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公开(公告)号：CN114752999A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210329910.9
申请日：2022-03-30
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明提供了一种制备晶体的设备及方法，包括：设备主体、固定于设备主体的热源、固定于设备主体且位于热源内的生长室以及固定于生长室且位于热源和生长室之间的至少两层调温件组，生长室具有用于容纳源料的容纳腔，调温件组的调温件的一端固定于生长室，另一端间隔热源设置，同一层调温件组的调温件的长度相等，相邻层所述调温件组的调温件的长度不相等，热源产生的热量传导至调温件并被调温件传导至生长室。同一层调温件组的调温件的长度相等，相邻层所述调温件组的调温件的长度不相等，可以通过调节调温件的长度改变生长室的温场的温度分布，保证生长室能够提供适合于晶体生长的温度梯度。
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公开(公告)号：CN101570889B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810083970.7
申请日：2008-04-29
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明涉及一种用升华法制备氮化铝晶体的保温装置，它由带孔的氮化铝板、氮化铝圆环、氮化铝粉、有缝的钨环、钨片、圆筒组成。带孔的氮化铝板和氮化铝圆环均由氮化铝粉经压力成形后高温烧结而成，主要用于减少坩埚向上的热辐射以及对流损耗，同时方便坩埚温度的测量。氮化铝粉是该保温装置的主要材料，经过高温高纯氮气气氛下的预处理后，整个氮化铝粉烧结成一体，方便坩埚取放，且靠近坩埚的氮化铝粉转变成氮化铝多晶，耐高温能力增强。钨片和有缝钨环的配合使用，避免了坩埚底部对氮化铝粉的热传导和热辐射。该发明具有保温效果好、耐高温、不易引入杂质、操作方便、对人体危害小等优点。
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公开(公告)号：CN101570889A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810083970.7
申请日：2008-04-29
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明涉及一种用升华法制备氮化铝晶体的保温装置，它由带孔的氮化铝板、氮化铝圆环、氮化铝粉、有缝的钨环、钨片、圆筒组成。带孔的氮化铝板和氮化铝圆环均由氮化铝粉经压力成形后高温烧结而成，主要用于减少坩埚向上的热辐射以及对流损耗，同时方便坩埚温度的测量。氮化铝粉是该保温装置的主要材料，经过高温高纯氮气气氛下的预处理后，整个氮化铝粉烧结成一体，方便坩埚取放，且靠近坩埚的氮化铝粉转变成氮化铝多晶，耐高温能力增强。钨片和有缝钨环的配合使用，避免了坩埚底部对氮化铝粉的热传导和热辐射。该发明具有保温效果好、耐高温、不易引入杂质、操作方便、对人体危害小等优点。
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公开(公告)号：CN115274891B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210787388.9
申请日：2022-07-04
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/103 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种真空紫外光电探测器及其制备方法，该制备方法包括：采用物理气相传输法制备氮化铝晶体；准备衬底，在所述衬底的表面沉积形成底电极；将所述氮化铝晶体置于所述底电极上；将准备好的石墨烯转移至所述氮化铝晶体上；在所述石墨烯的上部区域沉积形成顶电极。本发明基于氮化铝晶体制作真空紫外光电探测器，氮化铝晶体采用物理气相传输法制备，制作真空紫外探测器过程中不需要承载氮化铝晶体生长的基板，降低了生产成本，增加了底电极的选择性，同时采用石墨烯作为透明窗口，增加感光面积。
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公开(公告)号：CN114752999B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210329910.9
申请日：2022-03-30
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明提供了一种制备晶体的设备及方法，包括：设备主体、固定于设备主体的热源、固定于设备主体且位于热源内的生长室以及固定于生长室且位于热源和生长室之间的至少两层调温件组，生长室具有用于容纳源料的容纳腔，调温件组的调温件的一端固定于生长室，另一端间隔热源设置，同一层调温件组的调温件的长度相等，相邻层所述调温件组的调温件的长度不相等，热源产生的热量传导至调温件并被调温件传导至生长室。同一层调温件组的调温件的长度相等，相邻层所述调温件组的调温件的长度不相等，可以通过调节调温件的长度改变生长室的温场的温度分布，保证生长室能够提供适合于晶体生长的温度梯度。
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公开(公告)号：CN109023513B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201810949420.2
申请日：2018-08-20
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明公开了一种制备氮化铝晶体的坩埚设备及方法，坩埚设备包括坩埚体、衬底及衬底温场调整组件；其中，坩埚体的内部自下而上分为相互连通的第一腔室、第二腔室及第三腔室，且第二腔室的直径小于第一腔室与第三腔室的直径；衬底温场调整组件为中空圆柱体，衬底覆盖于坩埚体的开口，衬底温场调整组件的底面与衬底远离上述开口的表面相贴合。相较于现有技术而言，上述坩埚设备能够有效的降低氮化铝晶体的成核数，并且能够得到尺寸较大的氮化铝晶体。
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公开(公告)号：CN103539086B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210258779.8
申请日：2012-07-17
申请人： 深圳大学
IPC分类号： C01B21/072
摘要： 本发明属于材料制备领域，提供一种制备非极性面氮化铝材料的工艺方法，主要通过控制生长温度以及生长装置中坩埚顶与坩埚体的温度差，实现高质量非极性面氮化铝材料的制备。具体制备过程包括：(1)物料预处理对氮化铝物料在氮气气氛中进行高温烧结预处理；(2)升温阶段在氮气气氛中，以预处理后的物料做氮化铝源，按一定速率进行升温，并保持坩埚顶与坩埚体有一定的温度差；(3)保温阶段升温至合适的生长温度后，调整坩埚顶与坩埚体之间的温度差，进入保温阶段，通过物料升华制备氮化铝；(4)降温阶段保温一段时间后，再次调整坩埚顶与坩埚体之间的温度差，然后开始降低温度至室温，生长结束。
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公开(公告)号：CN114250517B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111673616.1
申请日：2021-12-31
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明属于晶体生长技术领域，具体为一种采用气相传输制备氮化铝晶体的方法，包括以下步骤：首先将氮化铝原料固定于坩埚内壁四周，使其围成一晶体生长腔，将氮化铝籽晶固定于坩埚内晶体生长腔中间位置；将已装配好氮化铝原料和氮化铝籽晶的坩埚放入加热炉中，切换加热炉中的生长气氛为纯氮气氛围，升温至坩埚内达到预设温度，并调节至所述籽晶周围形成由所述原料至所述籽晶方向温度由高到低的小温梯，进行氮化铝单晶晶体生长，并保温一段时间，降温至室温，打开坩埚，得到所述的氮化铝晶体。使用本发明原料进行氮化铝晶体生长，可抑制晶体中碳占氮位和氮空位点缺陷的产生，获得的氮化铝晶体在深紫外波段具有很高的透过率。
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公开(公告)号：CN113337897A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110546770.6
申请日：2021-05-19
申请人： 深圳大学
IPC分类号： C30B35/00
摘要： 本发明涉及半导体晶体生长技术领域，公开了一种降低晶体生长炉装配高度的组件及使用方法，其中组件包括承重板，其顶部适用于固定晶体生长炉；活动支撑组件安装于承重板的底部，并可驱动承重板进行升降动作；一组固定支撑组件可在承重板和晶体生长炉到达设计高度时，固定支撑于承重板的底部且分设于活动支撑组件的两侧；活动支撑组件适于在晶体生长炉安装到预设位置时，从承重板底部拆除。可以在较低位置先进行承重板与晶体生长炉的安装固定，之后再利用活动支撑件将晶体生长炉和承重板提升到合适的高度，接着利用固定支撑组件进行支撑固定，安装更加方便，提高了装配效率，无需反复安装，可以避免造成晶体生长炉损坏。
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公开(公告)号：CN106149057A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510116383.3
申请日：2015-03-10
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明属于晶体制备领域，特别涉及一种氮化铝晶体的生长装置及对应的工艺。本发明提供温度场可控的氮化铝晶体生长装置及工艺，具有温度场控制精确、操作性强等优点，由此发展的相应生长工艺符合氮化铝晶体的结晶特性。该制备装置包括顶加热器、中加热器、底加热器、顶保温层、侧保温层、底保温层、红外测温仪、坩埚和坩埚支架组成。装置根据三个红外测温仪返回的生长区域三个不同位置的温度信号，进行顶加热器、中加热器和底加热器加热功率的温控调节，满足了氮化铝晶体生长的合适温度场条件。本发明为制备大尺寸、高品质的氮化铝单晶体提供合适的生长装置及有效、可行的工艺。
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