的至少两层调温件组，生长室具有用于容纳源料的容纳腔，调温件组的调温件的一端固定于生长室，另一端间隔热源设置，同一层调温件组的调温件的长度相等，相邻层所述调温件组的调温件的长度不相等，热源产生的热量传导至调温件并被调温件传导至生长室。同一层调温件组的调温件的长度相等，相邻层所述调温件组的调温件的长度不相等，可以通过调节调温件的长度改变生长室的温场的温度分布，保证生长室能够提供适合于晶体生长的温度梯度。
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公开(公告)号：CN114250517A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111673616.1
申请日：2021-12-31
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明属于晶体生长技术领域，具体为一种采用气相传输制备氮化铝晶体的方法，包括以下步骤：首先将氮化铝原料固定于坩埚内壁四周，使其围成一晶体生长腔，将氮化铝籽晶固定于坩埚内晶体生长腔中间位置；将已装配好氮化铝原料和氮化铝籽晶的坩埚放入加热炉中，切换加热炉中的生长气氛为纯氮气氛围，升温至坩埚内达到预设温度，并调节至所述籽晶周围形成由所述原料至所述籽晶方向温度由高到低的小温梯，进行氮化铝单晶晶体生长，并保温一段时间，降温至室温，打开坩埚，得到所述的氮化铝晶体。使用本发明原料进行氮化铝晶体生长，可抑制晶体中碳占氮位和氮空位点缺陷的产生，获得的氮化铝晶体在深紫外波段具有很高的透过率。
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公开(公告)号：CN113981539A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111281070.5
申请日：2021-11-01
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明实施例公开了一种多孔钨结构的晶体制备装置，包括：坩埚盖、坩埚、锥形台、隔气环和多孔钨圆筒；其中，所述多孔钨筒放置在所述坩埚内并与所述坩埚同心，所述多孔钨简的外壁与所述坩埚的内壁围成的空间用于放置氮化铝粉；所述隔气环置于所述多孔钨筒上，用于覆盖所述多孔钨筒的外壁与所述坩埚的内壁围成的空间；所述锥形台置于所述隔气环上，所述坩埚盖放置在所述坩埚上，并在所述锥形台上方粘贴氮化铝籽晶，以在加热状态下使氮化铝籽晶生长为氮化铝晶体。通过对氮化铝晶体生长坩埚内部结构及材料的优化，实现了氮化铝原料升华速率稳定、蒸气输运方向为从籽晶中心向边缘的晶体生长条件，使氮化铝晶体具有更高的结晶质量。
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公开(公告)号：CN114752999B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210329910.9
申请日：2022-03-30
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明提供了一种制备晶体的设备及方法，包括：设备主体、固定于设备主体的热源、固定于设备主体且位于热源内的生长室以及固定于生长室且位于热源和生长室之间的至少两层调温件组，生长室具有用于容纳源料的容纳腔，调温件组的调温件的一端固定于生长室，另一端间隔热源设置，同一层调温件组的调温件的长度相等，相邻层所述调温件组的调温件的长度不相等，热源产生的热量传导至调温件并被调温件传导至生长室。同一层调温件组的调温件的长度相等，相邻层所述调温件组的调温件的长度不相等，可以通过调节调温件的长度改变生长室的温场的温度分布，保证生长室能够提供适合于晶体生长的温度梯度。
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公开(公告)号：CN114250517B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111673616.1
申请日：2021-12-31
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明属于晶体生长技术领域，具体为一种采用气相传输制备氮化铝晶体的方法，包括以下步骤：首先将氮化铝原料固定于坩埚内壁四周，使其围成一晶体生长腔，将氮化铝籽晶固定于坩埚内晶体生长腔中间位置；将已装配好氮化铝原料和氮化铝籽晶的坩埚放入加热炉中，切换加热炉中的生长气氛为纯氮气氛围，升温至坩埚内达到预设温度，并调节至所述籽晶周围形成由所述原料至所述籽晶方向温度由高到低的小温梯，进行氮化铝单晶晶体生长，并保温一段时间，降温至室温，打开坩埚，得到所述的氮化铝晶体。使用本发明原料进行氮化铝晶体生长，可抑制晶体中碳占氮位和氮空位点缺陷的产生，获得的氮化铝晶体在深紫外波段具有很高的透过率。
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公开(公告)号：CN113337897A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110546770.6
申请日：2021-05-19
申请人： 深圳大学
IPC分类号： C30B35/00
摘要： 本发明涉及半导体晶体生长技术领域，公开了一种降低晶体生长炉装配高度的组件及使用方法，其中组件包括承重板，其顶部适用于固定晶体生长炉；活动支撑组件安装于承重板的底部，并可驱动承重板进行升降动作；一组固定支撑组件可在承重板和晶体生长炉到达设计高度时，固定支撑于承重板的底部且分设于活动支撑组件的两侧；活动支撑组件适于在晶体生长炉安装到预设位置时，从承重板底部拆除。可以在较低位置先进行承重板与晶体生长炉的安装固定，之后再利用活动支撑件将晶体生长炉和承重板提升到合适的高度，接着利用固定支撑组件进行支撑固定，安装更加方便，提高了装配效率，无需反复安装，可以避免造成晶体生长炉损坏。
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公开(公告)号：CN220619189U
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202322127203.4
申请日：2023-08-08
申请人： 深圳大学
IPC分类号： C30B23/00
摘要： 本实用新型公开一种控制氮化铝原料稳定升华的晶体制备装置。该晶体制备装置包括坩埚本体、坩埚盖、片状结构件以及导流件；坩埚盖盖设于坩埚本体上；片状结构件放置于坩埚本体中部并将坩埚本体的内腔分隔为在竖直方向上排布且相互连通的原料升华区和晶体生长区，原料升华区位于晶体生长区的下方；片状结构件用于控制不同生长时期的氮化铝原料升华量；导流件设于片状结构件上，并用于将原料升华区内的氮化铝原料升华的气相物质引导至晶体生长区的氮化铝籽晶表面。本实用新型改进了晶体制备装置的结构，通过设置片状结构件，同时对氮化铝物料颗粒度筛选，实现了生长前中后期都能满足实验需求的氮化铝升华速率，使生长出的氮化铝晶体具有更高质量。
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公开(公告)号：CN216141657U
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202121085148.1
申请日：2021-05-19
申请人： 深圳大学
IPC分类号： C30B35/00
摘要： 本实用新型涉及半导体晶体生长技术领域，公开了一种降低晶体生长炉装配高度的组件，其中组件包括承重板，其顶部适用于固定晶体生长炉；活动支撑组件安装于承重板的底部，并可驱动承重板进行升降动作；一组固定支撑组件可在承重板和晶体生长炉到达设计高度时，固定支撑于承重板的底部且分设于活动支撑组件的两侧；活动支撑组件适于在晶体生长炉安装到预设位置时，从承重板底部拆除。可以在较低位置先进行承重板与晶体生长炉的安装固定，之后再利用活动支撑件将晶体生长炉和承重板提升到合适的高度，接着利用固定支撑组件进行支撑固定，安装更加方便，提高了装配效率，无需反复安装，可以避免造成晶体生长炉损坏。
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